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公开(公告)号:CN119422465A
公开(公告)日:2025-02-11
申请号:CN202380051639.X
申请日:2023-07-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为一种LED安装基板的制造方法,具有利用碱性清洗液对通过激光剥离而自蓝宝石基板上移载至受体基板上的LED芯片进行清洗的工序。由此,提供一种能够选择性地将通过激光剥离而自蓝宝石基板上移载至受体基板上的LED芯片上所附着的金属Ga在不会使其他金属溶解、改性的情况下去除来制造LED安装基板的LED安装基板的制造方法;能够用于其的清洗液;以及选择性地将LED芯片上所附着的镓在不会使其他金属溶解、改性的情况下去除的清洗方法;及自表面具有镓与镓以外的金属的零件中在不会使镓以外的金属溶解、改性的情况下选择性地将镓去除的清洗方法。
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公开(公告)号:CN118103964A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202280068301.0
申请日:2022-10-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/52 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种在使用压模进行移载时可提高移载对象物的拾取成功率的受体基板、所述受体基板的制造方法、以及使用所述受体基板的移载方法及LED面板的制造方法。一种受体基板,配置有使用压模向其他基板移载的多个移载对象物,所述受体基板具有多个配置有通过利用所述压模进行的一次移载动作而同时移载的一组所述移载对象物的分区,在所述分区外具有未配置所述移载对象物的非配置区域,所述多个分区分别被所述非配置区域包围。
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公开(公告)号:CN108666224B
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN201810254959.6
申请日:2018-03-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供了半导体器件,其包括支撑体、粘合树脂层、绝缘层、重布线层、芯片层和模塑树脂层。粘合树脂层树脂层(A)和树脂层(B)组成,所述树脂层(A)包含在其主链中含有稠环的光分解性树脂,所述树脂层(B)包含非有机硅系热塑性树脂并且具有在25℃为1‑500MPa的储能弹性模量E’和5至50MPa的拉伸断裂强度。所述半导体器件易于制造并且具有耐热加工性,容易分离所述支撑体并且有效地生产半导体封装。
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公开(公告)号:CN110176432B
公开(公告)日:2023-06-20
申请号:CN201910491197.6
申请日:2015-03-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L23/538 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/768 , H01L25/03 , H01L25/065 , H01L25/10 , H01L21/02 , H01L21/48 , H01L21/56 , B23K1/00 , B29C70/78 , B29C70/88 , C23C14/04 , C23C14/34 , C23C14/58 , C25D3/60 , C25D5/02 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D5/54 , C25D7/00 , C25D7/12 , H05K1/11 , H05K3/28 , H05K3/34 , H05K3/40
Abstract: 本发明是一种半导体装置,其具有半导体元件和与半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘和金属配线,金属配线与贯穿电极和焊料凸块电连接,其中,所述半导体装置,具有载置有半导体元件的第一绝缘层、形成于半导体元件上的第二绝缘层以及形成于第二绝缘层上的第三绝缘层;金属配线,在第二绝缘层的上表面,通过半导体元件上金属焊盘而与半导体元件电连接,并且自第二绝缘层的上表面贯穿第二绝缘层并在第二绝缘层的下表面与贯穿电极电连接;并且,在第一绝缘层与半导体元件之间配置有半导体元件下金属配线,半导体元件下金属配线,在第二绝缘层的下表面与金属配线电连接。据此,提供一种半导体装置,容易载置于配线基板上和积层半导体装置,即便在金属配线的密度较大的情况下,也可以抑制半导体装置翘曲。
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公开(公告)号:CN108107676B
公开(公告)日:2023-02-21
申请号:CN201711186205.3
申请日:2017-11-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂膜层叠体和图案形成方法。提供层叠体,其包括热塑性膜和其上的化学增幅正型抗蚀剂膜,该抗蚀剂膜包含:(A)具有羟基苯基和保护基团的基础聚合物,该聚合物由于在酸的作用下保护基团被除去而变为碱可溶,(B)光致产酸剂,(C)有机溶剂,和(D)在其主链中具有酯键的聚合物。该抗蚀剂膜可被转印至台阶形支承体而不形成空隙。
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公开(公告)号:CN109422881B
公开(公告)日:2022-04-19
申请号:CN201810998756.8
申请日:2018-08-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G77/388 , G03F7/004 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供含环氧基的异氰脲酸酯改性有机硅树脂、光敏树脂组合物、光敏干膜、层叠体和图案形成方法。一种包含在分子中含有环氧基的异氰脲酸酯改性的有机硅树脂的光敏树脂组合物,其易于形成具有高透明性、耐光性和耐热性的树脂涂层,适应微加工,并且对于光学器件的保护和封装应用而言是有用的。涂层可以以厚膜形式加工,以限定具有精细尺寸和垂直度的图案,并且变成固化涂层,该固化涂层具有改进的对基底、电子部件、半导体器件和电路板支撑件的粘附性、机械性能、电绝缘性和抗开裂性,且作为绝缘保护膜是可靠的。
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公开(公告)号:CN108384005B
公开(公告)日:2022-03-08
申请号:CN201810104003.8
申请日:2018-02-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G73/22 , C08G77/452
Abstract: 本发明为有机硅改性的聚苯并噁唑树脂和制备方法。通过加成聚合制备包括式(1a)和(1b)的重复单元的有机硅改性的聚苯并噁唑树脂。R1至R4为C1‑C8一价烃基,m和n为0‑300的整数,R5为C1‑C8亚烷基或亚苯基,a和b为小于1的正数,a+b=1,X1为式(2)的二价连接基。所述树脂是柔性的,可溶于有机溶剂并且易于使用。
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公开(公告)号:CN108656662B
公开(公告)日:2021-09-14
申请号:CN201810254962.8
申请日:2018-03-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供层合体,其包括支撑体、树脂层、金属层、绝缘层和重布线层。树脂层包含具有遮光性质的光分解性树脂并且具有至多20%的对于波长355nm的光透射率。所述层合体易于制造并且具有耐热加工性,容易分离所述支撑体,并且有效生产半导体封装体。
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公开(公告)号:CN109422881A
公开(公告)日:2019-03-05
申请号:CN201810998756.8
申请日:2018-08-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G77/388 , G03F7/004 , H01L21/02
CPC classification number: G03F7/0757 , C08G59/306 , C08G77/52 , C08K5/005 , C08L61/28 , C08L63/00 , C08L83/04 , C09D183/14 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/47 , C08K5/375 , C08K5/1515 , C08G77/388 , G03F7/004 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供含环氧基的异氰脲酸酯改性有机硅树脂、光敏树脂组合物、光敏干膜、层叠体和图案形成方法。一种包含在分子中含有环氧基的异氰脲酸酯改性的有机硅树脂的光敏树脂组合物,其易于形成具有高透明性、耐光性和耐热性的树脂涂层,适应微加工,并且对于光学器件的保护和封装应用而言是有用的。涂层可以以厚膜形式加工,以限定具有精细尺寸和垂直度的图案,并且变成固化涂层,该固化涂层具有改进的对基底、电子部件、半导体器件和电路板支撑件的粘附性、机械性能、电绝缘性和抗开裂性,且作为绝缘保护膜是可靠的。
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公开(公告)号:CN106415823B
公开(公告)日:2019-03-05
申请号:CN201580018117.5
申请日:2015-03-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L23/12 , C25D5/02 , C25D7/00 , H01L21/312 , H01L23/52 , H01L25/10 , H01L25/11 , H01L25/18 , H05K1/11 , H05K3/00 , H05K3/28 , H05K3/40
Abstract: 本发明是一种半导体装置,其具有半导体元件以及与半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘和金属配线,金属配线与贯穿电极和焊料凸块电连接,其中,所述半导体装置,具有载置有半导体元件的第一绝缘层、形成于半导体元件上的第二绝缘层以及形成于第二绝缘层上的第三绝缘层;金属配线,在第二绝缘层的上表面,通过半导体元件上金属焊盘而与半导体元件电连接,且自第二绝缘层的上表面贯穿第二绝缘层并在第二绝缘层的下表面与贯穿电极电连接。据此,提供一种半导体装置,容易载置于配线基板上和积层半导体装置,即便在金属配线的密度较大的情况下,也可以抑制半导体装置翘曲。
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