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公开(公告)号：CN117040535A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311301564.4
申请日：2023-10-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种相位指示电路、转换器芯片及多芯片同步系统，相位指示电路包括延时线模块、并联采样模块、相位指示模块及寄存器模块；延时线模块接收同步信号，用于对同步信号进行2M级延时并生成2M个延时信号，M为大于1的整数；并联采样模块与延时线模块相连，以参考时钟作为采样时钟，对2M个延时信号进行同步采样并生成2M个采样信号；相位指示模块与并联采样模块相连，以参考时钟作为工作时钟，根据2M个采样信号的值来指示同步信号相对于参考时钟的相位偏差，并在相位偏差小于预设偏差时生成同步时钟；寄存器模块与相位指示模块相连，用于对2M个采样信号进行存储。通过本发明解决了现有技术无法对同步信号进行相位偏差指示的问题。
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公开(公告)号：CN113053842B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202110170455.8
申请日：2021-02-08
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种GaN器件结构及其制备方法，制备方法包括：提供半导体基底，进行碳化形成碳化硅层，形成外延结构，形成器件电极，形成窗口，在半导体基底背面制备背孔，形成散热腔，液冷自背孔通入并基于散热腔实现散热。本发明通过基底中的氧化层定义液冷的沟道位置，通过氧化层的刻蚀形成液冷散热通道，通过液冷散热流经器件有效区，大大增强了散热效果，无需传统的衬底背部减薄工艺，金属热沉键合工艺；本发明可以基于背孔及其布置进一步优化散热效果，并且，背孔还可以同时作为形成散热腔的开口；另外，可以通过正面开窗形成散热腔并实现器件的有效隔离，同时还可以进一步增强散热，提高工艺效率。
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公开(公告)号：CN114063026A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111147650.5
申请日：2021-09-29
Applicant: 浙江大学
IPC: G01S7/40
Abstract: 本发明为一种相控阵雷达系统的静态检测装置及方法，其中装置包括上位机、电源、信号源、频谱仪、波控电源板、天线子阵系统、发射天线以及接收天线；其中上位机分别与电源、频谱仪以及信号源连接，上位机还与波控电源板通过低电压差分信号实现连接；电源还分别与频谱仪、信号源以及波控电源板连接；天线子阵系统分别与发射天线波控电源板以及信号源连接；频谱仪还与接收天线连接；通过设置波控电源板、电源以及上位机，实现对天线子阵系统的自动检测，避免进行人工测试，节省人力成本，也提高了测试的精度，保证测试的准确性。
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公开(公告)号：CN113256720B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110620460.4
申请日：2021-06-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种同时检测SAR图像船只及其尾迹的方法，包括：对原始SAR图像进行预处理，增强尾迹边缘特征；对预处理后图像利用Itti视觉注意模型生成图像的亮度显著图；对亮度显著图进行二值化处理，对二值化图像进行形态学处理筛选船只及尾迹特征，滤除稀疏离散的像素点，得到的连通区域为船只与尾迹的检测结果；对每个连通区域做外接矩形，将矩形框标注在原始SAR图像上，得到船只与尾迹的标注结果。本发明提供的方法通过对SAR图像进行Itti亮度特征显著性提取，利用视觉显著性从SAR图像中判断像素或区域引起视觉注意的能力，增强了船只及其尾迹的特征，提高了检测概率同时降低了虚警概率，能够同时检测船只及其尾迹，并能够适应非直线尾迹特征情况。
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公开(公告)号：CN110380709B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201910630251.0
申请日：2019-07-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种具有负电上电时序保护功能的高速栅极脉冲调制电路及射频功率放大器，该电路包括：电压转换电路、脉冲开关电路、电压比较电路、漏极供电电路；电压转换电路的输出端与脉冲开关电路的输入端连接，脉冲开关电路的输出端与电压比较电路的输入端连接，电压比较电路的输出端与漏极供电电路的输入端连接。在通信系统中射频功率放大器是不可或缺的关键部件，尤其是在雷达领域，对其的控制与上电保护是应用射频功率放大器的关键。本发明在负电上电之前或者负电过高的情况下，漏极始终保持断开，避免了氮化镓晶体管烧坏的风险，可靠性高，并且实现了高速脉冲调制，具有频率高、占空比小的优点，进一步提升了调制的精度与速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110739227B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201910924318.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种基于三维散热结构的三维异构射频模组的制作方法，具体包括如下步骤：101)芯片载板制作步骤、102)转接板制作步骤、103)键合步骤；本发明提供设置大流量散热沟槽的一种基于三维散热结构的三维异构射频模组的制作方法。
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公开(公告)号：CN112019217B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011106318.X
申请日：2020-10-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明提供一种流水线型逐次逼近模数转换器及转换方法，包括：第一级逐次逼近模数转换模块，第二级逐次逼近模数转换模块及数字码误差修正逻辑模块；其中，第一级逐次逼近模数转换模块包括第一电容阵列单元、放大单元、锁存比较单元、第一寄存逻辑控制单元及控制开关，放大单元复用为残差放大器及第一级逐次逼近模数转换器中比较器的预放大器。本发明通过复用残差放大器预放大器，完全消除了在两者之间存在的输入失调电压失配，稳定了残差放大器的输入摆幅，提高了残差放大器的线性度，节省了芯片面积；且通过复用第二级逐次逼近型模数转换模块来获得增益误差，降低了残差放大器的增益误差，提高了整个流水线型逐次逼近模数转换器的转换精确度。
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公开(公告)号：CN111599857B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010475767.5
申请日：2020-05-29
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/20 , H01L29/24 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L21/335 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种二维材料器件与GaN器件异质集成结构及制备方法，在同一蓝宝石衬底上异质集成二维材料器件与GaN器件，并通过二维材料器件控制GaN器件的开、关，提高整体异质集成结构的性能，发挥GaN器件优势；通过互连电极，实现电连接，降低寄生效应；在二维材料器件中，以二维材料层作为沟道，石墨烯层作为欧姆接触，解决二维材料器件欧姆接触不良的问题；通过T型栅极作为掩膜版并进行自对准工艺，形成第二源极及第二漏极，缩短了T型栅极与源极及漏极的距离，降低了二维材料器件的接入电阻，提高了二维材料器件的性能；本发明可充分发挥GaN器件的优势，并提高整个异质集成结构的性能。
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公开(公告)号：CN111599857A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010475767.5
申请日：2020-05-29
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/20 , H01L29/24 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L21/335 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种二维材料器件与GaN器件异质集成结构及制备方法，在同一蓝宝石衬底上异质集成二维材料器件与GaN器件，并通过二维材料器件控制GaN器件的开、关，提高整体异质集成结构的性能，发挥GaN器件优势；通过互连电极，实现电连接，降低寄生效应；在二维材料器件中，以二维材料层作为沟道，石墨烯层作为欧姆接触，解决二维材料器件欧姆接触不良的问题；通过T型栅极作为掩膜版并进行自对准工艺，形成第二源极及第二漏极，缩短了T型栅极与源极及漏极的距离，降低了二维材料器件的接入电阻，提高了二维材料器件的性能；本发明可充分发挥GaN器件的优势，并提高整个异质集成结构的性能。
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公开(公告)号：CN111584347A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010477741.4
申请日：2020-05-29
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明的GaN-Si异质外延结构及制备方法，在Si基底中形成凹槽，并在凹槽底部形成局部SOI衬底，从而通过局部SOI衬底可吸收GaN层外延过程中产生的应力，降低AlxGa1-xN过渡层的厚度，减少生长工艺时间，降低工艺成本，且提高导热性能，同时局部SOI埋氧层，可提高GaN器件的击穿电压，且可减少RF应用时的损耗及串扰；通过覆盖凹槽侧壁的绝缘侧墙，可有效隔离外延生长的GaN层，降低工艺难度；在Si基底的凹槽中，进行区域选择性外延生长GaN层，可降低工艺难度；从而本发明可在大尺寸的Si基底上异质外延均匀的、高质量的GaN层。
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