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公开(公告)号：CN102396026B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201080016936.3
申请日：2010-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B27/329 , G11B2220/235 , G11B2220/2537
Abstract: 提供了一种信息存储介质。所述信息存储介质包括：用户数据区，记录用户数据；临时盘管理区，记录表示用户数据区的至少一个记录/再现单元块的记录状态的空间位图。所述空间位图包括：关于额外空间位图的信息，所述额外空间位图响应于空间位图的空间不足以表示用户数据区的至少一个记录/再现单元块的记录状态而被分配。
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公开(公告)号：CN103129062A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210409912.5
申请日：2012-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B32B27/06 , C09D183/04
CPC classification number: C23C14/081 , B05D1/60 , B05D2350/60 , C09D183/04 , C23C14/10 , Y10T428/24975 , Y10T428/265 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种涂覆结构及其形成方法和具有该涂覆结构的装置，其中，通过在待涂覆的产品和涂层之间形成氧化铝层和二氧化硅层来形成所述涂覆结构，所述涂覆结构可以提高涂层的耐久性、可靠性和防侵蚀性，此外，还可以提高产品良率。形成在产品表面上的涂覆结构包括形成在产品表面上的氧化铝(Al2O3)层、形成在氧化铝(Al2O3)层的表面上的二氧化硅(SiO2)层和形成在二氧化硅(SiO2)层上的涂覆组合物层。
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公开(公告)号：CN102356590A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201080012455.5
申请日：2010-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L1/20
CPC classification number: H04L1/206 , G11B20/10009 , G11B20/10305 , G11B20/10314 , H04B17/318
Abstract: 一种信号质量测量设备包括：二进制信号产生单元，从输入信号产生二进制信号；电平信息提取单元，使用至少两个窗长度从输入信号和二进制信号之间的关系提取电平信息；质量计算单元，基于所述电平信息计算输入信号的质量。
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公开(公告)号：CN100418146C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200580000264.6
申请日：2005-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , B82Y10/00 , G11B7/00454 , G11B7/24 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明提供了一种超解析信息存储介质和使再现信号稳定的方法以及用于将数据记录在超解析信息存储介质上和/或从超解析信息存储介质再现数据的设备。在该信息存储介质上信息被记录为小于入射光束的分辨率的标记，该信息存储介质包括：基底；超解析层，形成在基底上并在入射光束聚焦的部分上产生热反应；相变层，形成在超解析层的上方或下方，并在再现记录标记前结晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101243505A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200680029340.0
申请日：2006-08-08
Abstract: 一种光记录介质(10)，被设计为依次具有基板(12)、第一电介质层(14)、记录层(16)、第二电介质层(18)、超分辨率层(20)以及第三电介质层(22)，该超分辨率层(20)由在以规定照射功率的DC光照射1～300秒钟时产生空隙的材料构成，从而，能够在使再现激光的照射功率不依赖记录标记大小的情况下进行超分辨率再现。
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公开(公告)号：CN1977316A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200580021929.1
申请日：2005-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/005
CPC classification number: G11B7/005 , G11B7/1353 , G11B7/24 , G11B7/257
Abstract: 提供一种再现以具有小于入射光束的分辨能力的大小的标记的形式记录在超分辨信息存储介质中的数据的方法及其设备。所述数据再现方法包括：将具有引起超分辨现象的分辨功率的第一光束和具有不引起超分辨现象的分辨功率的第二光束照射到信息存储介质上；检测基于第一光束的第一再现信号和基于第二光束的第二再现信号；补偿并计算第一再现信号和第二再现信号之间的时间延迟。因此，从除了超分辨区之外的再现光束点的外围区反射的信号可被排除，从而改善再现信号特性。
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公开(公告)号：CN1856827A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200480027356.9
申请日：2004-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/1387 , G11B7/24085 , G11B7/243 , G11B7/258 , Y10T428/21
Abstract: 关于最近开发的许多介质，最大的看点就是容量。本发明提供了一种高密度只读光盘，该高密度只读光盘包括：基底，该基底具有根据单位信息而长度不同的坑，其中，坑的深度随着坑长度增加而增加；掩模层，包含金属氧化物或者精细金属颗粒和介电材料的混合物。由于坑深度根据坑长度而改变，所以高密度只读光盘可用于读取不大于读取分辨率极限的坑，并且得到了最佳的CNR。同样，本发明提供了一种高密度只读光盘的制备方法，该方法可用来制备具有基于坑长度的最佳坑深度的高密度只读光盘。
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公开(公告)号：CN1258180C
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN03165023.6
申请日：2003-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/2578 , B82Y10/00 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2535 , G11B7/259 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718 , Y10S430/146
Abstract: 本发明提供了一种高密度只读光盘，其具有大的存储容量。该光盘包括具有凹坑的基底；和具有超分辨近场结构的一个或多个掩膜层，该掩膜层由介电材料和金属粒子的混合物构成。该光盘可以在不减小激光二极管的波长或增大物镜的数值孔径的情况下获得。
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公开(公告)号：CN1204555C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN01144045.7
申请日：2001-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/0079 , G11B7/00718 , G11B7/1263 , G11B7/24038 , G11B7/24079 , G11B2007/0013
Abstract: 提供一种高密度光记录介质和在该光记录介质上记录数据的方法。所述光记录介质具有有着光反射系数的多个数据记录/再现表面，所述光穿过包含在发射光的光源和从所述多个数据记录/再现表面中选择的一个记录/再现表面之间的数据记录/再现表面的凹坑区、平台/凹槽区、以及记录数据的平台/凹槽区，所述反射系数满足等式：r1≥r2≥r3和[(r1-r3)/r1]≤0.2，假设入射在从多个数据记录/再现表面选择的所述数据记录/再现表面的各个区域上的光反射系数表示为r1、r2和r3。
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