公开(公告)号：CN101800057A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN201010115178.2

申请日：2010-02-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金朱镐 ,  洪涛 ,  金大焕 ,  吴承真 ,  崔善洛

IPC: G11B7/26 ,  G11B7/242

CPC classification number: G11B7/266 ,  B82Y10/00 ,  G11B7/24038 ,  Y10T428/24124

Abstract: 一种制造信息存储介质的方法，该方法包括以下步骤：利用具有多个纳米棒图案的掩模，通过溅射在基底上形成多个纳米棒记录层。

公开(公告)号：CN101644787A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200910159791.1

申请日：2009-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大焕 ,  金朱镐 ,  吴承真 ,  崔善洛 ,  金佑圭

IPC: G02B5/00 ,  G03G15/20 ,  G03G15/01

CPC classification number: G03G15/2057 ,  G03G2215/2041 ,  Y10T428/256

Abstract: 本发明提供了一种光吸收构件、加热装置、定影装置及成像设备。本发明公开了一种新的光吸收构件、采用该光吸收构件的加热装置、采用该加热装置的定影装置以及使用该定影装置的成像设备。光吸收构件包括分散在其中的纳米棒，并对于例如采用光源作为辐射热源的定影装置，可以由于表面等离子体共振现象而增大加热装置的吸收效率，该表面等离子体共振现象在光的波长对应于基于纳米棒的高宽比的光吸收率的峰值波长时产生。