公开(公告)号：CN116396068A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310284691.1

申请日：2023-03-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 蒋晓娜 ,  龚莹 ,  余忠 ,  孙科 ,  兰中文 ,  邬传健 ,  李启帆

IPC: C04B35/26

Abstract: K～Ka波段自偏置环行器铁氧体基板材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域，本发明的基板材料包括主料和掺杂剂，所述主料包括：0～11.3％BaCO3、2.7％～11.6％SrCO3、3.12％La2O3和80.27％～83.5％Fe2O3，其余为CuO原料；以主料的质量为参照基准，按重量百分比，以氧化物计算，掺杂剂包括：1～2wt％CuO、1～2.5wt％Bi2O3和0.2～1.5wt％SiO2。本发明采用离子取代、湿法磁场成型等技术，获得了高剩磁比、较高磁晶各向异性场、高矫顽力、低共振线宽的M型钡锶铁氧体基板，可满足K～Ka波段铁氧体自偏置环行器的性能要求。

公开(公告)号：CN114907106B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202210324651.0

申请日：2022-03-30

Applicant: 电子科技大学 ,  乳源东阳光磁性材料有限公司

Inventor： 余忠 ,  易耀华 ,  王东明 ,  邬传健 ,  张凯 ,  孙科 ,  刘培元 ,  兰中文 ,  蒋晓娜 ,  余勇

IPC: C04B35/38 ,  C04B35/622 ,  H01F1/34

Abstract: 高机械强度宽温宽频MnZn功率铁氧体的制备方法，涉及铁氧体材料制备技术领域。本发明包括以下步骤：(1)BaTiO3(BTO)基PTC介电陶瓷粉体粉体制备；(2)MnZn铁氧体预烧料制备；(3)掺杂处理：以步骤2)获得的MnZn功率铁氧体预烧料为重量参照基准，按预烧料重量百分比加入以下添加剂：0.02～0.08wt％CaCO3、0.01～0.05wt％Nb2O5、0.01～0.05wt％ZrO2、0.3～0.5wt％Co2O3、0.01～0.05wt％MoO3和0.001～0.012wt％BTO基PTC介电陶瓷粉体，将以上粉料二次球磨；(4)样品成型；(5)烧结。采用本发明技术制备的材料具有优异的机械强度，提高了电子系统的可靠性。

公开(公告)号：CN114640322B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202210305142.3

申请日：2022-03-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  杨欣航 ,  刘娅 ,  邬传健 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: H03H3/04

Abstract: 一种调控FBAR滤波器中心频率的方法，属于滤波器制备技术领域。包括调频层的制备、调频层的图形化、一次调频、隔离层的制备、隔离层的图形化和二次调频过程。本发明提供的一种调控FBAR滤波器中心频率的方法，在调频层上沉积ScAlN薄膜作为隔离层，ScAlN不与显影液反应，能够解决FBAR滤波器在显影时产生的调频层腐蚀问题，可有效避免滤波器的频率偏移；同时，AlN调频层作为ScAlN薄膜生长的基底，可以同时充当溅射时的种子层，有利于提高ScAlN薄膜的择优取向，提高成膜质量。

公开(公告)号：CN115340373B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210837298.6

申请日：2022-07-15

Applicant: 电子科技大学 ,  四川京都龙泰科技有限公司

Inventor： 邬传健 ,  钟雷 ,  余忠 ,  唐明星 ,  李启帆 ,  李元兴 ,  孙科 ,  赵廷伟 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  H01F1/10 ,  H01F41/02

Abstract: 一种基于低纯度铁精矿原料体系的六角铁氧体材料制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明基于低纯度铁精矿原料体系的六角铁氧体材料制备方法，采用低纯度铁精矿粉(Fe2O3≥98.5％，SiO2≤0.58％，Al2O3≤0.36％，平均粒径≤10μm)为原料，无需进一步氧化提纯，实现铁矿资源的高效利用；无需大量使用La、Co等稀土或价格较高的金属原料，大幅降低成本，且绿色环保；制得的六角铁氧体材料具有高剩磁和矫顽力，可应用在永磁微特电机中的磁瓦部分，且兼具高的各向异性场和铁磁共振频率等特性，在高频微波器件中同样具有很大的应用潜力。

公开(公告)号：CN115477534A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202211287491.3

申请日：2022-10-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 邬传健 ,  王武 ,  余忠 ,  孙科 ,  李启帆 ,  蒋晓娜 ,  兰中文 ,  李翱

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  H01F1/03 ,  H01F41/02

Abstract: 一种Ku波段自偏置器件用双相复合铁氧体材料，属于铁氧体材料制备技术领域。所述双相复合铁氧体材料包括SrM铁氧体、NiCuZn铁氧体和掺杂剂；SrM铁氧体的组分为：SrCO3、CaCO3、La2O3、Co2O3、Fe2O3，NiCuZn铁氧体的组分为：NiO、3～8mol％CuO、ZnO、Fe2O3，NiCuZn铁氧体与SrM铁氧体的重量比为1：(0.11～9)；掺杂剂占复合铁氧体材料的重量百分比为：SiO2、H3BO3、CaCO3、CuO、ISOBAM、C36H70O4Zn。本发明双相复合铁氧体材料兼具适宜各向异性场、高矫顽力和剩磁比、低铁磁共振线宽特性，适用于Ku波段自偏置器件设计。

公开(公告)号：CN112979301B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202110210661.7

申请日：2021-02-25

Applicant: 电子科技大学 ,  江西尚朋电子科技有限公司

Inventor： 余忠 ,  王宏 ,  吴国华 ,  孙科 ,  窦海之 ,  邬传健 ,  兰中文 ,  蒋晓娜

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明是提供一种高频高温低损耗MnZn功率铁氧体材料及其制备方法，其是由主原料和掺杂助剂混合制成，主要针对高频MnZn功率铁氧体材料在高温下难以保持低损耗的技术问题，提供一种高频高温超低损耗MnZn功率铁氧体材料及其制备方法，从而有效降低开关损耗，提高能效，实现环保节能功效。

公开(公告)号：CN114573334A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210270002.7

申请日：2022-03-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  倪鹤年 ,  邬传健 ,  孙科 ,  兰中文 ,  蒋晓娜

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  H01F41/02

Abstract: 一种高功率高居里温度低线宽石榴石铁氧体，属于铁氧体材料制备技术领域。所述石榴石铁氧体包括主配方和添加剂，主配方为Y3‑x‑z‑tGdx‑yDyzCatInwGetFe5‑w‑t‑δO12‑1.5δ‑1.5y，0.01≤t≤2.00，0≤w≤1.00，0.02≤x≤2.00，0.05≤y≤0.8，0.01≤z≤0.3，0≤δ≤0.6；添加剂占主配方的重量百分比为：0.02～0.30wt％Bi2O3、0.02～0.30wt％BaTiO3。本发明通过减少主配方中的Gd3+含量，在24c位引入空位，得到了兼具高功率、低铁磁共振线宽ΔH以及高居里温度Tc的石榴石铁氧体。

公开(公告)号：CN111211399B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202010143452.0

申请日：2020-03-04

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  赵振民 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  邬传健 ,  兰中文

IPC: H01Q1/22 ,  H01Q1/36 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/50

Abstract: 一种共形于石油管套壁的抗金属超高频电子标签天线，涉及超高频射频识别技术领域。所述超高频电子标签天线为半环形结构，紧贴于石油管套壁之上，包括介质基板，位于介质基板上表面的贴片结构和标签芯片，位于介质基板下表面的金属底板；所述贴片结构为轴对称结构，包括半环形的辐射体和带开口的馈电环，所述辐射体的左侧和右侧设置数量相同的多个矩形槽，所述带开口的馈电环位于贴片结构的中间位置，所述标签芯片位于馈电环的开口位置，所述金属底板完全覆盖介质基板下表面。本发明超高频电子标签天线具有良好的抗金属特性，加工简单，成本低廉，增益高，可读距离远，带宽较大，可以很好地应用于设计频段。

公开(公告)号：CN113088894A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110324972.6

申请日：2021-03-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 孙科 ,  张婧 ,  何宗胜 ,  邬传健 ,  余忠 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: C23C14/32 ,  C23C14/54

Abstract: 一种利用应力诱导提高软磁薄膜应用频率的制备方法，属于薄膜制备技术领域。包括：1)清洗柔性衬底；2)清洗后的柔性衬底放入高真空电子束蒸发系统，柔性衬底弯曲后固定在样品架上；3)抽真空，开始预熔料，电子枪的电流为30～40mA，电压为10kV，时间为4～5min；预熔料结束后，蒸镀速率为0.1～0.7nm/s，在弯曲的柔性衬底上沉积软磁薄膜。本发明制得的软磁薄膜，当柔性衬底由凹形(凸形)变为平整时，会在薄膜中引入张应力(压应力)，与未引入应力相比，由于磁致伸缩效应，软磁薄膜表现出明显的磁各向异性，使得薄膜的应用频率提高至1GHz以上，并同时保持较高的磁导率(μ′100MHz>1000)。

公开(公告)号：CN113088893A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110324953.3

申请日：2021-03-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 孙科 ,  张婧 ,  何宗胜 ,  余忠 ,  邬传健 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/14 ,  H01F41/20

Abstract: 一种提高NiFe薄膜应用频率的制备方法，属于薄膜制备技术领域。包括：1)清洗衬底；2)衬底固定在样品架上，所述衬底与样品架呈θ角，并且在衬底上施加磁场；3)利用高真空电子束蒸发系统，在背底真空为1.3×10‑4Pa～2.0×10‑4Pa、预熔料时电子枪电流为30mA～40mA、电压为10kV的条件下预熔料4～5min；预熔料结束后，设置蒸镀速率为0.1nm/s～0.7nm/s，在衬底上沉积软磁薄膜。本发明得到的软磁薄膜应用频率大于1GHz(最高为1.39GHz)，并且磁导率达到1000左右，得到了同时兼顾高应用频率、高磁导率的薄膜。