存储设备
    41.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1664957A

    公开(公告)日:2005-09-07

    申请号:CN200510052645.0

    申请日:2005-03-07

    Abstract: 通过在写操作到选定的存储单元中时设置特定的条件,能够容易而准确地进行读数据操作。存储单元有这样的结构,在此结构中电极间材料层夹在第一电极和第二电极之间。通过改变第一电极和第二电极之间的电阻值来存储数据。将在高电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_high;将在低电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_low1;负载电路的电阻值表述为R_load;将第二电源线的电压设置为基准电压,读电压表述为Vread;阈电压表述为Vth_critical。在将数据写到存储单元中时,由于产生了低电阻状态,因此这些参数满足特定的关系。用与存储单元的存储元件有相同结构的元件来构成负载电路。

    磁光记录介质
    43.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1181483C

    公开(公告)日:2004-12-22

    申请号:CN99802484.8

    申请日:1999-01-29

    Inventor: 荒谷胜久

    CPC classification number: G11B11/10593 G11B11/10515 Y10T428/24942

    Abstract: 提供一种磁光记录介质和信号重放方法。其中,以至少由三个磁性层构成的多层磁性膜作为记录层。在重放光移动方向的前方,重放光照射侧的磁性层的畴壁向光点的中心移动,因此记录磁畴扩大,而在重放光移动方向的后方,重放光照射侧的磁性层畴壁的移动得到抑制。为了抑制重放光照射侧的磁性层畴壁的移动,例如,可在移位层和交换层之间插入具有预定特性的磁性层。

    磁光记录介质
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1289437A

    公开(公告)日:2001-03-28

    申请号:CN99802484.8

    申请日:1999-01-29

    Inventor: 荒谷胜久

    CPC classification number: G11B11/10593 G11B11/10515 Y10T428/24942

    Abstract: 一种磁光记录介质,以至少由三个磁性层构成的多层磁性膜作为记录层。在重放光移动方向的前方,重放光照射侧的磁性层的畴壁向光点的中心移动,因此记录磁畴扩大,而在重放光移动方向的后方,重放光照射侧的磁性层畴壁的移动得到抑制。为了抑制重放光照射侧的磁性层畴壁的移动,例如,可在移位层和交换层之间插入具有预定特性的磁性层。

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