-
公开(公告)号:CN1664957A
公开(公告)日:2005-09-07
申请号:CN200510052645.0
申请日:2005-03-07
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C7/00
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/009 , G11C2213/34 , G11C2213/79
Abstract: 通过在写操作到选定的存储单元中时设置特定的条件,能够容易而准确地进行读数据操作。存储单元有这样的结构,在此结构中电极间材料层夹在第一电极和第二电极之间。通过改变第一电极和第二电极之间的电阻值来存储数据。将在高电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_high;将在低电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_low1;负载电路的电阻值表述为R_load;将第二电源线的电压设置为基准电压,读电压表述为Vread;阈电压表述为Vth_critical。在将数据写到存储单元中时,由于产生了低电阻状态,因此这些参数满足特定的关系。用与存储单元的存储元件有相同结构的元件来构成负载电路。
-
公开(公告)号:CN1202521C
公开(公告)日:2005-05-18
申请号:CN00801781.6
申请日:2000-07-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/24 , G11B7/0045 , G11B7/005
CPC classification number: G11B23/281 , G11B7/00455 , G11B7/007 , G11B7/24 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B20/00086 , G11B20/00123 , G11B20/00173 , G11B20/0021 , G11B20/00594 , G11B20/00601 , G11B20/00884
Abstract: 本发明提供一种光记录媒体、光记录方法、光再生方法、光记录装置、光再生装置及光记录再生装置。该光记录媒体,具有备有反射膜的信息层,该反射膜在基板上形成了承载信息的至少沿厚度方向或光轨道宽度方向两方向中的某一方向改变物理形状而构成的信息记录部,该反射膜采用热记录方法,构成为当再生光的未记录状态的反射率为R0、记录状态的反射率为R1时,0.5%≤(|R0-R1|/R0)×100%≤17%。该光记录媒体能廉价地制造而且能进行追加记录。
-
公开(公告)号:CN1181483C
公开(公告)日:2004-12-22
申请号:CN99802484.8
申请日:1999-01-29
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 荒谷胜久
IPC: G11B11/10
CPC classification number: G11B11/10593 , G11B11/10515 , Y10T428/24942
Abstract: 提供一种磁光记录介质和信号重放方法。其中,以至少由三个磁性层构成的多层磁性膜作为记录层。在重放光移动方向的前方,重放光照射侧的磁性层的畴壁向光点的中心移动,因此记录磁畴扩大,而在重放光移动方向的后方,重放光照射侧的磁性层畴壁的移动得到抑制。为了抑制重放光照射侧的磁性层畴壁的移动,例如,可在移位层和交换层之间插入具有预定特性的磁性层。
-
公开(公告)号:CN1397946A
公开(公告)日:2003-02-19
申请号:CN02107145.4
申请日:1996-04-11
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/242 , G11B7/005 , G11B7/08511 , G11B7/127 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/244 , G11B7/2531 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , Y10S428/913 , Y10S430/146 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明为一种多层光盘,具有一个使用通用重放装置,如CD唱机也能被重放的信息存储层并且使用一个专用重放装置能从其他信息存储层读取信息。根据本发明具有多个信息存储层的多层光盘包括多个信息存储层,其中多个信息存储层的其中之一对于重放光束的第一波长770nm至830nm的反射因数为70%或更高,而其他的信息存储层由具有与重放光束的第一波长不同的第二波长的重放光束重放。
-
公开(公告)号:CN1289437A
公开(公告)日:2001-03-28
申请号:CN99802484.8
申请日:1999-01-29
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 荒谷胜久
IPC: G11B11/10
CPC classification number: G11B11/10593 , G11B11/10515 , Y10T428/24942
Abstract: 一种磁光记录介质,以至少由三个磁性层构成的多层磁性膜作为记录层。在重放光移动方向的前方,重放光照射侧的磁性层的畴壁向光点的中心移动,因此记录磁畴扩大,而在重放光移动方向的后方,重放光照射侧的磁性层畴壁的移动得到抑制。为了抑制重放光照射侧的磁性层畴壁的移动,例如,可在移位层和交换层之间插入具有预定特性的磁性层。
-
-
-
-