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公开(公告)号：CN111584619A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010469184.1
申请日：2020-05-28
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/20 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种GaN器件及制备方法，制备方法包括如下步骤：提供GaN器件外延片，所述GaN器件外延片至少包括外延衬底和在所述外延衬底上外延生长的GaN沟道层，在所述GaN器件外延片上定义源区和漏区；在所述源区和所述漏区之间通过刻蚀所述GaN沟道层形成多个在垂直于所述源区和所述漏区连接方向上依次排列的鳍指结构，多个所述鳍指结构具有不同宽度；形成连接多个所述鳍指结构的栅极结构。本发明通过引入具有不同宽度的鳍指结构，实现跨导补偿作用，在栅压的一定变化范围内使跨导保持线性变化，从而得到高线性度的GaN器件，无需通过额外电路补偿设计进行线性优化，节省了成本，且制备工艺简单、重复性好、可靠性高。
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公开(公告)号：CN111584346A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010469000.1
申请日：2020-05-28
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/322 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种具有热沉结构的GaN器件及其制备方法，该器件依次包括：Cu热沉衬底、CuIn金属间化合物层、种子层、粘附层、SiC衬底层及功能层。通过裂解工艺，利用离子注入在SiC衬底层内形成缺陷层，然后在应力诱导产生层的应力作用下使SiC衬底层在缺陷层处裂解，达到衬底减薄的效果同时还可回收SiC衬底，节省工艺成本，且SiC衬底层减薄的厚度可以通过离子注入的能量、剂量来确定，工艺简单，更避免了现有采用研磨工艺减薄过程中引入的杂质颗粒；另外，利用Cu/In合金键合，缓解了热沉结构键合过程中功能层开裂的风险，工艺可靠性高。
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公开(公告)号：CN110670125A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911065406.7
申请日：2019-11-04
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种生长在Sappire衬底上的MoS2二维材料的制备方法，包括如下步骤：衬底准备：采用Sapphire衬底，不进行任何预处理；原料准备：将Sapphire衬底传送进MOCVD腔内的石英台上，腔内压强控制在20Torr，腔内始终通入N220slm；采用化学气相沉积法进行反应：升高腔内温度至生长温度，先后通入H2S气源，Mo(CO)6进行恒温生长，降温至室温，取出样品，得到所述生长在Sapphire衬底上的MoS2二维材料。所述方法可有效控制MoS2形核密度，均匀性，以及晶粒取向，且具有可行性高的优点。
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公开(公告)号：CN109617560A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811346591.2
申请日：2018-11-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种IQ信号校准补偿方法，包括：将校准测试信号输入到IQ信号校准预失真模块，通过补偿计算输出补偿测试信号；将补偿测试信号输入给IQ信号校准参数估计模块，计算出不平衡参数的残余量估计并输出给IQ信号校准参数迭代模块；IQ信号校准参数迭代模块计算迭代；更新迭代后的不平衡参数进行补偿，完成一次闭环校准；如果达到最大迭代次数，结束迭代，完成补偿。本发明采用了闭环迭代，利用迭代近似的方法避免了开方、求反三角函数等复杂计算，简化了盲校准的运算复杂度，减小了数字电路的逻辑复杂度，在相同的电路面积下，可以增加测试信号的计算点数，提高补偿精度，同时闭环系统增加了在干扰条件下的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109032562A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810615253.8
申请日：2018-06-14
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F7/544
Abstract: 本发明公开了一种低时延高频单向旋转的CORDIC算法装置及算法。先通过用[0,π/4]替代全象限，能压缩一半的查找表来节省资源；然后将查表法和单向旋转迭代运算结合使用；最后通过一次单向的加法树合并迭代来获得结果。跟其他算法相比，单向旋转能最大程度上节省资源，减少功耗，而合并迭代通过加法树并行运算来实现，能满足高频下的时序要求和有效缩短时延。通过仿真验证发现本发明相对传统的CORDIC算法的整体性能有了明显的改善，缩短了时延，减少了资源消耗，提高了工作的最高频率，更适用于高频的场景，也减少了综合器综合的压力，有利于获得最优的结构和最小的面积。
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公开(公告)号：CN101974465B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010521030.9
申请日：2010-10-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种枯草芽孢杆菌菌株及其应用，该菌株命名为枯草芽孢杆菌(Bacillus subtilis)ZJU007，保藏于位于北京市朝阳区北辰西路1号院中科院微生物研究所的中国普通微生物菌种保藏管理中心，保藏号为CGMCC No.4140，保藏时间2010年9月03日。本发明菌株产生的抗菌物质对白色念珠菌的抑制作用十分强烈，比目前常用的制霉菌素有更好的抑菌效果。该抗菌物质不仅对白色念珠菌等酵母类真菌有强烈的抑菌效果，而且对黑曲霉等丝状真菌也有很好的效果，同时对大肠杆菌等细菌也有较好的抑菌效果。
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公开(公告)号：CN118573124A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410617961.0
申请日：2024-05-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种有源偏置电路、放大器芯片及无线通信系统，其中，有源偏置电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻及驱动模块；第一晶体管的漏极经第一电阻及第二电阻连接第一电源，源极经第三电阻及第四电阻连接参考地，栅极连接第五电阻与第六电阻的连接节点；第二晶体管的漏极连接第一电源，源极经第五电阻及第六电阻连接参考地，栅极连接第一电阻与第二电阻的连接节点；驱动模块连接第一晶体管的漏极，用于对第一晶体管漏极处的电压进行降压处理输出栅压。通过本发明解决了传统有源偏置电路存在栅压跟随能力不足的问题。
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公开(公告)号：CN118296976A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410729401.4
申请日：2024-06-06
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F30/27 , G06F18/214 , G06F16/36 , G06F119/18
Abstract: 本申请提供微带滤波器设计迭代方法、系统、介质、产品及终端，本发明利用知识图谱中领域专家知识和规则来指导设计，使其设计结果更易解释，并通过对现有微带滤波器的需求、设计和制造阶段的相关文档和工程进行知识沉淀，形成知识图谱库以实现知识的重用和共享，知识得以不断地迭代优化，逐步减少设计人员的工作量，大幅度提高微带滤波器设计效率。
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公开(公告)号：CN115987090A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211641880.1
申请日：2022-12-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种快速瞬态响应微型电源模块，包括输出采样电路、瞬态检测电路和固定导通时间生成电路；输出采样电路采集输出电压，并通过高带宽运放消除了稳态输出电压与基准值的误差，采样电感电流纹波替代输出电压纹波进行控制，使输出电容选取小ESR陶瓷电容，改善输出纹波；瞬态检测电路用于检测负载迅速增加情况，并通过强制导通主功率管改善瞬态响应速度；固定导通时间生成电路接受控制信号生成驱动器电路所需的控制信号；本发明提供能避免PWM控制模式问题的同时解决COT纹波较大的缺陷的一种快速瞬态响应微型电源模块。
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