公开(公告)号：CN1889266A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200610021450.4

申请日：2006-07-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李平 ,  阮爱武 ,  胡滨

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/532 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 耐高温单片集成微传感器结构及系统集成方法，涉及集成电路技术，特别涉及单片集成微传感器技术。本发明的耐高温单片集成微传感器结构，包括IC层和微结构层，采用耐熔金属硅化物或者耐熔金属硅化物作为互连线。本发明的有益效果是，克服了微传感器系统在单片集成时温度方面的限制，提高了集成电路的空间利用率和可靠性，实现了整个系统小型化、实用化。并且生成成本低，与现有的生成线兼容。