公开(公告)号：CN101627454A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200880002319.0

申请日：2008-01-15

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 理查德·J·赫尔特 ,  李祐家 ,  菲利浦·J·麦桂尔 ,  提摩太·J·米勒 ,  哈勒德·M·波辛 ,  维克拉姆·辛

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32495 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32633

Abstract: 提供一种具有金属腔室壁的等离子腔室(102)的等离子源(100)，此等离子源(100)包括处理气体。介电窗(120、122)将射频信号传送至等离子腔室中。射频信号激发以及离子化处理气体，从而在等离子腔室中形成等离子。等离子腔室衬套(125)定位于等离子腔室内部，并提供等离子腔室内部的位点线遮蔽，以遮蔽离子撞击等离子腔室的金属壁(102)而溅镀的金属。

公开(公告)号：CN101390187A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200780006845.X

申请日：2007-01-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 哈勒德·M·波辛 ,  维克拉姆·辛 ,  艾德蒙德·杰阔斯·温德

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明是有关于一种具有低有效天线电压的等离子体浸润离子源，其包括容纳处理气体的腔体，该腔体设有供电磁辐射穿过的介电窗。射频电源供应器产生射频信号。至少一具有降低的有效天线电压的射频天线连接至射频电源供应器。所述的至少一射频天线位于接近介电窗的位置以使射频信号电磁耦合进入腔体以激发并离子化处理气体，从而在腔体内产生等离子体。