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公开(公告)号：CN114944454A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210539237.1
申请日：2022-05-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器的制备方法，现有技术中不同结构和工艺制备的氧化锌基忆阻器性能差别较大，性能不好。本发明首先在硅基底热蒸镀金电极，然后在金电极表面制备磷化亚铜薄膜，接着在磷化亚铜表面制备氧化锌薄膜，最后在氧化锌薄膜表面蒸镀银电极。本发明随着电压升高，阻值由低阻向高阻的转变，反向施加电压后，再由高阻态恢复到低阻态，开关电压0.3‑0.4V，功耗低，开光比大，器件稳定性高。
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公开(公告)号：CN113388392B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110593627.2
申请日：2021-05-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种荧光材料的制备方法，本发明采用次磷酸钠作为磷源，表面生长有氧化铜的铜箔作为铜源，通过在惰性气氛中加热，铜被磷化生成磷化亚铜，氧化铜生成氧化亚铜，获得氧化亚铜‑磷化亚铜复合材料。本发明以铜箔表面生长的氧化亚铜‑磷化亚铜复合材料，后经退火处理，获得高结晶质量磷化亚铜，磷化亚铜与氧化亚铜晶界缺陷少。复合材料制备方法简单，成本低，所制备复合材料，发光峰位于红光与近红外光的交界处，荧光峰中心位置750nm，半高宽70nm，单色性较好好，光致发光效率较高。
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公开(公告)号：CN114188425A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111491980.6
申请日：2021-12-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光探测器件的制备方法，将生长于基底表面的磷化亚铜二维薄膜安放于热蒸发蒸镀仪器的样品座上，通过掩膜法在磷化亚铜表面沉积银电极；通过掩膜法在磷化亚铜表面沉积银电极，具体为：首先抽真空，当腔体真空度低于10pa时，将衬底加热至150℃～350℃；待真空计示数低于4.0×10‑3Pa时，开始蒸镀银薄膜；通过调节蒸发电流来控制蒸发速率，蒸发速率调节于1.8‑2.2A/s；当薄膜厚度增长至200～500纳米时，停止蒸镀，待其冷却至室温时，获得器件。本发明通过磷化亚铜与金属材料结合，形成肖特基二极管，制备该二极管所需原材料丰富，制备简单，成本低，对于可见光与近红外光光效应速率较好。
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公开(公告)号：CN111041449B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201911385340.X
申请日：2019-12-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/02 , C01G41/00
Abstract: 本发明公开了一种特定形貌二硫化钨的制备方法，本方法以氩气和氢气为载气，金属钯作为催化剂，在高温下通过CVD法合成具有三角形框架结构的二硫化钨。与现有的CVD法合成的三角形、六边形实心连续薄膜相比，该方法得到的二硫化钨薄膜中的边缘原子在总原子数中的占比增大，提高二硫化钨用作催化剂材料时的催化活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113388392A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110593627.2
申请日：2021-05-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种荧光材料的制备方法，本发明采用次磷酸钠作为磷源，表面生长有氧化铜的铜箔作为铜源，通过在惰性气氛中加热，铜被磷化生成磷化亚铜，氧化铜生成氧化亚铜，获得氧化亚铜‑磷化亚铜复合材料。本发明以铜箔表面生长的氧化亚铜‑磷化亚铜复合材料，后经退火处理，获得高结晶质量磷化亚铜，磷化亚铜与氧化亚铜晶界缺陷少。复合材料制备方法简单，成本低，所制备复合材料，发光峰位于红光与近红外光的交界处，荧光峰中心位置750nm，半高宽70nm，单色性较好好，光致发光效率较高。
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公开(公告)号：CN109321242B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201811123530.X
申请日：2018-09-26
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种荧光材料的制备方法。二硫化钨分子层薄膜能够发射红色荧光，但存在发光性能低、稳定性差的问题，影响到二硫化钨单分子层薄膜光电器件的应用，制备荧光高发射性能的二硫化钨单分子层薄膜尤为重要。本方法采用化学气相沉积法生长了二硫化钨单分子层薄膜，在二硫化钨单分子层薄膜表面制备具有驻极体性能的薄膜材料，后经过电晕放电电荷注入获得了发光性能增强的荧光材料。该方法制备的荧光发光材料具有发光性能好、性能稳定的优点。
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公开(公告)号：CN112941466A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110122717.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法，现有技术中贵金属元素掺杂后，可以改变h‑BN的导电类型、降低禁带宽度和电导能力。不同于石墨烯，h‑BN单分子层薄膜的制备非常困难；本发明采用氨硼烷和金作为h‑BN前驱物和掺杂剂，通过气相法在基底上制备出金掺杂h‑BN薄膜，厚度从单分子层厚度到20nm。制备的h‑BN其光学、电学性能可通过金掺杂量进行调节。
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公开(公告)号：CN112795898A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011590101.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/30
Abstract: 本发明公开了一种硼、氮共掺杂二硫化钨薄膜的制备方法；本发明将WS2固体粉末放在石英舟中，基底放在石英舟载气气流下游方向，距离石英舟水平距离20cm；将硼氨烷放在石英试管中，并位于石英管载气上游端，将石英舟和石英试管加热保温一段时间后，冷却得到硼、氮共掺杂二硫化钨薄膜。本专利采用硫化钨(WS2)固体粉末作为硫化钨薄膜生长的前驱物，硼氨烷作为掺杂元素硼(B)、氮(N)的前驱物，通过化学气相沉积法(CVD)合成B，N共掺杂的大面积、连续二硫化钨薄膜，对于研究硫化钨的共掺杂、改善硫化钨的电学性能、催化性能、抗菌性能是有益的。
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公开(公告)号：CN112744876A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011590106.3
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种螺旋线形貌硫化钯颗粒的自组装方法，本发明先将硫固体粉末放在石英舟中，再将石英舟放入石英管，将氯化钯盐酸溶液放在基底上，基底放置在石英管中，位置在载气流向下游方向，石英管中输入载气氩氢混合气并加热保温，待冷却到200‑250℃后取出并在室温下冷却至室温，获得硫化钯球形颗粒自组装图案；本发明将金属钯盐和硫高温下发生化学反应，该自组装图案是通过化学反应‑扩散机制形成。
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