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公开(公告)号：CN101461047A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020883.0
申请日：2007-06-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0558 , C30B7/005 , C30B29/54 , H01L51/0003 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的制造方法是具备含有有机半导体材料的结晶的半导体层的半导体元件的制造方法。该制造方法包括(i)在基板(基材)(11)上形成框架(frame)体(12)的工序和(ii)在框架体(12)的内侧形成半导体层(结晶(13))的工序。工序(ii)包括将含有有机半导体材料和液体介质的溶液(21)(液体)配置于框架体(12)的内侧并由溶液(21)形成结晶(13)的结晶形成工序。
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公开(公告)号：CN100466178C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200480038996.X
申请日：2004-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
IPC: H01L21/208 , C30B11/06 , C30B19/02 , C30B29/38
CPC classification number: C30B9/00 , C30B9/10 , C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02392 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02625
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物晶体的制造方法，其是在含有氮的气氛下，使含有选自Ga、Al以及In之中的至少一种III族元素和碱金属的助熔剂中含有Mg，然后在该助熔剂中进行III族氮化物晶体的生长，从而形成III族氮化物基板。由于Mg是III族氮化物晶体的P型掺杂材料，因此即使在晶体中混入Mg，晶体仍然表现出P型或半绝缘性的电特性，在电子器件的应用中不成问题。另外，通过使上述助熔剂含有Mg，在助熔剂中氮的溶解量增大，从而能够以快速生长速率进行晶体生长，晶体生长的重现性也得以提高。
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公开(公告)号：CN100451623C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200380103827.5
申请日：2003-12-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01N21/64
CPC classification number: G01N21/645 , G01N2021/6421 , G01N2021/6471
Abstract: 光源(1)发射的光激发测量物质(2)，该物质(2)产生的荧光按顺序照射到透射型带通滤光片(4，6，8)，特定波长的光穿过带通滤光片(4，6，8)，由光接收部件(5，7，9)探测。测量由各个光接收部件(5，7，9)所探测到的信号光强之间的差异或相对比率，以测定荧光光谱的峰值波长，从而鉴别物质(2)。使用这种配置，能够获得尺寸小巧、价格低廉、探测迅速的荧光计。
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公开(公告)号：CN100394298C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200410028223.5
申请日：1996-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/37
CPC classification number: G02F1/37 , G02F1/3558 , G02F1/3775 , G02F2203/60 , H01S3/09415 , H01S3/109 , H01S3/23 , H01S5/0092 , H01S5/02 , H01S5/40 , H01S5/4087
Abstract: 在一个LiTaO3基底1中形成了一些畴反转层3之后，形成一个光学波导。通过对这样形成的光学波长转换元件进行低温退火，便形成一个稳定质子交换层8，其中在高温退火过程中所产生的折射率增大被减少，由此提供了一个稳定的光学波长转换元件。这样，相位匹配波长变得恒定，谐波输出的变化被消除。结果，对于利用非线性光学效应的光学波长转换元件而言，提供了高度可靠的元件。
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公开(公告)号：CN100394297C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510059086.6
申请日：2002-07-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/295
CPC classification number: G02B6/4201 , G02B6/4207 , G02B6/4257 , G02B6/4262 , G02F1/37 , H01S5/0092 , H01S5/02252 , H01S5/02296 , H01S5/06256
Abstract: 一种高精度地控制射出角和发光位置的相干光源，将波长可变的DBR半导体激先器(1)和光波导型QPM-SHG器件(2)安装在Si底座(7)上，并将Si底座(7)固定在管壳(11)内来作为相干光源。管壳(11)的底座固定面上形成了作为固定Si底座(7)时的基准标记的基准线(A)、(B)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1989716A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580024293.6
申请日：2005-07-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04B10/10 , G09G3/20 , H04B10/105 , H04B10/22
CPC classification number: H04B10/116 , G09G3/003 , G09G3/02 , G09G3/32 , G09G3/3406 , G09G2310/0237 , G09G2320/028 , G09G2320/0633 , G09G2320/0646 , G09G2354/00 , G09G2360/14 , H04B10/1141 , H04N13/305 , H04N13/376
Abstract: 本发明提供一种影像显示装置及影像显示系统，对以指定的帧频显示的影像不会产生影响而可以执行可见光通信。控制器(12)，按照影像信号来控制空间调制器(14)，让其显示影像，并通过以大于影像信号的帧频的频率对来自背光(13)的可见光进行强度调制，在来自背光(13)的可见光中加载附加信息。受光器(15)接收该可见光并进行解调，从中抽出附加信息。附加信息发生器(16)输出该附加信息。
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公开(公告)号：CN1305184C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410028220.1
申请日：1996-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02F1/37 , G02F1/3558 , G02F1/3775 , G02F2203/60 , H01S3/09415 , H01S3/109 , H01S3/23 , H01S5/0092 , H01S5/02 , H01S5/40 , H01S5/4087
Abstract: 在一个LiTaO3基底1中形成了一些畴反转层3之后，形成一个光学波导。通过对这样形成的光学波长转换元件进行低温退火，便形成一个稳定质子交换层8，其中在高温退火过程中所产生的折射率增大被减少，由此提供了一个稳定的光学波长转换元件。这样，相位匹配波长变得恒定，谐波输出的变化被消除。结果，对于利用非线性光学效应的光学波长转换元件而言，提供了高度可靠的元件。
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公开(公告)号：CN1922346A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005839.3
申请日：2005-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B29/36 , C30B9/00 , C30B9/10 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
Abstract: 提供一种可以以低成本制造大型的碳化硅(SiC)单晶的制造方法。通过将硅(Si)和碳(C)溶解在碱金属助熔剂中并使它们反应，使碳化硅单晶生成或生长。作为上述碱金属，优选为锂(Li)。根据该方法，即使是在例如1500℃以下的低温条件下，也可以制造碳化硅单晶。将通过本发明的方法得到的碳化硅单晶的一个例子显示在图3(B)的照片上。
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公开(公告)号：CN1720649A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200380103147.3
申请日：2003-11-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02B6/42 , G02B6/4239 , G02F1/3775 , H01S5/0092 , H01S5/02208 , H01S5/02252
Abstract: 一种激光器模块，包括：子支座；固定到子支座表面上的半导体激光器；以及通过粘结层连接于子支座表面的光波导，使得该光波导器件与半导体激光器光耦合。第一凹槽形成在子支座表面上对应于光波导器件入射端面的区域上，第一凹槽平行于半导体激光器的出射端面形成，并且与其具有预定间隔。形成粘结层使得光波导器件入射端面上的粘结层的末端位于从邻接第一凹槽远离半导体激光器的远边缘的位置到第一凹槽的内部的范围内，并且其不会与半导体激光器的出射端面接触。因为粘结层可以位于优选范围内，所以可以抑制由于温度变化引起的变形造成的耦合错位。
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公开(公告)号：CN1696807A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510059086.6
申请日：2002-07-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/295
CPC classification number: G02B6/4201 , G02B6/4207 , G02B6/4257 , G02B6/4262 , G02F1/37 , H01S5/0092 , H01S5/02252 , H01S5/02296 , H01S5/06256
Abstract: 一种高精度地控制射出角和发光位置的相干光源，将波长可变的DBR半导体激光器(1)和光波导型QPM－SHG器件(2)安装在Si底座(7)上，并将Si底座(7)固定在管壳(11)内来作为相干光源。管壳(11)的底座固定面上形成了作为固定Si底座(7)时的基准标记的基准线(A)、(B)。
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