公开(公告)号：CN101236905B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200810060092.7

申请日：2008-03-05

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吴惠桢 ,  斯剑霄 ,  徐天宁

IPC: H01L21/363 ,  C30B23/02

Abstract: 一种在CdZnTe衬底上制备Ⅳ-Ⅵ族半导体单晶薄膜的方法，是在分子束外延装置中，采用分子束外延生长方法，在不同生长温度(200～425℃)下，利用不同Ⅳ-Ⅵ族化合物分子束源，在CdZnTe单晶衬底材料上外延生长单晶薄膜，所述CdZnTe衬底具有通式Cd1-xZnxTe，式中X＝0～0.3，是通过垂直布里奇曼方法生长或气相输运生长，沿[111]晶向或[100]晶向切割而成，通过Al2O3粉末机械抛光，然后用1∶100的溴甲醇化学抛光。本发明可实现异质结，量子阱和超晶格等器件结构的可控生长。

公开(公告)号：CN101514440A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910096188.3

申请日：2009-02-19

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吴惠桢 ,  朱夏明 ,  原子健

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C03C17/245

Abstract: 一种高电子迁移率氧化铟透明半导体薄膜的制备方法，采用双室高真空射频磁控溅射法，是以纯度99.99％的高纯氧化铟为靶材，玻璃等为衬底，以纯度99.99％以上的高纯氩气、氧气的一种或二种为溅射气体，在磁控溅射装置中进行溅射生长，得到具有不同电子浓度和高电子迁移率的n－型透明In2O3半导体薄膜材料。该方法具有沉积参数简单易控，制备工艺可靠，重复性好，制造成本低的优点。

公开(公告)号：CN1330576C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200510048904.2

申请日：2005-01-14

Applicant: 浙江大学

Inventor： 邱东江 ,  施红军 ,  蒋银土 ,  余萍 ,  吴惠桢

IPC: C01G9/02

Abstract: 本发明涉及一种具有玫瑰花状形貌特征的ZnO纳米结构材料及其制备技术，属于半导体光电子材料与器件技术领域。本发明的玫瑰花状ZnO纳米结构材料，其特征是直接在衬底表面生长出具有玫瑰花状形貌特征的ZnO纳米晶体结构材料。该材料的制备特征是采用电子束反应蒸发技术，在衬底表面生长得到。

公开(公告)号：CN1314831C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN02145307.1

申请日：2002-11-15

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吴惠桢 ,  邱东江 ,  陈乃波

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/32

Abstract: 本发明的立方相宽禁带MgZnO晶体薄膜的制备技术属于氧化物晶体薄膜的制备技术领域，其特征是采用电子束反应蒸镀法，在较低的生长温度下，利用不同组分的靶材料，在不同的衬底材料上制备出高质量的具有立方相晶体结构的MgZnO晶体薄膜。

公开(公告)号：CN1727516A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510049983.9

申请日：2005-06-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吴惠桢 ,  邱东江 ,  陈乃波 ,  徐天宁 ,  余萍

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  H01L21/203

Abstract: 一种纤锌矿结构Zn1－xMgxO(0≤x≤0.36)半导体纳米晶体薄膜的低温制备方法，其特征是采用电子束加热蒸发(MgO)y(ZnO)1－y，靶材，y为原子个数比，0≤y≤2％，并在电离的O气氛中沉积Zn1－xMgxO半导体纳米晶体薄膜，即由电子枪发射出高能电子束，电子束经聚焦后直接轰击由高纯MgO、ZnO粉末按一定组分配比、并经高温烧结而成的(MgO)y(ZnO)1－y靶材，电子束的动能变成热能，使得热蒸发的ZnO和MgO分子离开表面，散射并沉积到已加热的衬底表面，再通过扩散运动形成晶核，晶核连续生长以形成晶粒均匀致密、表面平整的纳米晶体薄膜，最后是低温沉积的ZnMgO纳米薄膜在氧气气氛中经高温300～600℃退火处理，制备得到纤锌矿结构Zn1－xMgxO(0≤x≤0.36)半导体纳米晶体薄膜。

公开(公告)号：CN1676678A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510048905.7

申请日：2005-01-14

Applicant: 浙江大学

Inventor： 邱东江 ,  吴惠桢 ,  余萍

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/16 ,  C23C14/24 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明的ZnO纳米晶柱/纳米晶丝复合结构产品属于一种用气相外延技术制备得到的氧化物微结构材料，其特征是先在衬底表面生长出高度c－轴取向(即垂直于衬底表面)的、高密度且均匀分布的六方结构ZnO纳米晶柱阵列，然后再在ZnO纳米柱阵列之上形成取向随机但几乎平行于衬底表面的、高密度的ZnO纳米晶丝。该产品的制备特征是采用电子束反应蒸发技术，通过“二步沉积”工艺，在基底表面一次性生长得到。

公开(公告)号：CN1603870A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410067858.6

申请日：2004-11-02

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吴惠桢 ,  陈乃波 ,  徐天宁 ,  余萍 ,  邱东江

IPC: G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  G03F7/20 ,  G02F1/035 ,  G02F1/03

Abstract: 一种MgZnO晶体薄膜光波导器件，由衬底、下包层、芯层和上包层构成，衬底采用玻璃或SiO2/Si，芯层为立方MgxZn1－xO(x＞0.5)晶体薄膜，折射率可随薄膜中Mg组分的改变实现连续可调，上、下包层可以是Mg组分比芯层高的MgyZn1－yO(y＞0.5)薄膜，也可以是SiO2薄膜，上包层也可以是空气。光波导器件是在衬底上低温物理外延生长立方 MgxZn1－xO芯层和包层，并通过湿法或干法刻蚀后得到的。本发明具有制备工艺简单，成本低，波导层光学模的损耗和双折射效应小，波导层折射率连续可调等优点。

公开(公告)号：CN211824731U

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202020155508.X

申请日：2020-02-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 徐翰纶 ,  王正来 ,  徐新民 ,  吴惠桢

IPC: G01J1/44 ,  G01J5/24

Abstract: 本实用新型公开一种可校正阵列非均匀性的焦平面探测器读出电路，该电路包括控制芯片、多路复用模块和放大处理模块。多路复用模块包括多个横向多路复用器和多个纵向多路复用器，放大处理模块包括运算放大器、差分放大器和数模转换器，控制芯片输出低电平信号至各个多路复用器以通过多路复用器选择通路，纵向多路复用器输出探测器光电信号至运算放大器和差分放大器，差分放大器输出放大之后的电信号至控制芯片以采集探测器的光电信号。本实用新型可以实现在阵列像元响应度不均一的情况下，通过改变对应像元参考电压的方式校正阵列输出电压的不均匀性。该电路设计简洁，无需图像处理程序，成本低，速度快。