公开(公告)号：CN116396068B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202310284691.1

申请日：2023-03-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 蒋晓娜 ,  龚莹 ,  余忠 ,  孙科 ,  兰中文 ,  邬传健 ,  李启帆

IPC: C04B35/26

Abstract: K～Ka波段自偏置环行器铁氧体基板材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域，本发明的基板材料包括主料和掺杂剂，所述主料包括：0～11.3％BaCO3、2.7％～11.6％SrCO3、3.12％La2O3和80.27％～83.5％Fe2O3，其余为CuO原料；以主料的质量为参照基准，按重量百分比，以氧化物计算，掺杂剂包括：1～2wt％CuO、1～2.5wt％Bi2O3和0.2～1.5wt％SiO2。本发明采用离子取代、湿法磁场成型等技术，获得了高剩磁比、较高磁晶各向异性场、高矫顽力、低共振线宽的M型钡锶铁氧体基板，可满足K～Ka波段铁氧体自偏置环行器的性能要求。

公开(公告)号：CN116396068A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310284691.1

申请日：2023-03-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 蒋晓娜 ,  龚莹 ,  余忠 ,  孙科 ,  兰中文 ,  邬传健 ,  李启帆

IPC: C04B35/26

Abstract: K～Ka波段自偏置环行器铁氧体基板材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域，本发明的基板材料包括主料和掺杂剂，所述主料包括：0～11.3％BaCO3、2.7％～11.6％SrCO3、3.12％La2O3和80.27％～83.5％Fe2O3，其余为CuO原料；以主料的质量为参照基准，按重量百分比，以氧化物计算，掺杂剂包括：1～2wt％CuO、1～2.5wt％Bi2O3和0.2～1.5wt％SiO2。本发明采用离子取代、湿法磁场成型等技术，获得了高剩磁比、较高磁晶各向异性场、高矫顽力、低共振线宽的M型钡锶铁氧体基板，可满足K～Ka波段铁氧体自偏置环行器的性能要求。

公开(公告)号：CN117276835A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311227921.7

申请日：2023-09-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 蒋晓娜 ,  龚莹 ,  邬传建 ,  孙科 ,  余忠 ,  兰中文 ,  李启帆

IPC: H01P1/38 ,  H01P11/00

Abstract: 铁氧体基板及制备方法，涉及材料技术，本发明的铁氧体基板其平面形状具有内切圆，铁氧体基板纵横比的数值为29％～59％，所述纵横比按照下式确定：纵横比＝h/d；h为基板厚度，d为基板平面形状的内切圆的直径。采用本发明技术的铁氧体基板，具有高剩磁比、较高磁晶各向异性场、高矫顽力、低共振线宽的性能。