一种具有高功率放大系数的三极发光管及其制备方法

    公开(公告)号:CN111834506A

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN202010536751.0

    申请日:2020-06-12

    Abstract: 本发明涉及一种具有高功率放大系数的三极发光管及其制备方法,包括缓冲层、第一半导体层至第四半导体层、第一至第三接触电极、发光层以及非导电层;第一至第三半导体层、发光层以及第四半导体层从下自上依次堆叠于缓冲层之上;其中,第一半导体层与第二半导体层均具有台面结构;第一接触电极设置于第一半导体层的台面上,并与其形成欧姆接触;第二接触电极设置于第二半导体层的台面上,并与其形成欧姆接触;第三接触电极设置于第四半导体层上,并与其形成欧姆接触;第一半导体层与第二半导体层的台面之间设置有非导电层。本发明可以起到对输入信号的功率放大作用,具有较大的放大系数,可实现用小功率输入信号驱动半导体发光。

    一种三极发光管外延结构及三极发光芯片

    公开(公告)号:CN111834502A

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN202010535446.X

    申请日:2020-06-12

    Abstract: 本发明涉及一种三极发光管外延结构及三极发光芯片,包括衬底、缓冲层和半导体层;所述半导体层包括依次堆叠的第一半导体层、第二半导体层、第三型半导体层、发光层、第四半导体层;还包括从第一半导体层引出的第一接触电极、从第二半导体层引出的第二接触电极和从第四半导体层引出的透明第三接触电极。所述三极发光管工作时,在第一接触电极和第二接触电极之间施加一个小功率信号,在第一接触电极和第三接触电极之间施加一个同极性的固定大电压,可以是使得三极发光管芯片发光。本发明可以起到对输入信号的功率放大作用,实现用小功率输入信号驱动半导体发光,可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度,提高显示装置的集成度。

    一种μLED显示器件检测及修复方法

    公开(公告)号:CN111834389A

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN202010535556.6

    申请日:2020-06-12

    Abstract: 本发明涉及一种μLED显示器件检测及修复方法,μLED显示器件阵列设置k个μLED像素,每个像素包含ni个芯片,以形成至少mi个发光体;μLED显示器件检测及修复包括以下步骤:S1)采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对芯片进行驱动发光;S2)通过逐点扫描或拍摄处理发光图片获得不良像素的行列地址;S3)根据不良像素的行列地址进行寻址,采用非Au-In互连方法在相应位置的芯片电极的备用区域与驱动背板对应电极的备用区域进行原位修复;S4)重复S1-S3,直至良品率达到预期良率。该方法降低了μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本,提高了μLED显示器件的良品率。

    一种μLED像素单元结构及显示器件

    公开(公告)号:CN111798764A

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN202010535535.4

    申请日:2020-06-12

    Abstract: 本发明涉及一种μLED像素单元结构及显示器件,μLED显示器件在驱动背板上阵列设置有k个μLED像素单元,每个μLED像素单元包含ni个μLED芯片,以形成至少mi个μLED发光体;μLED芯片电极的设置方式包括两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧以及两个电极设置于μLED芯片的同一侧,μLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和互连失效后用于修复连接的备用区域,μLED芯片电极与驱动背板电极采用Au-In键合、非Au-In互连或Au-In键合和非Au-In互连复合的方式互连。本发明可以有效降低μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本,并提高μLED显示器件的良品率。

    一种彩色μLED发光显示器件

    公开(公告)号:CN110556459A

    公开(公告)日:2019-12-10

    申请号:CN201910982269.7

    申请日:2019-10-16

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种彩色μLED发光显示器件,其特征在于:包括从上到下依次设置的上驱动电极基板、上驱动电极,μLED晶粒、下驱动电极和下驱动电极基板;所述μLED晶粒由至少2种不同颜色的发光层堆叠而成,不同颜色发光层之间设置有载流子阻挡层;所述μLED晶粒均匀放置于上、下驱动电极之间;所述上下驱动电极均连接于交流控制模块,所述交流控制模块提供交变驱动信号,通过电磁耦合实现对μLED晶粒的点亮;且通过控制交变驱动信号的电压和频率大小来控制载流子在不同发光层进行复合,发出不同颜色光,实现彩色μLED发光显示。本发明实现非直接电学接触和电压调控颜色方法,可免去巨量转移和色彩转化工艺,有效地降低工艺成本。

    一种MicroLED的巨量转移装置及转移方法

    公开(公告)号:CN107910413B

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201711162098.0

    申请日:2017-11-21

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明提出一种MicroLED的巨量转移方法,包括以下步骤;S1、按上下沿非对称的MicroLED的俯视向形状,选用对应的装载模具,所述模具的装载面处密集布设用于嵌入MicroLED的装载槽;装载槽的俯视向形状与MicroLED的俯视向形状匹配;S2、固定装载模具,在装载模具处连接震荡源,在装载模具侧设置吹风装置;把MicroLED批量倾倒在装载面上;S3、启动震荡源和吹风装置;使MicroLED在震荡力或风力作用下落入装载槽;S4、以风力将装载面处未落入装载槽的MicroLED吹出装载面;所述转移方法在步骤S4后,还依次包括以下步骤;S5、以光检器件或红外检测器件对装载面进行检测,判断未嵌入MicroLED的装载槽位置;S6、以机械手向空置的装载槽内填入MicroLED;本发明工艺简单,良率高,成本低。

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