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公开(公告)号：CN101458210A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710125108.3
申请日：2007-12-12
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G01N21/41
CPC classification number: G01N21/41 , B82Y20/00 , G02B6/1225
Abstract: 本发明涉及一种折射率传感器。所述折射率传感器包括光源、光子晶体微腔结构及感测器，所述光子晶体微腔结构包括晶体层及大量形成于该晶体层并规则排列的孔，其中一个孔的直径与其他孔的直径不同从而构成一谐振腔，该谐振腔相对的两侧的晶体层具有线缺陷，该线缺陷分别构成第一波导与第二波导，该第一波导及第二波导与该谐振腔之间分别具有数个孔，所述光源设置于该第一波导之入射端，所述感测器设置于该第二波导之出射端。所述的传感器中，第一波导及第二波导的设置使得光线的透过率可以提升到40％到70％，而且传感器具有较高的测量精度。
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公开(公告)号：CN100452406C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610072809.0
申请日：2006-04-10
Applicant: 清华大学
IPC: H01L27/115 , G11C16/02
Abstract: 本发明公开了属于非挥发存储器技术的SONOS型快闪存储器阵列架构及编程、擦除和读取操作的一种陷阱电荷俘获型的快闪存储器阵列结构及其操作方法。采用串行布置在衬底上布置形成二维多个重复排列的串行存储器阵列结构，包含一个第一选择晶体管、多个存储单元及一个第二选择晶体管，晶体管及存储单元串行连接；存储单元栅极和字线相连接，选择晶体管栅极和选择线相连接，串行结构第一端和位线相连接，第二端和下一根相邻位线相连接。该快闪存储器采用F-N隧穿注入式擦除、采用带带隧穿热空穴注入式编程；具有在很小单元面积实现每个单元的1位存储、2位存储以及多电平存储，和正反向编程、擦除与读取操作，数据存储容量大和集成度高等优点。
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公开(公告)号：CN101206280A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710303686.1
申请日：2007-12-20
Applicant: 清华大学
IPC: G02B6/00 , G02F1/13357
Abstract: 导光板及使用该导光板的背光模组，属于液晶显示领域。为了有效解决使用LED作为背光源不易得到均匀发光亮度的问题，本发明公开了一种导光板，包括入光面、与该入光面相对的出光面以及连接入光面和出光面的侧面，入光面和出光面上都具有一个凹槽结构，入光面的凹槽结构和出光面的凹槽结构是在导光板上挖去一个旋转体后形成的结构，入光面的凹槽结构称为第一凹槽，出光面的凹槽结构称为第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽的旋转轴经过导光板入光面和出光面的中心。本发明还公开了使用上述导光板的背光模组。本发明提出的导光板的出光面发光亮度均匀，使用几个导光板的组合的背光模组既可以用作小尺寸的液晶显示装置，也能用在大尺寸的液晶显示装置中。
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公开(公告)号：CN1259541C
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510011230.9
申请日：2005-01-21
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种基于自混合干涉效应的位移传感器，属于激光位移测量领域，其特征在于：该位移传感器由光源，测量部分和信号处理3个部分组成，结构紧凑，仅有一个干涉通道。其系统光源使用的是双频激光器，在测量过程中，对双频激光器输出的两束正交的偏振光进行探测可以获得两路相位差为90度的余弦信号，对两路信号进行反相可获得另两路相位差为90度的余弦信号。上述四路余弦信号相位差依次为90度，该四路信号作为四倍频电路的输入信号可以实现电子细分，实现分辨率提高四倍，并且能够实现对待测物体移动方向的识别。本发明所设计的自混合干涉位移传感器是一种结构紧凑简单紧凑，分辨率和性价比高，并且易于实现物体移动方向识别的位移测量装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1671011A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510011383.3
申请日：2005-03-04
Applicant: 清华大学
Abstract: 能输出光强稳定的两垂直偏振光的HeNe激光器属于激光器技术领域，其特征在于，它含有：两侧分别装有高反射率的尾光输出镜和增透窗片的激光增益管，位于增透窗片一侧的主光束输出镜，横向磁场发生器以及小频差发生器。小频差发生器可以是位于增透窗片和主光束输出镜之间的一个双折射晶体，或是一个对增透窗片施加垂直于激光增益管轴向方向的机械应力。激光器固定在支架上，激光器腔长设计满足在腔调协的过程中始终保持激光器单纵模或双纵模输出的要求；小频差发生器使激光器谐振腔内一个纵模分裂为小频差的两垂直偏振的频率。它具有光强波动小、稳定性好、抗干扰能力强的优点。
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公开(公告)号：CN1654921A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510011358.5
申请日：2005-02-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 具有方向识别功能的自混合干涉HeNe激光位移传感器，属于激光位移测量领域，其特征在于：它由光源，测量部分和信号处理3个部分组成，结构紧凑，仅有一个干涉通道。光源使用的是能输出两光强不同的正交偏振光的双纵模激光器，在测量过程中，对激光器输出的两束正交的偏振光进行探测可以获得两路相位差相反的光强信号，两光强信号一个周期中有两个不同的等光强点。两等光强点差值的正负因物体移动方向的不同而不同，可以据此实现判向。每一个周期的光强信号对应激光器半个波长的位移，即系统的分辨率为半个激光器波长。它是一种结构紧凑简单紧凑，性价比高，并能实现在无需控制光回馈水平的条件下实现判向的自混合干涉位移传感器。
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公开(公告)号：CN1645036A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510011230.9
申请日：2005-01-21
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种基于自混合干涉效应的位移传感器，属于激光位移测量领域，其特征在于：该位移传感器由光源，测量部分和信号处理3个部分组成，结构紧凑，仅有一个干涉通道。其系统光源使用的是双频激光器，在测量过程中，对双频激光器输出的两束正交的偏振光进行探测可以获得两路相位差为90度的余弦信号，对两路信号进行反相可获得另两路相位差为90度的余弦信号。上述四路余弦信号相位差依次为90度，该四路信号作为四倍频电路的输入信号可以实现电子细分，实现分辨率提高四倍，并且能够实现对待测物体移动方向的识别。本发明所设计的自混合干涉位移传感器是一种结构紧凑简单紧凑，分辨率和性价比高，并且易于实现物体移动方向识别的位移测量装置。
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公开(公告)号：CN1200516C
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN03156368.6
申请日：2003-09-05
Applicant: 清华大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 负电压电平转换电路属于混合信号处理集成电路和不挥发存储器电路设计技术领域。其特征是，含有：两个分别由PMOS管和NMOS管构成的反相器，这两个反相器的输入端和输出端彼此连接构成输出电压的正反馈通道，输出正高压由其中一个反相器的PMOS管传输，负低压由NMOS管传输，该正反馈通道加快了电平转换的速度；一个工作在输入电压下的CMOS反相器，使其两边的支路电流不对称，而减小了转换需要的功耗；两个反相器的初始输入电压由两个栅极接地的PMOS管确定。本发明电平转换速度快，输入电压降低时仍能正常工作，增加了缩小晶体管尺寸的能力。
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公开(公告)号：CN1200515C
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN03156367.8
申请日：2003-09-05
Applicant: 清华大学
IPC: H03K19/0185 , G11C16/16
Abstract: 负电压译码电路属于混合信号处理集成电路和不挥发存储器电路设计技术领域。其特征是，第一级负电压电平转换电路含有：两个分别由PMOS管和NMOS管构成的反相器，这两个反相器的输入端和输出端彼此连接构成输出电压的正反馈通道，输出正高压由其中一个反相器的PMOS管传输，负低压由NMOS管传输；一个工作在输入电压下的CMOS反相器，使其两边的支路电流不对称；两个反相器的初始输入电压由两个栅极接地的PMOS管确定。还有一个读取放电通路，使正常读取时输出的地电平由栅极接正高压的NMOS管传输，避免了由PMOS管传输的损失。本发明电平转换速度快，增加了缩小晶体管尺寸的能力，没有正常读取时地电平传输的损失。
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