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公开(公告)号：CN109560788B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN201810929093.4
申请日：2018-08-15
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种弹性波装置，包括：压电体层；叉指换能器(IDT)电极，设置在所述压电体层上；高声速构件；以及低声速膜，设置在所述高声速构件与所述压电体层之间。所述压电体层包含钽酸锂，所述IDT电极包含多个金属层，所述多个金属层包括Al金属层和密度比Al高的金属层。在λ表示由所述IDT电极的电极指间距规定的波长，TLT(％)表示利用所述波长λ得到的所述压电体层的归一化膜厚，TELE(％)表示利用所述波长λ得到的所述IDT电极的Al换算归一化膜厚时，满足以下的式1：301.74667‑10.83029×TLT‑3.52155×TELE+0.10788×TLT2+0.01003×TELE2+0.03989×TLT×TELE≥0…式1。
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公开(公告)号：CN110352557B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN201880015091.2
申请日：2018-02-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 提供一种能够在维持主模式的良好特性的同时抑制高阶模式的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：材料层(2)，具有欧拉角(θ1，ψ1)，且欧拉角(θ1，ψ1)下的弹性常数由下述的式(1)来表示；由单晶构成的压电体(3)，直接或间接地层叠于材料层(2)，具有欧拉角(θ2，ψ2)，且欧拉角(θ2，ψ2)下的弹性常数由下述的式(1)来表示；和IDT电极(4)，设置在压电体(3)的第1主面以及第2主面之中的至少一方，材料层的弹性常数C11～C66之中非0的至少一个弹性常数和压电体的弹性常数C11～C66之中非0的至少一个弹性常数成为相反符号。[数学式1]
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公开(公告)号：CN110383685B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201880015383.6
申请日：2018-02-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种能够在维持主模式的良好特性的同时抑制高阶模式的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：材料层(2)，具有欧拉角且欧拉角下的弹性常数由下述的式(1)来表示；压电体(3)，具有相互对置的第1主面以及第2主面，直接或间接地层叠于材料层(2)，具有欧拉角且欧拉角下的弹性常数由下述的式(1)来表示；和IDT电极(4)，设置在压电体(3)的第1主面(3a)以及第2主面(3b)之中的至少一方，由电极指间距规定的波长为λ，C56与C56之积为正的值，并且材料层(2)的C56的绝对值大于压电体(3)的C56的绝对值。[数学式1]
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公开(公告)号：CN115485973A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180028743.8
申请日：2021-04-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供损耗小的弹性波装置。在弹性波装置(1)中，在压电性基板(2)上设置有IDT电极(6)及反射器电极(7、8)，IDT电极(6)的第一电极指(6c)与第二电极指(6d)在弹性波传播方向上重叠的区域为交叉区域(K)，交叉区域(K)具有中央区域(C)、以及位于中央区域(C)的两侧的第一边缘区域(E1)及第二边缘区域(E2)，电介质膜(9、10)配置为从第一边缘区域(E1)及第二边缘区域(E2)经过反射器电极(7、8)而到达反射器电极(7、8)的弹性波传播方向外侧的区域。
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公开(公告)号：CN115428337A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180027856.6
申请日：2021-04-12
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 提供能够在宽频带中抑制高次模式等不需要的波的弹性波装置。本发明的弹性波装置(1)具备硅基板(2)、设置在硅基板(2)上的第一高声速膜(3)、设置在第一高声速膜(3)上的第一低声速膜(4)、设置在第一低声速膜(4)上的第二低声速膜(5)、设置在第二低声速膜(5)上的第二高声速膜(6)、设置在第二高声速膜(6)上的压电膜(7)及设置在压电膜(7)上的IDT电极(8)。在第一高声速膜(3)传播的体波的声速以及在第二高声速膜(6)传播的体波的声速比在压电膜(7)传播的弹性波的声速高。在第一低声速膜(4)传播的体波的声速以及在第二低声速膜(5)传播的体波的声速比在压电膜(7)传播的体波的声速低。第一低声速膜(4)的材料与第二低声速膜(5)的材料不同。
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公开(公告)号：CN107925397B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201680049730.8
申请日：2016-09-02
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种Q值高且由压电膜的膜厚偏差导致的特性的偏差少的弹性波装置。在弹性波装置(1)中，低声速膜(4)、压电膜(5)以及IDT电极(6)按该顺序层叠在作为高声速部件的高声速支承基板(3)上。在将由IDT电极(6)的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时，压电膜(5)的膜厚超过1.5λ且为3.5λ以下。在高声速支承基板(3)中传播的体波声速与在压电膜(5)中传播的弹性波声速相比为高速。在低声速膜(4)中传播的体波声速与在压电膜(5)中传播的弹性波声速相比为低速。
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公开(公告)号：CN107852145B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201680046210.1
申请日：2016-08-31
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岩本英树
Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制高阶模式的响应的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)，包含硅；压电膜(4)，直接或间接设置在支承基板(2)上；以及IDT电极(5)，设置在压电膜(4)的一个面。在压电膜(4)中传播的高阶模式的声速设为与由从下述的式(2)导出的x的解V1、V2、V3中的V1规定的、在硅中传播的声速Vsi＝(V1)1/2相同，或者与声速Vsi相比为高速，Ax3+Bx2+Cx+D＝0…式(2)。
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公开(公告)号：CN111587536A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201880086215.6
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 降低比反谐振频率更靠高频率侧的阻带纹波。弹性波装置(1)设置在作为天线端子的第1端子(101)与不同于第1端子(101)的第2端子(102)之间，具备多个弹性波谐振器(31～39)。多个弹性波谐振器(31～39)包含多个串联臂谐振器(31、33、35、37、39)、和多个并联臂谐振器(32、34、36、38)。在将多个弹性波谐振器(31～39)之中在电气上最接近第1端子(101)的弹性波谐振器(31)设为天线端谐振器的情况下，天线端谐振器为SAW谐振器(3B)或者BAW谐振器。多个弹性波谐振器(31～39)之中除了天线端谐振器以外的至少一个弹性波谐振器为第1弹性波谐振器(3A)。
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公开(公告)号：CN111066245A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201880054965.5
申请日：2018-08-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岩本英树
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种能够容易地调整相对带宽且能够有效地封闭弹性波的能量的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：半导体基板(2)，具有第一主面(2a)以及第二主面(2c)；压电薄膜(5)，直接或间接地设置在半导体基板(2)的第一主面(2a)上；以及IDT电极(6)，设置在压电薄膜(5)上。构成半导体基板(2)的半导体是传播的体波的声速比在压电薄膜(5)传播的弹性波的声速高的高声速材料。半导体基板(2)由包含第一主面(2a)的第一区域(2b)和包含第二主面(2c)且为第一区域(2c)以外的区域的第二区域(2d)构成。第一区域(2c)的电阻比第二区域(2d)的电阻低。
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