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公开(公告)号：CN118150666A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410262750.X
申请日：2024-03-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明属于生物传感技术领域，公开了一种金刚石溶液栅场效应晶体管及其制备方法、应用；其中，所述金刚石溶液栅场效应晶体管包括：器件本体、DNA探针和参考电极；器件本体包括氢终端金刚石衬底、源电极、漏电极、绝缘层和金纳米颗粒；氢终端金刚石衬底上分布有与其形成欧姆接触的源电极和漏电极，金纳米颗粒分布于源电极和漏电极之间的氢终端金刚石衬底区域；金纳米颗粒表面修饰有氨基终端；DNA探针修饰有羧基终端，与金纳米颗粒偶联。本发明的金刚石溶液栅场效应晶体管可用于miRNA‑24‑3p检测，能够提高修饰分子的密度、优化传感器的性能。
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公开(公告)号：CN118150665A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410262749.7
申请日：2024-03-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明属于生物传感技术领域，公开了一种氢终端金刚石溶液栅场效应晶体管及其制备方法、应用；其中，所述氢终端金刚石溶液栅场效应晶体管包括DNA探针、参比电极和器件本体；参比电极和器件本体用于置于缓冲液中；器件本体包括单晶金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、氢终端金刚石导电沟道、源电极、漏电极、氧终端隔离区和绝缘层；DNA探针非共价键固定于氢终端金刚石导电沟道，用于与miRNA‑24‑3p碱基互补配对。本发明提供了可用于miRNA‑24‑3p检测的氢终端金刚石溶液栅场效应晶体管，具有灵敏度高、操作简单、固定化速度快、成本低等特点，能够提升检测灵敏度、速度，可降低成本。
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公开(公告)号：CN109378312B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201811074396.9
申请日：2018-09-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/095 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L21/338 , H01L29/812
Abstract: 本发明公开了一种体掺杂金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法，包含金刚石衬底；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有体掺杂单晶外延薄膜和刻蚀区域，刻蚀区域为高肖特基势垒终端；体掺杂单晶外延薄膜上设置有沟道区域；沟道区域包括体掺杂单晶外延薄膜作为导电沟道，且为低肖特基势垒终端；源电极和漏电极处于沟道区域的两侧；源电极和漏电极之间刻蚀区域及沟道区域上设置栅电极。本发明为常关型场效应晶体管，利用体掺杂外延单晶金刚石材料作为导电沟道使用，可发挥金刚石材料耐高温、抗辐射和可在恶略环境工作等优势。
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公开(公告)号：CN110600366A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910890609.3
申请日：2019-09-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/45 , H01L29/04 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种(100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管及其制备方法，解决了p沟道结型场效应晶体管空穴迁移率低的问题。(100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管，包括设有两个沟道的n型金刚石层，n型金刚石层的表面沿水平方向依次设置有源极、n-p结和漏极，在n-p结的上方设置有栅极，源极、漏极与n型金刚石层之间均设置有欧姆电极，欧姆电极即为高导电表面。
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公开(公告)号：CN110517804A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910890608.9
申请日：2019-09-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G21H1/06 , H01L29/45 , H01L29/868 , H01L21/329
Abstract: 本发明的目的是提供一种单晶金刚石n-i-p结核动力电池及其制备方法，解决了现有金刚石肖特基结核动力电池开路电压低、输出电流小的问题，从而提升金刚石核动力电池的性能和应用前景。该一种单晶金刚石n-i-p结核动力电池，包括层叠接触设置的本征单晶金刚石衬底、n型金刚石层、i型金刚石层、p型金刚石层和p型欧姆电极；在n型金刚石层与i型金刚石层所接触的表面上，一部分接触设置i型金刚石层，其余部分接触设置n型欧姆电极；p型欧姆电极通过引线连接有，i型金刚石层通过引线连接有；还包括放射源，放射源设置于p型欧姆电极的上方，或者环绕设置于i型金刚石层的外侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109904228A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910194666.8
申请日：2019-03-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/47 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种界面电荷补偿常关型金刚石基场效应晶体管及其制备方法，包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、给电子材料层和栅电极；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；给电子材料层覆盖源极与漏极之间部分导电沟道，或者给电子材料层覆盖全部导电沟道及部分源极和部分漏极；其中，给电子材料层的费米能级高于导电沟道的费米能级；给电子材料层上设置有栅电极。本发明的常关型金刚石基场效应晶体管，不会损伤导电沟道的性能，同时能够保证器件源漏之间的电流通过能力。
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公开(公告)号：CN109378312A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811074396.9
申请日：2018-09-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/095 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L21/338 , H01L29/812
Abstract: 本发明公开了一种体掺杂金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法，包含金刚石衬底；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有体掺杂单晶外延薄膜和刻蚀区域，刻蚀区域为高肖特基势垒终端；体掺杂单晶外延薄膜上设置有沟道区域；沟道区域包括体掺杂单晶外延薄膜作为导电沟道，且为低肖特基势垒终端；源电极和漏电极处于沟道区域的两侧；源电极和漏电极之间刻蚀区域及沟道区域上设置栅电极。本发明为常关型场效应晶体管，利用体掺杂外延单晶金刚石材料作为导电沟道使用，可发挥金刚石材料耐高温、抗辐射和可在恶略环境工作等优势。
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公开(公告)号：CN108493268A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810398932.4
申请日：2018-04-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种金刚石紫外探测器三维电极结构，包括层叠设置的单晶金刚石衬底和本征单晶金刚石外延层，的金刚石外延层表面向外凸出设置有若干条相互平行的金刚石条，的金刚石外延层表面还设置有分别用于作为正极和负极的两个金属电极pad；垂直穿过的金刚石条等距间隔设置有偶数个叉指电极，按照叉指电极的排列顺序依次定义叉指电极5的编号为1、2、3、…、n，则编号为奇数的叉指电极均连接至同一个金属电极pad4上，编号为偶数的叉指电极均连接至另一个金属电极pad上。解决了采用垂直三明治电极结构时衬底和薄膜分离难、载流子收集时间长和收集效率低的问题，同时，解决采用共平面叉指电极结构时电场均匀性不佳的问题，从而提高探测器的响应度和时间响应性能。
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公开(公告)号：CN108321271A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810182721.7
申请日：2018-03-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种准垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED及其制作方法，其中，一种准垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底和p型硼高掺杂金刚石层，p型硼高掺杂金刚石层上方依次设置有i型碳化硅层、n型磷高掺杂金刚石层、欧姆接触电极和保护金属层，p型硼高掺杂金刚石层上方还依次设置有欧姆接触电极和保护金属层，解决了金刚石LED发光效率问题。
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公开(公告)号：CN108321262A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810183927.1
申请日：2018-03-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED及其制作方法，垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底、p型硼高掺杂金刚石层、i型碳化硅层和n型磷高掺杂金刚石层，单晶金刚石衬底向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层，n型磷高掺杂金刚石层向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层，解决了金刚石LED发光效率问题。
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