公开(公告)号：CN115548101B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202211488433.7

申请日：2022-11-25

Applicant: 浙江大学

Inventor： 任娜 ,  盛况

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请涉及一种碳化硅MOSFET晶体管器件，在相邻的两个元胞结构之间设计了一个互联结构，使得相邻的两个元胞结构通过互联结构相连接，在浪涌冲击或短路故障发生的瞬间，可以使等离子体迅速地从一个元胞结构扩散到相邻的元胞结构中，从而获得载流子浓度和电流密度的均匀分布，避免器件内部发生局部热量集中和温升严重的现象，提高器件的浪涌与短路可靠性。

公开(公告)号：CN115493870A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211091066.7

申请日：2022-09-07

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 盛况 ,  任娜 ,  钟浩 ,  柏松 ,  黄润华 ,  李士颜

IPC: G01N1/06 ,  G01N21/84

Abstract: 用于碳化硅截面形貌观察的切片方法，属于半导体技术领域，用于碳化硅截面形貌观察的切片方法，包括以下步骤：步骤S1：选择碳化硅基底，在所述碳化硅基底上进行图形转移；步骤S2：使用划片机对碳化硅基底进行划片；步骤S3：使用金刚笔对碳化硅基底进行裂片；步骤S4：判断裂片形貌。本发明可以降低碳化硅截面形貌观察的科研成本，简化操作过程，减少碳化硅截面形貌待观察处的损伤。

公开(公告)号：CN115181330A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202210922854.X

申请日：2022-08-02

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 陈向荣 ,  王启隆 ,  黄小凡 ,  张添胤 ,  王恩哲 ,  任娜

IPC: C08K7/08 ,  C08K9/06 ,  C08K5/5415 ,  C08L83/07

Abstract: 本发明属于高电压与绝缘材料领域，本发明提供了一种适用于有机硅弹体复合材料制备的氧化锌材料、其改性方法和应用，该改性方法包括：将四针状氧化锌晶须与硅烷偶联剂KH570酸性水解液进行反应，使KH570分子结构键合于四针状氧化锌晶须表面，得到改性氧化锌材料。本发明将改性四针状氧化锌晶须材料加入有机硅弹体中，既可以实现较强的非线性电导特性，又可以实现较强的非线性介电特性。本发明实施例的更低掺杂浓度的有机硅弹体/四针状氧化锌晶须复合材料，已具有较强的非线性介电和电导特性，并且其同时保持较高的直流击穿场强。本发明操作流程简单、成本低廉、易于工业化生产；本发明材料主要用于高频交流电力电子设备绝缘。

公开(公告)号：CN114823309A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210223817.X

申请日：2022-03-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 盛况 ,  王宝柱 ,  王珩宇 ,  任娜

IPC: H01L21/266 ,  H01L29/06

Abstract: 公开了倾斜超级结器件的侧壁离子注入优化工艺方法，主要通过在倾斜沟槽上生长的电介质层厚度从沟槽顶部到底部自然而然地变薄，实现了沟槽侧壁渐变的掺杂分布，优化了器件的电场分布，进而提升了器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN114649406A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210537454.7

申请日：2022-05-18

Applicant: 浙江大学 ,  中国电子科技集团公司第五十五研究所

Inventor： 盛况 ,  王珩宇 ,  任娜 ,  程浩远 ,  柏松 ,  黄润华 ,  李士颜

IPC: H01L29/06

Abstract: 本发明涉及多级超级结结构及其自对准制备方法。多级超级结结构包括外延层和多级超级结柱区，多级超级结柱区包括多个单级柱区，多个单级柱区对应多个单级沟槽，多级超级结结构的自对准制备方法包括：生长表面刻蚀掩膜和多次形成沟槽侧壁保护层，并使用所述表面刻蚀掩膜和所述沟槽侧壁保护层进行多次自对准刻蚀，形成多级沟槽。本发明提出的多级超级结结构及其自对准制备方法可以实现对超级结沟槽侧壁倾角的调控，通过形成沟槽侧壁保护层然后多级刻蚀的方式，可以有效减小深沟槽刻蚀时由于侧蚀效应带来的影响，使得超级结深沟槽保持相对较高的垂直度，提升超级结器件的性能。

公开(公告)号：CN114597127A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210223214.X

申请日：2022-03-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 盛况 ,  王宝柱 ,  王珩宇 ,  任娜

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 公开了优化半导体沟槽形貌的双相刻蚀工艺方法，主要利用两种不同条件的刻蚀工艺进行循环刻蚀，可以抑制微沟槽的产生，改善了器件沟槽底部的形貌，并可以获得“V型槽”、“U型槽”以及底部平坦的沟槽形貌。

公开(公告)号：CN114280443A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111296112.2

申请日：2021-11-03

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 陆军亮 ,  盛况 ,  杨树东 ,  吴赞 ,  任娜 ,  王珩宇 ,  钟浩 ,  冉飞荣 ,  陈浮 ,  熊丹妮 ,  成骥 ,  韦丽明 ,  史培丰 ,  杨嘉帆 ,  刘永坤

IPC: G01R31/26 ,  H01L23/473

Abstract: 本发明公开了一种功率芯片歧管式微通道换热器测试装置，包括：测试段、石英支承板、盖板、底座。底座前面开有两个压力测量接口，用于测量冷却液进出测试段前后的压力大小。底座背面开有两个温度测量接口，用于测量冷却液进出测试段前后的温度大。底座左侧表面开有冷却液进口，底座右侧表面开有冷却液出口。测试时，冷却液从底座左侧表面的冷却液进口流入，经过测试装置内部的流路分流后从测试段的两侧流入测试段，在吸收测试段的加热量后，再经测试装置内部的流路从底座右侧表面的冷却液出口流出。本发明的测试装置可用于对不同类型的歧管式微通道换热器进行性能测试，以方便科学研究工作的开展。

公开(公告)号：CN114242691A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111534725.5

申请日：2021-12-15

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 盛况 ,  程浩远 ,  王珩宇 ,  任娜

IPC: H01L23/544 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种基于外延回填工艺的超级结器件对准标记保护方法，包括在对准标记区域形成一定厚度的对准标记缺陷层、在外延回填及抛光工艺后通过化学腐蚀去除对准标记缺陷层形成对准标记，避免了外延回填及抛光工艺对对准标记造成的损伤，解决了基于外延回填工艺的超级结器件多层套刻的对准问题。相较于引入保护物质的对准标记保护方式，该方法有着不污染外延生长腔室，外延回填后表面平坦度不受影响的优势。

公开(公告)号：CN114228435A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111295811.5

申请日：2021-11-03

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 陆军亮 ,  盛况 ,  吴赞 ,  任娜 ,  王珩宇 ,  钟浩 ,  冉飞荣 ,  陈浮 ,  熊丹妮 ,  成骥 ,  韦丽明 ,  史培丰 ,  杨树东 ,  杨嘉帆 ,  刘永坤

IPC: B60H1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于液氢冷能回收技术与热泵技术相耦合的氢能汽车空调系统，属于氢能汽车系统。本发明通过在车载液氢储罐与汽化器之间布置一换热器，使得液氢在进入汽化器之前，在该布置的换热器中将冷能用于冷却系统循环水，经该换热器冷却后的循环水可用于冷却乘座舱内空气，进而调节车内空气温度，降低车载冷却系统的压缩机功率。因此，上述系统可有效回收液氢的冷能，降低氢能汽车的能耗，提高行驶里程。

公开(公告)号：CN113690321B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111239940.2

申请日：2021-10-25

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 盛况 ,  任娜 ,  徐弘毅 ,  江崇瑜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅沟槽栅MOSFET及其制造方法，包括具有第一掺杂类型的衬底，形成在衬底上具有第一掺杂类型的外延层，形成在外延层上方具有第二掺杂类型的外延阱区，形成在外延阱区内具有第一掺杂类型的第一源接触区和具有第二掺杂类型的第二源接触区，沟槽栅，源电极和楼电极，所述沟槽栅包括栅介质和栅电极，其特征在于，所述碳化硅沟槽栅MOSFET包括：包裹在沟槽栅底部的呈凹型的具有第一掺杂类型的注入型电流扩散区，其中所述注入型电流扩散区的底部不高于外延阱区的底部。合理设置注入型电流扩散区，能够限制器件的饱和电流，同时能分离电场峰值和电流位置的位置，降低发热功率，增大器件的短路能力。