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公开(公告)号：CN102122529A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201110024509.6
申请日：2011-01-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于UHF RFID无源标签芯片的单栅非易失性存储器，主要解决现有双栅存储器与CMOS工艺不兼容的问题。它由多个完全相同的存储单元组成，每个存储单元包括：擦除晶体管(110)，编程晶体管(120)，译码晶体管(130)以及耦合晶体管(140)；该耦合晶体管(140)的源极、漏极与衬底连接，构成耦合端子；该擦除晶体管(110)的源极、漏极与衬底连接，构成擦除端子；该编程晶体管(120)的源极与衬底连接，构成编程端子；译码晶体管(130)的源极和衬底分别与编程晶体管(120)的漏极和衬底连接，译码晶体管(130)的漏极输出数据；耦合晶体管(140)、编程晶体管(120)和擦除晶体管(110)三管的栅极并接，共享浮栅。本发明具有低成本，低功耗的优点。
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公开(公告)号：CN100394616C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510096163.5
申请日：2005-10-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L27/00 , H01L21/336 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法。其结构采用在N型外延层(4)与衬底(1)的界面上设有N型埋层(2)，在N型外延层上设有P型体沟道区(11)和深N+扩散区(5)及P型阱(6)，该P型体沟道区的四周设有P型场限环(7)，该P型体沟道区的内部设有源区，源区内设有N+环(12s)和P+接触区(13)，该深N+扩散区与N型埋层相连接构成漏区引出，在栅氧化层和场氧化层表面设置有多晶硅栅和场板。其制备过程是：注入埋层、生长外延层，在外延层上注入深N+扩散区、P型阱、场限环，并对外延层进行氧化、淀积、刻蚀多晶硅形成多晶硅栅极及场板，用自对准工艺制备体沟道区，在体沟道区内注入源区和在深N+扩散区内注入漏区的接触区。具有击穿电压高的优点，可用于高压功率集成电路。
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公开(公告)号：CN119986315A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510071357.7
申请日：2025-01-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种监测NBTI效应的高精度模拟电路、芯片及IP，属于集成电路技术领域，包括：NBTI效应监测单元、带隙基准电路和新型迟滞比较器；本发明电路结构较简单，采用模拟电路，电路中的电阻值小，具有面积小，成本低的特点；在不同工艺、温度、电源电压下，能通过输出的预警信号非常简便、精准地监测被测芯片的NBTI效应，解决了现有技术方案芯片面积大，设计复杂度高，精度低的问题。
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公开(公告)号：CN118333084A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410402702.6
申请日：2024-04-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06K19/07 , G06K19/077
Abstract: 本发明公开了一种光触发式物品识别的无源标签，包括双端口接收天线、模拟前端、多模数字基带、电平移位电路及调制反射天线，双端口接收天线将射频信号和交流电压输出至模拟前端，模拟前端对射频信号进行数据解调，形成多模数字基带能够识别的初始数据，多模数字基带对初始数据进行识别和比对，根据比对结果向拟前端返回不同于初始数据的预设数据，之后模拟前端接收多模数字基带返回的预设数据，将多模数字基带返回的数据进行调制得到调制数据，将调制数据输出至调制反射天线，调制反射天线将调制数据携带在射频信号中，将携带有调制数据的射频信号反射至接收端设备实现物品识别。这种方式的成本低，功耗低，且集成度、精度和识别准确度高。
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公开(公告)号：CN115642903A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211274619.2
申请日：2022-10-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K5/156
Abstract: 本发明提供的一种无源芯片的微功耗时钟校准方法以及电路，通过在芯片内部加入了超低功耗温度传感器，在出厂完成空口校准后，当芯片处于使用阶段温度传感器检测温度变化，然后数字校准电路根据温度量化值产生补偿逻辑序列，调整充放电电流大小，对时钟频率二次补偿，使得频率稳定在较小的容差范围内，可产生微功耗、高精度、不随温度变化的时钟信号；通过本发明的校准方法，芯片的内部时钟校准仅需出场时的一次，减少了芯片实际使用、测试过程中的必要流程与工作量，应用成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115561706A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211137557.0
申请日：2022-09-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S5/16
Abstract: 本发明公开了一种集成光接收电路的标签、采用光信号精确的定位方法及系统，该标签包括：与第一放大电路连接的光接收器，光接收器是片上集成的、具有通过P型衬底和N+构成的PN结的光电二极管；光接收器在接收到光信号时，在反偏电场作用下向第一放大电路提供电流；第一放大电路与比较器连接，在未接收到提供的电流时输出第一电压值，在接收到提供的电流时输出第二电压值；第二放大电路与比较器连接，用于输出小于第一电压的电压值；比较器比较两个放大电路输入的电压值，在第一放大电路的电压值小于第二放大电路的电压值时产生翻转信号并发送至数字基带；数字基带根据翻转信号将存储的数据发送至接收端；该数据用于辅助接收端对标签的位置定位。
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公开(公告)号：CN113452372A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110772782.0
申请日：2021-07-08
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种模数转换器的分段电容阵列及切换方法，分段电容阵列包括低有效位电容阵列和高有效位电容阵列，高有效位电容阵列由非冗余位电容和冗余位电容连接构成，非冗余位电容依次为：C、2C、4C...2M‑2C，冗余位电容包括：C、C、2C、4C...2M‑2C。冗余位电容按顺序插入到非冗余位电容中。通过合理的冗余位构建方式，在不增加电容阵列中单位电容的个数和面积的情况下，减小分段式电容阵列中电容失配的影响，保证冗余位能够提供足够的冗余数字码空间；同时能够合理利用冗余量完成对比较器失调的校准；并利用相对应的电容阵列切换方法，进一步减小误差，提高精度。
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公开(公告)号：CN107154788B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201710266417.6
申请日：2017-04-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H7/38
Abstract: 本发明涉及一种射频能量采集电路中的L型阻抗匹配系统及方法，其系统包括采样比较模块、逻辑算法控制模块和可调阻抗匹配网络；采样比较模块用于在逻辑控制模块的控制下对倍压整流电路输出的电压进行连续两次采样并对连续两次采样的电压进行比较；逻辑算法控制模块用于根据连续两次采样的电压的比较结果逐次调整并入可调阻抗匹配网络中L型可调电容阵列的数量；可调阻抗匹配网络用于根据并入的L型可调电容阵列的数量来匹配所述天线与倍压整流电路之间的阻抗。本发明通过判断倍压整流电路输出电压得到当前阻抗匹配效果，避免了复杂的ADC采样或者信号处理单元，电路简单，功耗极低，仅在开关过程消耗能量，适用于微弱能量采集环境。
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公开(公告)号：CN104297566B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410571026.1
申请日：2014-10-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种超高频射频识别电子标签上天线输入阻抗的测量方法，主要解决阻抗测量设备本身精度对测量精度影响的问题。其实现步骤为：1.用电子校准件校准测量用矢量网络分析仪；2.用测量线将矢量网络分析仪端口与差分巴伦夹具单端SMA接头连接；3.依次测量差分巴伦夹具差分端在短路、开路、接50Ω电阻的三种状态下的输入阻抗；4.测量差分巴伦夹具差分端接待测平衡天线状态下其单端SMA接头处的输入阻抗值；5.根据上述四个已测参数计算得到一个电子标签平衡天线的输入阻抗。本发明避免了测量设备精度对测量结果的影响，且具有操作简单快速、测量精度高的优点，可用于大批量超高频射频识别电子标签上平衡天线的输入阻抗测量。
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公开(公告)号：CN107154788A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710266417.6
申请日：2017-04-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H7/38
CPC classification number: H03H7/38
Abstract: 本发明涉及一种射频能量采集电路中的L型阻抗匹配系统及方法，其系统包括采样比较模块、逻辑算法控制模块和可调阻抗匹配网络；采样比较模块用于在逻辑控制模块的控制下对倍压整流电路输出的电压进行连续两次采样并对连续两次采样的电压进行比较；逻辑算法控制模块用于根据连续两次采样的电压的比较结果逐次调整并入可调阻抗匹配网络中L型可调电容阵列的数量；可调阻抗匹配网络用于根据并入的L型可调电容阵列的数量来匹配所述天线与倍压整流电路之间的阻抗。本发明通过判断倍压整流电路输出电压得到当前阻抗匹配效果，避免了复杂的ADC采样或者信号处理单元，电路简单，功耗极低，仅在开关过程消耗能量，适用于微弱能量采集环境。
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