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公开(公告)号：CN108761602A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810494570.9
申请日：2018-05-22
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于信息光学领域，涉及一种全息光栅光刻系统中干涉光路自准直的调节方法，为解决制作平行等间距条纹全息光栅时曝光光束平行度差的技术问题，在准直透镜的后方放置体布拉格光栅，曝光光束入射至体布拉格光栅的入射角等于所述体布拉格光栅的布拉格角，在曝光光束入射至体布拉格光栅后的‑1级透射衍射光路上放置光电探测器；沿着光轴前后移动针孔滤波器，实时观察光电探测器的读数，当光电探测器的读数最大时，固定针孔滤波器并且保持第一针孔滤波器与第一准直透镜间距恒定；本发明提出了一种自准直光路的调节方法，用体布拉格光栅来检测自准直光的平行度，代替传统的莫尔条纹调节方法，操作简单，具有很强的实用价值。
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公开(公告)号：CN108318954A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810312061.X
申请日：2018-04-09
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明属于信息光学领域，涉及一种宽光束扫描曝光系统与方法，为解决制作米级光栅曝光时间过长引起的时效性差以及环境不确定性导致扫描条纹对比度下降问题，采用干涉条纹扫描技术无缝连续拼接光栅；在扫描曝光过程中，运用多维条纹锁定技术，始终以扫描曝光过的潜像光栅的潜像条纹作为锁定条纹，直至扫描曝光结束；在移动曝光中实现了实时闭环的锁定第一曝光光束与第二曝光光束的相位差，条纹周期、以及第一曝光光束与第二曝光光束夹角，从而在一个扫描周期即可获得高质量的且受环境因素影响小的无缝拼接米级光栅；光束整形压缩柱面系统的使用有效增加了光束的利用率，同时保证光束的波面质量，大大缩短了米量级光栅的制备时间。
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公开(公告)号：CN103941319B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410154633.8
申请日：2014-04-17
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种全息凹面闪耀光栅的母板及其制备方法，制作步骤如下：（1）制备全息凹面光栅掩模；（2）在全息凹面光栅掩模上沉积金属层；（3）在所述金属层上涂布粘合剂；（4）将与凸模连接的金属层和所述全息凹面光栅掩模分离，清洗，获得凸面金属光栅掩模；（5）测量所述凸面金属光栅掩模的栅齿结构，获得栅齿占空比信息；采用电铸或镀膜的方式以及化学腐蚀或离子刻蚀的方式调节栅齿的占空比；（6）采用离子束刻蚀凸面金属光栅掩模，使凸面金属光栅掩模转变成三角形闪耀结构，得到全息凹面闪耀光栅的母板。本发明将凹面光栅掩模结构转移到凸面金属层上，金属层柔韧性好，光栅槽型结构转移精度高，不易开裂变形，耐用性好。
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公开(公告)号：CN104155709A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410414212.4
申请日：2014-08-21
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明公开了一种透射式脉冲压缩光栅器件及其制备方法，所述器件包括熔融石英基板，设置在所述熔融石英基板的一个光学表面上的透射式脉冲压缩光栅，其特征在于：在所述熔融石英基板的另一个相对的光学表面上设有高频增透光栅微结构。采用全息光刻结合离子刻蚀转移的方法实现器件的制备。本发明通过一个器件可以同时实现光束色散和增透，提高了透射式脉冲压缩光栅激光损伤阈值和光能利用率，在超强超快激光领域具有重要应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101546001B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910031556.6
申请日：2009-04-23
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明公开了一种无缝拼接大面积全息光栅的制备方法，利用第一参考光栅在干涉记录光场中的光学特性实时检测干涉记录光场与已记录主光栅部分之间位相和倾斜，利用第二参考光栅实时检测主光栅的位置，以实现光栅准确的无缝拼接。本发明创造性地提出了设置两个参考光栅的技术方案，通过第一参考光栅实现左、右两侧的调整，通过第二参考光栅解决移除第一参考光栅时造成的影响，从而实现了大面积全息光栅的无缝拼接，保证了衍射光栅线条的等距和平直性精度要求。
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公开(公告)号：CN101315440B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200810023116.1
申请日：2008-07-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种248纳米波段的零级抑制相位掩模，主要由石英基片以及设置在石基基片一侧表面的槽形结构的光栅构成，其特征在于：所述相位掩模的光栅周期为1050nm～1090nm，槽形深度为240～260nm，所述光栅的每一凸起结构的截面形状为上窄下宽的梯形，梯形的顶部占宽比为0.40～0.46，梯形角为5～13度。本发明的相位掩模，实现了透射248纳米波段激光的零级抑制，相位掩模的零级透过率可以被抑制在2％以内；±1级透射衍射效率高于36％，且与入射光的偏振状态无关。
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公开(公告)号：CN101726779A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910231737.3
申请日：2009-12-03
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种制作全息双闪耀光栅的方法，其特征在于，包括下列步骤：(1)在光栅基片上涂布光刻胶；(2)进行第一次干涉光刻，制作符合A闪耀角要求的光刻胶光栅掩模；(3)对于A光栅区的光栅掩模，通过倾斜Ar离子束扫描刻蚀，形成三角形的闪耀光栅槽形；清洗基片；(4)重新涂布光刻胶；(5)将B光栅区进行遮挡，利用已制备完成的A光栅区进行莫尔条纹对准，然后去除遮挡，进行第二次干涉光刻，制作符合B闪耀角要求的光刻胶光栅掩模；(6)通过倾斜Ar离子束扫描刻蚀，将B光栅区刻蚀形成三角形的闪耀光栅槽形；(7)清洗基片，得到全息双闪耀光栅。本发明实现了全息双闪耀光栅的制作，能够精确地分别控制两个闪耀角。
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公开(公告)号：CN101393303A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810156771.4
申请日：2008-09-26
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种制作近红外波段三维光子晶体的方法，利用全息干涉形成一维光子晶体掩模，通过离子束刻蚀或反应离子束刻蚀把掩模转移到硅基底材料上的SiO2层上，在刻蚀过的沟槽里填入高折射率材料，用离子束刻蚀法抛光表面，接着再沉积上SiO2，涂布光刻胶、全息光刻、离子束刻蚀等形成第二层，重复以上步聚，层与层之间采用莫尔条纹法对准，最后使用酸洗法去除SiO2，获得所需的三维光子晶体。本发明充分利用了全息光刻的亚微米分辨率，可以制作大面积的三维光子晶体，之后可根据需要切割成小块，具有高效低成本的优势；同时，在干涉场中，通过改变两束相干光的波前，便于引入大面积、周期性的缺陷。
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