公开(公告)号：CN1625612A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN03802888.3

申请日：2003-01-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 白樫充彦 ,  粂川正行 ,  安田穗积 ,  小畠严贵 ,  锅谷治

IPC: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  B23H3/02 ,  H01L21/3063

CPC classification number: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明涉及一种电解加工装置和方法，其用于加工形成在基片特别是半导体晶片的表面上的导电材料，或用于去除粘着在基片表面上的杂质。电解加工装置包括一个可以接近工件的加工电极、一个用于向工件供电的供电电极、一个布置在工件与加工电极和供电电极之间的空间中的离子交换器、一个用于向工件与离子交换器之间供应流体的流体供应部、一个电源，其中加工电极和/或供电电极被电学分隔为多个电极部分，电源向每个分隔的电极部分施加电压，并且对每个分隔的电极部分独立地控制电压和/或电流。

公开(公告)号：CN113352229B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202110253439.5

申请日：2021-03-05

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 森浦拓也 ,  外崎宏 ,  曾根忠一 ,  伊藤雅佳 ,  小畠严贵 ,  松尾尚典 ,  寺田哲也

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02 ,  B24B41/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种研磨装置、处理系统和研磨方法，该研磨装置包含：研磨台，该研磨台用于支承研磨垫；研磨头，该研磨头用于保持基板；以及研磨液供给装置，该研磨液供给装置用于向研磨垫与基板之间供给研磨液，研磨装置通过在研磨液的存在下使研磨垫与基板接触并相互旋转运动，从而进行基板的研磨，研磨液供给装置具有多个研磨液供给口，该多个研磨液供给口在相对于基板配置在研磨垫的旋转上游侧的状态下，在与研磨垫的旋转方向交叉的方向上排列，研磨液供给装置以从多个研磨液供给口供给的研磨液成为规定的流量分布的方式供给研磨液。

公开(公告)号：CN116330148A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310514748.2

申请日：2018-05-02

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 福永明 ,  渡边和英 ,  小畠严贵 ,  辻村学

IPC: B24B37/005 ,  H01L21/768 ,  B24B37/04 ,  H01L21/66 ,  B24B37/015 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明的目的在于使具有凹凸的基板平坦化。本发明提供一种对基板进行化学机械性研磨的方法，该方法具有：使用处理液来研磨基板的步骤；及变更有助于基板的研磨的所述处理液的有效成分浓度的步骤。

公开(公告)号：CN115592558A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210782854.4

申请日：2022-07-05

Applicant: 株式会社荏原制作所(JP)

Inventor： 伊藤雅佳 ,  小畠严贵

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B49/12 ,  B24B57/02 ,  B24B55/06 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种监视研磨垫的研磨面上的研磨液、药液等液体量的分布本身，从而能够以适当的研磨条件研磨晶片等被研磨物的研磨装置及研磨方法。研磨装置具备：支承研磨垫(2)的研磨台(5)；将被研磨物(W)向研磨垫(2)的研磨面(2a)按压的研磨头(7)；向研磨面(2a)上供给液体的液体供给装置(8)；获取来自研磨面(2a)上的多个点的光所含的光学信息的液体监视装置(12)；根据光学信息决定研磨面(2a)上的液体量的分布的光学信息解析部(13)；以及控制研磨装置的动作的动作控制部(47)。

公开(公告)号：CN113635215A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110514520.4

申请日：2021-05-10

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 伊藤雅佳 ,  松尾尚典 ,  小畠严贵 ,  森浦拓也

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/20 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02 ,  B24B1/00

Abstract: 本发明提供研磨装置和研磨方法，实现研磨液使用量的降低和/或研磨品质劣化的抑制。研磨装置具备：用于支承研磨垫并使该研磨垫旋转的研磨台；用于保持对象物并将对象物按接到研磨垫的保持体；研磨液供给装置，该研磨液供给装置具有接触部件，在接触部件与研磨垫接触或相邻的状态下向接触部件的底面的开口部供给研磨液而使研磨液在研磨垫上扩散，利用接触部件拦截由于研磨垫的旋转而返回的使用后的研磨液的至少一部分，接触部件根据相对于研磨垫的径向的角度，而取得将被拦截的研磨液留在研磨垫上的方向或排出的方向的研磨液供给装置；与研磨液供给装置连结的臂；使研磨液供给装置相对于臂旋转的旋转机构；以及控制旋转机构而变更研磨液供给装置相对于研磨垫的径向的角度，从而控制研磨液供给装置的接触部件对研磨液的排出量的控制装置。

公开(公告)号：CN111584355B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202010459673.9

申请日：2015-04-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小畠严贵 ,  八木圭太 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  丸山彻 ,  高桥信行

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  B24B37/04 ,  B24B37/20

Abstract: 本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。

公开(公告)号：CN107107309B

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201680003000.4

申请日：2016-01-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 山口都章 ,  小畠严贵 ,  水野稔夫

IPC: B24B37/34 ,  B24B37/10 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明以如下为一个课题：考虑小径的抛光垫从被研磨基板突出时在基板的边缘附近产生的压力集中，来进行抛光研磨量的模拟。根据本发明的一实施方式，提供一种研磨量的模拟方法，对使用尺寸比研磨对象物小的研磨垫来对研磨对象物进行抛光研磨时的研磨量进行模拟，该研磨量的模拟方法具有以下步骤：依研磨垫相对于研磨对象物的突出量，使用压力传感器测定从所述研磨垫施加给研磨对象物的压力分布；及根据突出量及测定出的压力分布，修正用于研磨量的模拟的压力。

公开(公告)号：CN111584354A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010459633.4

申请日：2015-04-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小畠严贵 ,  八木圭太 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  丸山彻 ,  高桥信行

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  B24B37/04 ,  B24B37/20

Abstract: 蚀刻方法。本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。

公开(公告)号：CN110461542A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880018928.9

申请日：2018-01-10

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 安田穗积 ,  小畠严贵 ,  高桥信行 ,  作川卓

IPC: B24B53/00 ,  B24B37/005 ,  B24B53/017 ,  B24B53/12 ,  B24B55/06 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨装置，能够在研磨中将研磨构件的状态维持为良好。提供一种用于局部研磨基板的研磨装置，该研磨装置具有：接触于基板的加工面比基板小的研磨构件；用于调整所述研磨构件的调整构件；在基板研磨中用于将所述调整构件按压于所述研磨构件的第一按压机构；及用于控制研磨装置的动作的控制装置，所述控制装置构成为，以所述研磨构件局部研磨基板时，控制所述第一按压机构。

公开(公告)号：CN105500181B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201510651437.6

申请日：2015-10-10

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 山口都章 ,  小畠严贵 ,  水野稔夫

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B37/20 ,  B24B37/005 ,  B24B57/02

CPC classification number: B24B37/11 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67219

Abstract: 本发明涉及抛光处理装置、基板处理装置及抛光处理方法，抑制基板的损伤并且进行研磨。或者高效率地清洗去除粘性较大的异物等。用于对基板进行抛光处理的抛光处理装置具备：抛光台，所述抛光台是用于支承基板的抛光台，并构成为能够旋转；及抛光头，所述抛光头能够安装用于对基板进行抛光处理的抛光垫。抛光头构成为能够旋转，并且构成为能够向接近抛光台的方向及远离抛光台的方向移动。用于向基板供给抛光处理用的处理液的内部供给线路形成于抛光头的内部。抛光处理装置还具备除所述内部供给线路以外另外设置的外部喷嘴，该外部喷嘴用于向基板供给处理液。