花状氧化银/碳酸氧铋异质结及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113559902B

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202110786992.5

    申请日:2021-07-09

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种花状Ag2O/Bi2O2CO3异质结及其制备方法和应用。其中制备方法包括:将Ag2CO3和花状的Bi2O2CO3混合均匀,在氮气气氛下煅烧,冷却,得到花状Ag2O/Bi2O2CO3异质结。本发明所述异质结的光生载流子分离和迁移效率高,具有很好的光吸收性能,所述异质结能够实现气相苯系物的高效光催化净化,本发明具有制备简单、环境友好、能耗低、成本廉的优点。

    聚合物基太赫兹空间光调制器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112480451B

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202011158928.4

    申请日:2020-10-26

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了聚合物基太赫兹空间光调制器及其制备方法,所述方法包括:(1)采用溶液法制备P(VDF‑TrFE)薄膜;(2)将所述P(VDF‑TrFE)薄膜置于150~300摄氏度下静置,退火,以便得到聚合物基太赫兹空间光调制器。与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:本发明制备的空间光调制器以高取向度的结晶P(VDF‑TrFE)作为功能层,具有良好的稳定性;具有高空间分辨率,最小分辨尺寸为200nm;对于太赫兹波段光具有空间选择性吸收,开关比可达10。本发明有效开拓了空间光调制作用在太赫兹波段的应用,具有良好的开关效应与空间分辨率,有利于其在太赫兹空间光调制器件与其柔性器件领域的实际应用。

    高熵陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112723888B

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202110167968.3

    申请日:2021-02-07

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种高熵陶瓷材料及其制备方法,该高熵陶瓷材料的化学式为TiaVbCrcNbdTaeAlC,其中,a+b+c+d+e=2,并且a、b、c、d、e数值不完全相同。由此,该高熵陶瓷材料具有强度高、硬度高、抗氧化性强、热稳定性好等优点,在载人航天、国防军工、汽车制造和微纳电子等领域具有十分广阔的应用前景。

    一种基于热电材料的光热热电催化剂的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN112403496B

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN202011408402.7

    申请日:2020-12-05

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明属于新材料及其应用、非金属材料技术领域,尤其涉及一种基于热电材料的光热热电催化剂的制备方法及应用。本发明的光热电催化剂采用半导体热电材料为基底,可以同时有效吸收特定波段的光产生光生电子空穴对,并利用太阳能光热效应产生的温度梯度导致的塞贝克效应分离光生载流子。本发明的光热热电催化剂利用塞贝克效应产生的光热温度梯度,实现了太阳能资源的多重有效利用。另外,光热电效应可以实现在除表面化学范畴外通过功能化基底材料进一步提升催化反应速率,可以应用于二氧化碳还原等众多反应进程中。该催化剂充分利用了太阳能资源,利用热电材料基底融合光化学与热电物理的基本过程,从而实现新型、绿色、高效的反应进程。

    层状高熵MAX相陶瓷热电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111725380A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010533580.6

    申请日:2020-06-12

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提出了层状高熵MAX相陶瓷热电材料及其制备方法。该层状高熵MAX相陶瓷热电材料的分子式为Mn+1AXn,其中,M为选自IIIB、IVB、VB和VIB族元素中的至少三种元素,A为选自IIIA、IVA、VA和VIA族元素中的至少一种,X为碳元素,且n为1、2或3。本发明所提出的层状高熵MAX相陶瓷热电材料,其中同一位中元素配比可以根据实际需求进行调控,且具有六方晶系结构、空间群为P63/mmc、晶胞由Mn+1Xn单元与A层原子在c方向交替堆垛而成,并通过M位三种以上元素组合的设计形成高熵合金,从而使高熵MAX相陶瓷热电材料在载人航天、国防军工、汽车制造和微纳电子等领域,特别是温差发电和热电制冷等领域具有十分广阔的应用前景。

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