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公开(公告)号：CN114325284A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111682975.3
申请日：2021-12-31
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种可实现自动重复浪涌的浪涌测试方法，包括以下内容：将需要被测试的功率半导体器件放置在测试台上，使被测器件和浪涌测试平台的浪涌电流输出端安全可靠连接，然后设置浪涌周期数目、两次浪涌测试的间隔时间以及浪涌电流的幅值和周期。在浪涌测试期间，测量被测器件的源漏电压和浪涌电流，在浪涌测试前和浪涌测试后测量各个电极间的电阻、转移特性曲线等电学参数。遭受浪涌电流冲击的被测器件的电学特性通常会发生变化，根据所测量的电学参数的变化来判断器件是否失效以及器件性能的退化程度。本发明解决了传统的以LC振荡原理为基础的浪涌测试平台仅能进行单次浪涌测试的问题，通过选择合适的开关器件以及设计合理的浪涌电流发生电路得到了能够实现自动重复浪涌的测试平台。
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公开(公告)号：CN114217261A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111533515.4
申请日：2021-12-15
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R35/04
Abstract: 本发明公开了一种用于功率循环测试的功率器件老化参数校正方法，包括以下步骤：S1、对老化特征参数的采集时序进行设计；S2、在功率循环的每个测试周期对老化参数进行采集，刻画出原始的老化参数退化曲线；S3、每隔固定的功率循环测试周期，对各个老化参数的温敏特性进行测量。在功率循环测试结束后，利用数据拟合等方法得到不同阶段的老化参数的温敏系数；S4、利用老化参数采集时刻的温度和老化参数的温敏系数对老化参数退化曲线进行温度解耦校正。本发明解决了传统功率循环测试中得到的老化参数退化曲线同时耦合了老化和温度变化影响的问题，利用老化参数自身的温敏特性进行了温度解耦校正，从而得到更真实的老化参数退化曲线。
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公开(公告)号：CN112886558A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110073570.3
申请日：2021-01-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体芯片并联结构及其驱动回路过流失效抑制方法，属于电力电子器件技术领域。本发明设计了一种新型的功率半导体芯片并联结构，包括功率漏极端口、功率源极端口、辅助源极端口、栅极端口和若干个并联的功率半导体芯片，基于对并联功率半导体芯片的源极至辅助源极过流失效现象的分析，在辅助源极和芯片源极间加入了呈正温度特性的热敏元件，在正常运行过程中可充当驱动回路电阻，不影响运行；在并联结构老化或故障状态下，失衡电流流经热敏电阻，使其升温以及阻值增大，抑制芯片驱动回路上失衡电流的幅值，避免驱动回路过流失效，提高了功率半导体模块的使用寿命和运行可靠性。
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公开(公告)号：CN112485241A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011247861.1
申请日：2020-11-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅功率器件的结温和电流同步检测系统及检测方法。通过对碳化硅功率器件的电致发光光谱进行分离，并在不同工作温度和工作电流下分别检测碳化硅功率器件电致发光中两个波段的发光强度，建立两个波段的发光强度与工作温度和工作电流的函数模型，通过解耦算法实现根据两个波段的发光强度来推导碳化硅功率器件的结温和电流。本发明基于碳化硅电致发光效应的检测方法，无需额外对碳化硅功率器件电气量的测量，具备固有电气隔离的特点，实现了非接触检测，特别适用于工作在高温高压大电流应用场合的碳化硅功率器件结温和电流的同步在线检测，具有较高的精度和实时性。
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公开(公告)号：CN112466819A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011332479.0
申请日：2020-11-24
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/14 , H01L25/16 , H01L23/538
Abstract: 本发明涉及一种带辅助绝缘衬底的功率半导体模块，包括至少主绝缘衬底和辅助绝缘衬底两个绝缘衬底，所述主绝缘衬底从上到下依次包含第一金属层、第一陶瓷层和第二金属层，所述第一金属层承载功率半导体芯片和辅助绝缘衬底；辅助绝缘衬底从上到下依次包含第三金属层、第二陶瓷层和第四金属层，与所述功率半导体芯片的驱动电极通过连接装置连接，所述第三金属层承载驱动元件，所述第四金属层与所述第一金属层连接。通过将驱动元件集成在辅助绝缘衬底上，增大主绝缘衬底上功率回路铜层的面积，减小功率回路杂散电感和电阻，进而降低关断电压过冲和铜层发热，提高模块可靠性和功率输出能力，为并联芯片间瞬态电流均衡程度的提升提供更大的优化空间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110994961B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201911347481.2
申请日：2019-12-24
Applicant: 浙江大学
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种功率开关管串联运行门极电压幅值补偿均压方法和电路，其利用功率开关管电压受门极电压幅值控制以及不均衡电压差转换为缓冲电流的不均衡电流差采样原理，实现串联功率开关管的动态均压。本发明属于有差控制，且只在串联功率开关管电压动态变化过程中起作用，不影响功率开关管正常工况下的工作；采用无源器件，电路结构简单，易于集成到器件驱动板上，能够实现失衡电压快速响应追踪与串联功率开关管电压均衡，提高了均压控制的快速性与稳定性。
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公开(公告)号：CN111261601A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010056949.9
申请日：2020-01-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/40 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 本发明公开了一种夹具内嵌型的高集成度压接式封装功率模块，其包括自上而下依次设置的正极散热片、直流正极铜排、交流输出铜排、直流负极铜排和负极散热片；所述的交流输出铜排的两侧对称安装有半导体芯片单元，半导体芯片单元的外围均匀分布有贯穿压接式模块的螺纹孔，通过绝缘双头螺丝紧固，由绝缘双头螺丝上的外螺纹与螺纹孔的内螺纹咬合产生压接力；本发明采用内嵌夹具实现模块压接，将铜排、散热器作为模块的组成部分，因此实现了高功率密度和高集成度；相比于传统压接式封装功率模块，本发明技术方案由于优化了夹具设计，降低了设计成本，简化了制作流程，该压接式封装功率模块用于实现高功率密度整流器。
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公开(公告)号：CN110867438A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910940010.6
申请日：2019-09-30
Applicant: 臻驱科技(上海)有限公司 , 浙江大学
IPC: H01L25/18 , H01L23/495
Abstract: 本发明揭示了一种功率半导体模块衬底。功率半导体模块衬底包括：第一功率金属敷层、第二功率金属敷层、第三功率金属敷层、第四功率金属敷层、以及辅助金属敷层，该辅助金属敷层形成于第一功率金属敷层与第二功率金属敷层之间以及第三功率金属敷层与第四功率金属敷层之间，在该辅助金属敷层上形成有栅极信号端子，辅助金属敷层在晶体管芯片和二极管芯片的排列方向上延伸，至少延伸至与排列方向上位于最边缘处的晶体管芯片的控制电极正对的位置。根据本发明，能够通过合理的驱动回路布置从而减小并联芯片的杂散电感和不均程度。
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公开(公告)号：CN110797328A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910940772.6
申请日：2019-09-30
Applicant: 浙江大学 , 臻驱科技(上海)有限公司
IPC: H01L25/07
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块的桥臂单元设计，其特征在于，包括上桥臂单元、下桥臂单元、联通连接装置和衬底，所述上桥臂单元及所述下桥臂单元设置在所述衬底上，所述上桥臂单元与所述下桥臂单元相对称设置；采用本发明的功率半导体模块的桥臂单元设计，将门极信号端子布置于对称中心位置，实现了多芯片并联情况下控制回路杂散参数的均衡，并有效减小了杂散参数的绝对值。
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公开(公告)号：CN109905020A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910238021.X
申请日：2019-03-27
Applicant: 浙江大学
IPC: H02M1/34
Abstract: 本发明公开了一种集成缓冲电路的驱动装置，该驱动装置用于驱动功率模块，功率模块的信号端子在驱动装置上引出；该驱动装置包括驱动电路和缓冲电路，缓冲电路集成在驱动装置上，由无源元件组成，连接在功率模块的两信号端子之间，两信号端子分别为与母线正极等电位的端子和与母线负极等电位的端子，用于抑制功率器件开关过程的电压尖峰；驱动电路包括驱动芯片、供电电源电路、推挽电路和故障保护电路，其用于驱动功率器件的通断。本发明在功率端子包含缓冲电路的基础上在信号端子之间增加缓冲电路，更有效地抑制功率器件开关过程的电压峰值，保证了功率器件的安全。
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