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公开(公告)号:CN107352507A
公开(公告)日:2017-11-17
申请号:CN201710537216.5
申请日:2017-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: Y02E60/36 , C01B3/08 , B22F9/04 , B22F9/24 , B22F2009/043
Abstract: 本发明公开了一种Al-InCl3-(Ni-Bi-B)铝基复合制氢材料的制备方法,该材料由铝粉和添加物经机械球磨混合而成。添加物由为InCl3和Ni-Bi-B合金;其中,Ni-Bi-B合金是由NiCl2.6H2O和BiCl3溶解于溶剂后,加入NaBH4,通过化学还原法制得。所述铝基复合制氢材料制备方法包括:1)Ni-Bi-B合金的制备与干燥;2)按比例分别称取铝粉、InCl3和Ni-Bi-B加入球磨罐中,再按球料比,加入磨球,密封,罐中充入氩气保护;3)将球磨罐放入球磨机球磨,设定球磨转速,球磨时间;最后取出所制得的铝基复合材料。本发明具有以下优点:1、在中性溶液和室温的条件下,产氢量能达到1196.8mL/g,产氢率达到100%;2、成本低廉,工艺简单,是一种高效的制氢方法,且便于携带,能够随时制氢供氢,未来的发展及应用前景广阔。
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公开(公告)号:CN106603013A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201611094284.0
申请日:2016-12-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/14
Abstract: 本发明公开一种CMOS互补结构的混频器电路,包括:四个跨导输入级以及本振脉冲整形级;当VLO+、VLO‑为高、低电平时,第一、第二跨导输入级接收VRF+、VRF‑电压信号,将差分射频电压信号放大后传递到VIF+、VIF‑端口;当VLO+、VLO‑电平翻转后,差分信号从VRF+和VRF‑端口分别经过第四、第三输入跨导级放大后传递到VIF‑、VIF+端口;本振脉冲整形级将单端正弦本振信号整形为差分矩形本振信号,等效地降低了对正弦本振信号功率的要求,缓解了本振端口隔离度的设计压力;跨导输入级采用CMOS互补结构,获得电流复用的效果,降低功耗;并可获得二阶非线性的补偿效果,降低二阶互作用扭曲的影响。
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公开(公告)号:CN201508942U
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200920199310.5
申请日:2009-10-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Inventor: 陈俊
IPC: H01R13/44 , H01R13/447
Abstract: 本实用新型涉及一种结构简单、外形美观、使用安全的模块化防触电插座,它包括插座及橡胶垫,所述插口位于插座顶端的凹槽内,且凹槽的侧壁内设有弹簧,所述橡胶垫上设有插头、侧面设有凸台。优点:一是结构简单;二是橡胶垫的外形类似笑脸,外形美观;三是使用安全。
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