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公开(公告)号：CN101512641B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200780032274.7
申请日：2007-08-22
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 一种制造磁记录介质的方法包括以下步骤：在非磁性基底的至少一个表面上沉积磁性层；以及在所述磁性层中部分地注入原子，从而使已经接受注入的原子的部分去磁或者使其非晶化，以形成磁性分离的磁记录图形。所述注入的步骤包括以下步骤：在所述沉积步骤之后对所述至少一个表面施加抗蚀剂，部分地减小所述抗蚀剂的厚度，并且用原子辐照所述抗蚀剂的表面，从而通过所述抗蚀剂的厚度减小的部分使得所述原子部分注入到所述磁性层。
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公开(公告)号：CN101681629B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200880019557.2
申请日：2008-06-17
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明旨在提供一种制造磁记录介质的方法，其是一种制造具有磁性分离的磁记录图形的磁记录介质的方法，所述方法包括：在非磁性基底上形成磁性层；然后将所述磁性层的表面部分地暴露到反应性等离子体或在所述等离子体中产生的反应性离子，以使所述磁性层的该部分非晶化。
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公开(公告)号：CN101542604A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780044047.6
申请日：2007-11-21
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/855 , C23C14/0005 , C23C14/48 , H01F41/34
Abstract: 一种制造磁记录介质(30)的方法，该磁记录介质在非磁性基底(1)的至少一个表面上具有磁性分离的磁记录图形，该方法包括以下步骤：在非磁性基底上形成磁性层(2)；在磁性层上形成掩模层(3)；在掩模层上形成抗蚀剂层(4)；使用压模(5)将磁记录图形的负图形转移到抗蚀剂层；去除掩模层的与磁记录图形的负图形对应的部分；从抗蚀剂层侧的表面将离子注入磁性层中，以使磁性层部分地非磁性化；以及去除抗蚀剂层和掩模层。一种磁记录和再现装置包括：上述磁记录介质(30)；驱动部分(11)，其沿记录方向驱动磁记录介质；磁头(27)，其包括记录部分和再现部分；用于使磁头相对于磁记录介质移动的机构(28)；以及记录和再现信号处理机构(29)，其用于向磁头输入信号和从磁头再现输出信号。
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公开(公告)号：CN101517639A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780034718.0
申请日：2007-08-16
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 一种通过将在磁道之间的区域中的矫顽力和剩余磁化减小到极限而消除了在磁记录时的写模糊现象来制造具有高面记录密度的磁记录介质的方法。在该制造磁记录介质(10)的方法中，在非磁性基底(1)的至少一侧上设置磁性层(3)，并且在磁性层(3)上形成磁性分离的磁图形(3a)；将原子注入到磁性层(3)中，同时使所述原子在磁性层(3)的厚度方向上均匀分布，然后使磁性层(3)部分地非磁性化，从而形成使磁图形(3a)磁性分离的非磁性部分(5)。
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公开(公告)号：CN115715139A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202210224956.4
申请日：2022-03-09
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H10N30/076 , H10N30/06 , H03H3/02
Abstract: 提供结晶性高的层叠体的制造方法。一种层叠体的制造方法，是制造以AlN为主成分的层叠体的方法，其特征在于，包含：在基板(210)上形成由包含金属元素的单晶构成的电极层(230)的工序；和在电极层(230)之上通过溅射而形成以AlN为主成分的压电层(240)的工序，在形成压电层(240)的工序中，在进行溅射时，对靶施加脉冲电压，将占空比设为4％以下，将施加脉冲时的平均功率密度设为200W/cm2以上且2500W/cm2以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114487948A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111181840.9
申请日：2021-10-11
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明涉及磁传感器。本发明的课题为：在利用了磁阻抗效应的磁传感器中，与感应元件的短边方向的宽度从长边方向的一端至另一端相等的情况相比，使灵敏度提高。本发明的解决手段为：磁传感器具备非磁性的基板、和设置于前述基板上且由软磁体形成的感应元件，所述感应元件具有长边方向和短边方向，在与该长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，该长边方向的中央部的宽度小于该长边方向的两端部，所述感应元件通过磁阻抗效应来感应磁场。
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公开(公告)号：CN111373594A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201880075437.8
申请日：2018-11-26
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01M10/058 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M10/052 , H01M10/0562
Abstract: 一种锂离子二次电池(1)，是依次层叠正极层(30)、固体电解质层(40)、保持层(50)、被覆层(60)和负极集电体层(70)而构成的，所述正极层(30)包含正极活性物质，所述固体电解质层(40)包含无机固体电解质，所述保持层(50)由多孔质化了的铂(Pt)构成且保持锂，所述被覆层(60)由非晶质化了的铬钛(CrTi)合金构成，所述负极集电体层(70)由铂(Pt)构成。而且，保持层(50)，通过在采用溅射来形成致密的铂层后进行充放电动作来被多孔质化，从而设有多孔质部(51)和多个孔隙(52)。由此提供全固体锂离子二次电池的能够抑制其内部剥离的制造方法。
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公开(公告)号：CN111033855A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880052811.2
申请日：2018-07-04
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01M10/052 , H01M4/131 , H01M4/62 , H01M10/0562
Abstract: 一种锂离子二次电池(1)，具备：基板(10)、层叠在基板(10)上的正极集电体层(20)、层叠在正极集电体层(20)上的正极层(30)、层叠在正极层(30)上的无机固体电解质层(40)、层叠在无机固体电解质层(40)上的负极层(50)、和层叠在负极层(50)上的负极集电体层(60)，正极层(30)成为混有非晶质化的固体电解质区域(31)和结晶化的正极区域(32)的状态，所述固体电解质区域(31)包含无机固体电解质，所述正极区域(32)包含正极活性物质。
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公开(公告)号：CN110168795A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780082425.3
申请日：2017-12-01
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01M10/052 , H01M4/505 , H01M10/0562 , H01M4/131
Abstract: 锂离子二次电池(1)是在基板(10)上层叠正极层(20)、固体电解质层(30)、负极层(40)和负极集电体层(50)而构成的。另外，正极层(20)是由锂的摩尔比高于化学计量组成的锰酸锂(Li2.5Mn2O4)构成的。
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公开(公告)号：CN109983614A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780072831.1
申请日：2017-11-01
Applicant: 昭和电工株式会社 , 昭和电工包装株式会社
IPC: H01M10/0585 , H01M2/02 , H01M2/06 , H01M2/26 , H01M4/13 , H01M4/139 , H01M4/66 , H01M10/052 , H01M10/0562
Abstract: 锂离子二次电池(1)具备电池单元(50)和外装部(30)，电池单元(50)包含金属制的基板(5)、在基板(5)的正面形成的第1电池部(10)和在背面形成的第2电池部(20)，外装部(30)在内部收纳第1电池部(10)和第2电池部(20)。在外装部(30)中，第1金属层(313)与第1电池部(10)的第1负极集电体层(14)连接，第2金属层(323)与第2电池部(20)的第2负极集电体层(24)连接，通过将第1金属层(313)与第2金属层(323)连接，使得在外装部(30)内，第1电池部(10)与第2电池部(20)并联。
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