一种湿法刻硅制备微芯环腔的方法

    公开(公告)号:CN113526458B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202010299877.0

    申请日:2020-04-16

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 一种湿法刻硅制备微芯环腔的方法,步骤如下:取一片硅片,硅片表面为二氧化硅氧化层,使用光刻和氢氟酸刻蚀的方法,在硅片表面得到覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形;其次使用氢氟酸‑硝酸混合溶液作为刻蚀溶液对得到的覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形进行湿法刻蚀,得到微盘腔;最后将微盘腔表面光刻胶去除,并使用激光器对其进行热回流,完成微芯环腔的制备。本发明使用氢氟酸‑硝酸刻蚀替代了制备流程中的干法刻蚀,提高了各向同性,使得该刻蚀方法适用于超高品质微芯环腔的制备,在1550nm波段实现了108以上的品质因子,这与相关报道中的品质因子相当。本发明同时还具备成本低、刻蚀设备简单、维护容易、对温湿度鲁棒性好等优点。

    量子安全直接通信的双向通信装置和方法

    公开(公告)号:CN116760533A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310635806.7

    申请日:2023-05-31

    Abstract: 本申请提供一种量子安全直接通信的双向通信装置和方法,该装置包括:激光器,用于产生光脉冲;强度调制器,用于对光脉冲进行调制;衰减器,用于将调制后的光脉冲进行衰减处理,获得衰减后的光脉冲;环形器,用于控制衰减后的光脉冲的传输方向和路径,并将光脉冲发送到干涉仪,干涉仪用于对接收到的光脉冲进行干涉处理,获得干涉后的光脉冲,并用于将自光纤信道接收的光脉冲进行干涉处理,获得第一干涉结果和第二干涉结果;第一单光子探测器,与环形器相连,用于探测第一干涉结果;以及第二单光子探测器,与干涉仪相连,用于探测第二干涉结果。根据本申请的方案,在QSDC系统中使用对称性设计,具有成本低、光纤链路消耗少、组网便捷等优势。

    用于量子通信网络的控制系统及控制方法

    公开(公告)号:CN115664537A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202211119683.3

    申请日:2022-09-14

    Abstract: 本申请提供了一种用于量子通信网络的控制系统,包括:多个节点控制单元,包括第一节点控制单元和第二节点控制单元,所述多个节点控制单元通过多条量子信道耦接;中央控制单元,与所述多个节点控制单元分别耦接,配置成接收所述第一节点控制单元发送的与所述第二节点控制单元通信的请求,选择所述多条量子信道中的第一量子信道,并向所述第一节点控制单元与所述第二节点控制单元发送信道切换指令。本发明所提供的控制系统,在量子通信网络的每一个节点布置节点控制单元,通过中央控制单元与各个节点控制单元的协同配合,保证了量子直接通信的通信效率与通信安全;同时通过预设算法选择量子信道,避免了量子光信号在传输过程中的衰减和损失。

    VoIP系统及使用其进行语音通话的方法

    公开(公告)号:CN115396042A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202210769024.8

    申请日:2022-06-30

    Abstract: 本发明提供了一种VoIP系统,包括:呼叫组件,配置成用户通过所述呼叫组件发出指令或进行语音通话,所述呼叫组件将指令的内容或语音通话的内容编码在量子态上,生成量子光脉冲并发射;接听组件,配置成接收所述量子光脉冲,将所述量子光脉冲携带的信息解码,转换成指令的内容或语音通话的内容;量子信道,连接所述呼叫组件与所述接听组件,配置成使所述量子光脉冲通过所述量子信道进行传输。本发明所提供的VoIP系统,将VoIP网络电话的标准协议下的数据帧编码到量子态上,通过发送量子光脉冲进行传输。量子信道的安全性可以通过传输信息的双方共享测量基矢和位置信息实现,保障了传输信道的安全性和可靠性,满足了VoIP网络电话通讯系统更高级的指标要求。

    一种湿法刻硅制备微芯环腔的方法

    公开(公告)号:CN113526458A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202010299877.0

    申请日:2020-04-16

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 一种湿法刻硅制备微芯环腔的方法,步骤如下:取一片硅片,硅片表面为二氧化硅氧化层,使用光刻和氢氟酸刻蚀的方法,在硅片表面得到覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形;其次使用氢氟酸‑硝酸混合溶液作为刻蚀溶液对得到的覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形进行湿法刻蚀,得到微盘腔;最后将微盘腔表面光刻胶去除,并使用激光器对其进行热回流,完成微芯环腔的制备。本发明使用氢氟酸‑硝酸刻蚀替代了制备流程中的干法刻蚀,提高了各向同性,使得该刻蚀方法适用于超高品质微芯环腔的制备,在1550nm波段实现了108以上的品质因子,这与相关报道中的品质因子相当。本发明同时还具备成本低、刻蚀设备简单、维护容易、对温湿度鲁棒性好等优点。

    一种实现频率调控的装置
    47.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113003531A

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN202110183254.1

    申请日:2021-02-08

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本文公开一种实现频率调控的装置,本发明实施例包括:微球腔、固定结构、光纤、三维位移平移台和控制器;其中,微球腔的连接支柱水平连接于一固定结构;光纤的第一端与三维位移平移台的压电陶瓷连接;光纤的纤芯与微球腔的连接支柱平行;控制器调控共振频率时,光纤的第二端与微球腔的顶点接触;控制器通过控制施加于压电陶瓷上的电压,控制经由光纤施加于微球腔的压力,以进行微球腔共振频率的调控;其中,第二端的端面为平整的截面;顶点为微球腔距离第二端最近的点。本发明实施例实现了微球腔的机械模式的共振频率调控。

    单层反射、透射双向辐射波束扫描天线

    公开(公告)号:CN109088174B

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN201810765583.5

    申请日:2018-07-12

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明属于天线技术领域,尤其涉及一种基于可重构电磁表面技术的单层反射、透射双向辐射波束扫描天线,包括:馈源和由多个双向相控辐射单元所组成的阵列;馈源用于发射或者接收电磁波;双向相控辐射单元用于调制反射波相位和透射波相位。所述双向相控辐射单元自上而下包括金属层、介质板、直流偏置电路层,其中金属层设置有数字控制器件,所述直流偏置电路层用于为数字控制器件提供工作电压和控制数字控制器件的工作状态。所述双向相控辐射单元的反射和透射极化方向相同,且与馈源极化方向正交,在阵面透射传播方向上,天线的透射电磁波和和馈源入射到阵面的电磁波极化方向正交隔离,采用交叉极化实现相控功能。

    基于电磁表面技术的空间馈电式的高增益端射阵列天线

    公开(公告)号:CN109768389B

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN201910126509.3

    申请日:2019-02-20

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于电磁表面技术的空间馈电式的高增益端射阵列天线,包括:初级馈源,用于发射和/或接收电磁波;和厚度极薄的单层和/或多层的介质和金属组合表面,用于将初级馈源发出的电磁波转换为端射聚焦波束,或者将端射方向接收的空间波汇聚到的初级馈源内。本发明实施例的天线具有以下显著优点:(1)只需要极薄的电磁表面,具有重量轻,剖面极低,以及造价低等优点。(2)反射波束与透射波束二者集成,增加了天线利用率,节约天线占用空间,进一步降低天线重量。(3)天线增益会随着口面尺寸增加而增加。

    漫反射薄膜及其制作方法
    50.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105785488B

    公开(公告)日:2019-06-18

    申请号:CN201410799885.6

    申请日:2014-12-19

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种漫反射薄膜,所述薄膜由随机无序堆积的,对光无吸收或者吸收率较低的单分散微球组成,所述微球的直径范围在300~3000纳米。本发明还公开了一种漫反射薄膜的制作方法,该方法包括:制备单分散的微球悬浮液,所述微球的直径范围在300~3000纳米;向微球悬浮液中加入使微球聚集的电解质溶液;在基底上沉积微球聚集后的微球悬浮液;通过完全挥发微球悬浮液中的溶剂以及加热使微球粘连得到漫反射薄膜。采用本发明能够以极小厚度的薄膜材料实现高反射率的漫反射。

Patent Agency Ranking