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公开(公告)号:CN1842847A
公开(公告)日:2006-10-04
申请号:CN200580000880.1
申请日:2005-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/007
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/00736 , G11B7/0079 , G11B7/126 , G11B2007/0006
Abstract: 提供一种混合信息存储介质,包括:导入区,存储关于信息存储介质的基本信息;导出区,指示信息存储介质的结尾;多种类型的数据区,需要不同的最佳读取功率;和用于所述多种类型的数据区的不同的最佳读取功率信息。相应地,由于当光盘驱动器从包括需要不同最佳读取功率的多种类型的数据区的混合超分辨率光盘再现数据时,用于每一区的最佳读取功率信息被提供给该光盘驱动器,因此可以始终获得最佳的再现特性。
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公开(公告)号:CN106255920B
公开(公告)日:2019-12-10
申请号:CN201580022673.X
申请日:2015-03-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/01
Abstract: 所公开的发明的一方面提供一种显示装置及其制造方法,其中密封通过将形成在前电极中的分隔壁的一端插入到处于凝胶状态的上电极中而实现,使得上电极基板的表面具有优良的平坦性和优良的密封效果。根据实施方式的显示装置包括:第一电极模块,包括第一电极;第二电极模块,包括第二电极并布置为与第一电极模块相对;多个分隔壁,形成在第一电极模块上并具有插入到第二电极中的端部;多个空腔,由第一电极模块和所述多个分隔壁形成;以及电场依赖层,形成在所述多个空腔中并具有通过形成在第一电极模块和第二电极模块之间的电场改变的特性。
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公开(公告)号:CN103320012A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201310097825.5
申请日:2013-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09D183/04 , C09D183/06 , C09D183/07 , C09D183/05 , C09D5/16 , B05D7/00 , B05D3/12 , B05D3/10
CPC classification number: C09D183/04 , B05D3/0254 , F24H1/0018 , H05B3/48
Abstract: 在此公开了一种涂料组合物,由于该涂料组合物可以防止结垢在加热器的表面上的形成和粘附,因此该涂料组合物用于防止由水或蒸汽引起的对加热器的污染。所述涂料组合物可以在低温下固化,并且在加热器过度使用之后在加热器的表面上不发生劣化。结果,可以防止结垢的形成。一种洗涤机的加热器包括:加热丝,设置在中心处;氧化镁(MgO)层,设置在加热丝的外部以包围加热丝,从而将热从加热丝传递到外部;不锈钢合金层,设置在氧化镁层的外部以包围氧化镁层。不锈钢合金层的表面涂覆有涂料组合物,所述涂料组合物包括含有有机聚硅氧烷的第一硅树脂和含有倍半硅氧烷的第二硅树脂。
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公开(公告)号:CN101644787A
公开(公告)日:2010-02-10
申请号:CN200910159791.1
申请日:2009-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03G15/2057 , G03G2215/2041 , Y10T428/256
Abstract: 本发明提供了一种光吸收构件、加热装置、定影装置及成像设备。本发明公开了一种新的光吸收构件、采用该光吸收构件的加热装置、采用该加热装置的定影装置以及使用该定影装置的成像设备。光吸收构件包括分散在其中的纳米棒,并对于例如采用光源作为辐射热源的定影装置,可以由于表面等离子体共振现象而增大加热装置的吸收效率,该表面等离子体共振现象在光的波长对应于基于纳米棒的高宽比的光吸收率的峰值波长时产生。
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公开(公告)号:CN100547660C
公开(公告)日:2009-10-07
申请号:CN200580021929.1
申请日:2005-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/005
CPC classification number: G11B7/005 , G11B7/1353 , G11B7/24 , G11B7/257
Abstract: 提供一种再现以具有小于入射光束的分辨能力的大小的标记的形式记录在超分辨信息存储介质中的数据的方法及其设备。所述数据再现方法包括:将具有引起超分辨现象的分辨功率的第一光束和具有不引起超分辨现象的分辨功率的第二光束照射到信息存储介质上;检测基于第一光束的第一再现信号和基于第二光束的第二再现信号;补偿并计算第一再现信号和第二再现信号之间的时间延迟。因此,从除了超分辨区之外的再现光束点的外围区反射的信号可被排除,从而改善再现信号特性。
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公开(公告)号:CN100440346C
公开(公告)日:2008-12-03
申请号:CN200480035523.4
申请日:2004-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24065 , Y10T428/21 , Y10T428/24802
Abstract: 一种超分辨率信息存储介质,包括:基底;第一超分辨率层,形成在基底之上;第二超分辨率层,形成在第一超分辨率层之上;和插入层,设置在第一超分辨率层和第二超分辨率层之间。
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公开(公告)号:CN100433153C
公开(公告)日:2008-11-12
申请号:CN200480027356.9
申请日:2004-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/1387 , G11B7/24085 , G11B7/243 , G11B7/258 , Y10T428/21
Abstract: 关于最近开发的许多介质,最大的看点就是容量。本发明提供了一种高密度只读光盘,该高密度只读光盘包括:基底,该基底具有根据单位信息而长度不同的坑,其中,坑的深度随着坑长度增加而增加;掩模层,包含金属氧化物或者精细金属颗粒和介电材料的混合物。由于坑深度根据坑长度而改变,所以高密度只读光盘可用于读取不大于读取分辨率极限的坑,并且得到了最佳的CNR。同样,本发明提供了一种高密度只读光盘的制备方法,该方法可用来制备具有基于坑长度的最佳坑深度的高密度只读光盘。
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