公开(公告)号：CN100539247C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510080932.2

申请日：2005-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  松原友惠 ,  坂仓真之

IPC: H01L51/54 ,  H05B33/22 ,  H05B33/08 ,  H05B33/26 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L27/3244

Abstract: 一种能够容易地改善视角特性的有源矩阵显示器件。在向其上制作薄膜晶体管的衬底的方向发射光的有源矩阵显示器件中，当关注由从发光元件发射的光在用来制作薄膜晶体管的膜上反射所引起的多重干涉时，借助于将反射膜形成为具有基本上λ/2的光学厚度，能够大幅度降低对多重干涉的影响，而不损失薄膜晶体管的功能。

公开(公告)号：CN1822384A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610009053.5

申请日：2006-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  野田刚司 ,  桑原秀明 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/822 ,  C23C14/22

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/5052 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明提供一种在制造有源矩阵型发光器件时，能够在比常规更短的时间内实现以低成本和高成品率制造的结构和方法。在本发明中，作为和在有源矩阵型发光器件的像素部分上排列的TFT的半导体层连接或电连接而形成的金属电极采用叠层结构，而且对该金属电极进行部分地蚀刻。然后，该部分地被蚀刻了的金属电极用作发光元件的第一电极，并在其上形成缓冲层、含有机化合物的层和第二电极。

公开(公告)号：CN1719311A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200510083582.5

申请日：2005-07-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  山崎舜平

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1343 ,  G09G3/30

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5221 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明的目的是提供一种显示器件，该显示器件可以防止因电流不断流到像素中而发生的亮点缺陷，或可以抑制因电流集中到像素的一部分而引起的给周边像素带来的影响。本发明的显示器件包括用于提供电流的布线和与该布线电连接的像素电极，其中，所述像素电极由多个不同的导电膜的叠层构成，并且至少在所述布线和所述像素电极电连接的区域中所述像素电极具有窄幅区域。另外，多个不同的导电膜可以由例如金属膜和透明导电膜的叠层构成。

公开(公告)号：CN1713792A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200510080932.2

申请日：2005-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  松原友惠 ,  坂仓真之

IPC: H05B33/22 ,  H05B33/08 ,  H05B33/26 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L27/3244

Abstract: 一种能够容易地改善视角特性的有源矩阵显示器件。在向其上制作薄膜晶体管的衬底的方向发射光的有源矩阵显示器件中，当关注由从发光元件发射的光在用来制作薄膜晶体管的膜上反射所引起的多重干涉时，借助于将反射膜形成为具有基本上λ/2的光学厚度，能够大幅度降低对多重干涉的影响，而不损失薄膜晶体管的功能。

公开(公告)号：CN1671255A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510055811.2

申请日：2005-03-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 土屋薰 ,  海老根秀之 ,  坂仓真之 ,  西毅 ,  平形吉晴

IPC: H05B33/04 ,  H05B33/12 ,  H01L51/00 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5237

Abstract: 在采用发光元件的发光装置中，本发明提供了能够防止外界湿气进入并获得足够可靠性的密封结构。所述发光装置包括发光元件以及包括该发光无件的像素部分，所述发光元件包括位于第一电极和第二电极之间的发光层。像素部分的整个表面被第二电极覆盖。不透水的绝缘膜与发光元件的第一电极接触。第一电极的边缘和所述不透水的绝缘膜被分隔壁覆盖。在分隔壁上沿像素部分的外周形成开口。所述开口在厚度方向上贯穿分隔壁，其侧壁和底面被第二电极覆盖。

公开(公告)号：CN1599523A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410078766.8

申请日：2004-09-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  永井雅晴 ,  松田丰 ,  秋元健吾 ,  藤井严 ,  山口哲司

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/08 ,  H05B33/22 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/529 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/66757 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5246 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323

Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件以及实现了在制作该显示器件时简化工序且提高成品率的制作方法。本发明的显示器件的一个结构是：一种包括多个显示元件的显示器件，所述显示元件包括第一电极；含有有机化合物的层；以及第二电极，所述显示器件包括在具有绝缘表面的衬底上的：耐热性平整膜；形成在所述耐热性平整膜上的第一电极；覆盖所述第一电极边缘的布线；覆盖所述第一电极边缘和布线的分割墙；形成在所述第一电极上的含有有机化合物的层；以及形成在所述含有有机化合物的层上的第二电极。

公开(公告)号：CN1359139A

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN01142745.0

申请日：2001-12-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  塚本洋介 ,  热海知昭 ,  坂仓真之

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L29/04 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136204 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124

Abstract: 半导体器件制造中,用干腐蚀法在层间绝缘膜中形成接触孔时产生静电。为了防止因所产生的静电移动损坏象素区或驱动电路区。在结晶半导体膜上的栅信号线相互隔开。在层间绝缘膜中开接触孔时不电连接第1保护电路。开接触孔进行的干腐蚀过程中产生的静电到达栅信号线之前,静电沿栅信号线移动,损坏栅绝缘膜,穿过结晶半导体膜,再损坏栅绝缘膜。随着干腐蚀中产生的静电损坏第1保护电路,静电能量减小,直到失去损坏驱动电路TFT的能力为止,由此防止静电放电损坏驱动电路TFT。

公开(公告)号：CN111048509B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN201911352158.4

申请日：2015-03-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明涉及半导体装置。可以提供一种包括该晶体管的半导体装置。提供一种晶体管，包括氧化物半导体、第一导电体、第二导电体、第三导电体、第一绝缘体以及第二绝缘体。第一导电体具有第一导电体与氧化物半导体隔着第一绝缘体相互重叠的第一区域、第一导电体与第二导电体隔着第一绝缘体及第二绝缘体相互重叠的第二区域以及第一导电体与第三导电体隔着第一绝缘体及第二绝缘体相互重叠的第三区域。氧化物半导体包括该氧化物半导体与第二导电体接触的第四区域以及该氧化物半导体与第三导电体接触的第五区域。

公开(公告)号：CN107123653B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201710363003.5

申请日：2012-10-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  后藤裕吾 ,  三宅博之 ,  黑崎大辅

IPC: H01L27/12 ,  G11C19/18 ,  H01L27/02

Abstract: 半导体装置。本发明的一个方式提供一种能够防止静电破坏所引起的成品率的降低的半导体装置，其中，对扫描线供应用来选择多个像素的信号的扫描线驱动电路包括生成上述信号的移位寄存器，并且，在上述移位寄存器中将用作多个晶体管的栅电极的一个导电膜分割为多个，由形成在与上述被分割的导电膜不同的层中的导电膜使上述被分割的导电膜彼此电连接。上述多个晶体管包括移位寄存器的输出一侧的晶体管。

公开(公告)号：CN107104109B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201710362808.8

申请日：2012-10-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  后藤裕吾 ,  三宅博之 ,  黑崎大辅

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 半导体装置。本发明的一个方式提供一种能够防止静电破坏所引起的成品率的降低的半导体装置，其中，对扫描线供应用来选择多个像素的信号的扫描线驱动电路包括生成上述信号的移位寄存器，并且，在上述移位寄存器中将用作多个晶体管的栅电极的一个导电膜分割为多个，由形成在与上述被分割的导电膜不同的层中的导电膜使上述被分割的导电膜彼此电连接。上述多个晶体管包括移位寄存器的输出一侧的晶体管。