层叠型压电元件及压电泵
    41.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101842916A

    公开(公告)日:2010-09-22

    申请号:CN200980100908.7

    申请日:2009-04-13

    Abstract: 提供能够获得较大的位移量、难以发生电极间的迁移的压电元件以及使用了该压电元件的压电泵。提供层叠型压电元件(5)、以及利用该层叠型压电元件(5)的中央部分的弯曲位移来使液体排出的压电泵(1),所述层叠型压电元件(5)中,将第一压电体层(21)夹在当中,第一、第二激励电极(26)、(27)在层叠型压电体的中央区域相对,在层叠型压电体的周边部分,将第二压电体层(22)夹在当中,第三、第四激励电极(28)、(29)、(30)、(31)相对,第一、第二激励电极(26)、(27)相对的第一驱动区域的极化方向及电场施加方向,和第三激励电极(28)、(29)与第四激励电极(30)、(31)相对的第二驱动区域的极化方向及电场施加方向为相同方向,将第二激励电极(27)与第三激励电极(28)、(29)在厚度方向上隔开。

    纵向耦合多模压电体波滤波装置,和滤波器及电子组件

    公开(公告)号:CN1212704C

    公开(公告)日:2005-07-27

    申请号:CN03136896.4

    申请日:2003-05-23

    CPC classification number: H03H9/581 H03H9/1014 H03H9/178 H03H9/562

    Abstract: 本发明披露了一种低价制造的、提供了宽的带宽、并且导致大的衰减的纵向耦合多模压电体波滤波装置。滤波装置包括安装在外壳基片上的第一和第二压电体波滤波器。用适当的方式布置第一和第二压电体波滤波器,从而使第一和第二压电体波滤波器的接地电极彼此之间比第一和第二压电体波滤波器的输入电极彼此之间以及第一和第二压电体波滤波器的输出电极彼此之间更为靠近。当把输入信号施加到输入电极和接地电极之间时,根据压电纵向效应,激励并耦合不同次的谐波。在输出电极与接地电极之间提供一个滤波输出。

    纵向耦合多模态压电体滤波器及电子部件

    公开(公告)号:CN1211924C

    公开(公告)日:2005-07-20

    申请号:CN03137825.0

    申请日:2003-05-21

    CPC classification number: H03H9/581 H03H9/1014 H03H9/562

    Abstract: 一种使用压电纵向效应的纵向耦合多模态压电体滤波器,包括多个互相平行伸展的激励电极;层压压电体,它包括多个布置在激励电极间的压电层,并在预定的方向极化;输入电极和输出电极,它们在层压压电体的第一侧面上;接地电极,它在层压压电体的第二侧面上。当输入信号作用于输入电极和接地电极之间时,不同阶谐波的振动模式被激励并耦合,使输出信号在输出端与接地端间输出,T代表层压压电体相对的第一和第二侧面间的宽度,D代表相邻激励电极间的距离,T/D等于或小于0.9。结果,提供了带外衰减大的纵向耦合多模态压电体滤波器。

    纵向耦合型多模压电滤波器

    公开(公告)号:CN1180533C

    公开(公告)日:2004-12-15

    申请号:CN01142918.6

    申请日:2001-11-27

    CPC classification number: H03H9/562

    Abstract: 本发明揭示一种利用压电增强效应的串联耦合型多模压电滤波器。这种压电滤波器包括多层压电元件,这种多层压电元件具有实质上互相平行配置的至少4个激励电极,和在激励电极之间形成的、并在预定的方向上被极化的多个压电层。这种压电滤波器还包括输入电极、输出电极和接地电极。施加在输入电极和接地电极之间的输入信号,引起被激励和耦合的不同阶模式的振动,以致在输出电极和接地电极之间取出输出信号。

    厚度延伸振动模式压电谐振器、梯型滤波器和压电谐振器部件

    公开(公告)号:CN1140053C

    公开(公告)日:2004-02-25

    申请号:CN00126484.2

    申请日:2000-08-28

    Inventor: 西村俊雄

    CPC classification number: H03H9/178 H03H9/0207 H03H9/605

    Abstract: 本发明提供一种厚度延伸振动模式压电谐振器,它包含具有压电层和N个设置其内的内部电极的压电体,其中,N是等于3到5的整数。将相反极性的电场交替地沿着厚度方向施加给位于内部电极之间的压电层。当由D表示沿厚度方向相邻内部电极之间的压电层的厚度,而由D1和D2表示沿厚度方向的最外面内部电极外侧的第一和第二压电层的厚度时,则满足下面关系:当N=3时,0.50≤(D1+D2)/2D≤1.00,当N=4时,0.50≤(D1+D2)/2D≤0.90,而当N=5时,0.50≤(D1+D2)/2D≤0.80。

    复合材料振荡器件
    46.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1461103A

    公开(公告)日:2003-12-10

    申请号:CN03137817.X

    申请日:2003-05-21

    CPC classification number: H03H9/0561 H03H9/1035 H03H9/177

    Abstract: 本申请公开了一种复合材料振荡器件,包括一个振动部件、至少三个反射层和支撑件。所述振动部件用做振动发生源,由具有第一声阻抗Z1的材料制成。所述至少三个反射层分别配置在振动部件三个方向的外表面上,由具有小于第一声阻抗Z1的第二声阻抗Z2的材料制成。支撑件配置在振动部件上与反射层相对的表面,由具有大于第二声阻抗Z2的第三声阻抗Z3的材料制成。由振动部件传播到反射层的振动在反射层和相应支撑件之界面产生反射。

    谐振子以及谐振装置
    47.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112204880B

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN201880092625.1

    申请日:2018-12-21

    Abstract: 本发明提供谐振子(10),具备:振动部(120),具备:具有主面的基板(F2)、形成在基板(F2)的主面上的下部电极(E1)、形成在下部电极(E1)上的压电膜(F3)、以及形成在压电膜(F3)上的上部电极(E2);以及保持部(140),设置为包围振动部(120)的至少一部分。在振动部(120)的周围设置有开口槽,该开口槽在俯视基板(F2)的主面时的第一方向具有不同的宽度。在俯视基板(F2)的主面时,上部电极(E2)形成为从基板(F2)的外边缘隔开沿着第一方向的间隙设置,并且开口槽的宽度较大的区域的间隙的长度比开口槽的宽度较小的区域的间隙的长度大。

    谐振器以及谐振装置
    48.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110785930B

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN201880041488.9

    申请日:2018-03-08

    Abstract: 本发明涉及谐振器以及谐振装置,能够在任意的长宽比提高限制性。谐振器具备:振动部,具有基板和一个以上的电极,基板具有由宽度方向以及长度方向确定的主面,电极形成在遍及基板的主面中的至少长度方向的大致整个区域的区域,振动部根据对电极施加的电压,进行以沿着宽度方向的振动为主振动的伸缩振动;保持部,被设置成包围振动部的至少一部分;以及保持臂,将振动部和保持部连接,振动部具有位于长度方向的端部的宽度方向的宽度(Wo),并且具有至少一处以上的异形部,异形部在宽度方向上形成为凹状或者凸状,以便具有位于长度方向上的对置的一对端部之间的、与宽度(Wo)不同的宽度(Wm)。

    谐振装置
    49.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110089028B

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN201780078842.0

    申请日:2017-07-13

    Abstract: 在谐振装置中,提高温度控制的精度。具备:平台;谐振器,其具有振动部、和在振动部的周围设置第1槽地将振动部和平台连结的至少一个第1保持臂;传感器部,其具有测定温度的测定部;以及加热器,其形成于平台,在谐振装置中,在上述测定部和加热器之间设置有第2槽。

    谐振子以及谐振装置
    50.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109075767B

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN201780026986.1

    申请日:2017-01-13

    Inventor: 西村俊雄

    Abstract: 在谐振子中,能够降低2次以上的TCF。具备振动部、设置为包围振动部的至少一部分的保持部、以及连接振动部和保持部的保持臂,上述振动部具有硅基板、形成为具有与硅基板的表面对置的面的一个以上的电极、以及形成在硅基板和电极之间,根据对电极施加的电压,在沿着硅基板的表面的平面内轮廓振动的压电体,振动部包含至少一个大致矩形形状的振动区域,该振动区域具有与压电体的轮廓振动的节平行的长边、以及与压电体的轮廓振动的节正交并且相当于轮廓振动的半波长的短边,在设硅基板的与表面正交的方向的厚度(T)、振动区域的短边的宽度(W)、硅基板的电阻率(y)时,(T)、(W)、(y)设定在如下的范围:W/T≥4,并且,y=-0.85×(1/T)+0.57±0.05。

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