一种光控太赫兹光纤调制器及其光振幅调制方法

    公开(公告)号:CN113721376A

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202110863050.2

    申请日:2021-07-29

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明公开了一种光控太赫兹光纤调制器及其光振幅调制方法,该光控太赫兹光纤调制器包括:用来传输太赫兹波的太赫兹光纤,太赫兹光纤的侧边设置抛磨区域,侧边设置有抛磨区域的太赫兹光纤端面呈“D”型;抛磨区域上设置具有微纳结构的超材料,超材料上设置石墨烯,形成作为光调制结构的石墨烯‑超材料结构。本发明采用侧边抛磨太赫兹光纤结构,能有效降低太赫兹波在自由空间中的损耗,增大石墨烯与太赫兹波倏逝场的接触面积,提高了调制效率。本发明采用石墨烯作为调制媒介物质可有效提高太赫兹调制器的调制特性。在太赫兹波段,采用超材料制备的纳米周期性结构具有高谐振因子。谐振增强使得超材料与太赫兹光的相互作用得到有效加强。

    一种用阵列电极进行光束偏转的铌酸锂波导及制作方法

    公开(公告)号:CN106842760B

    公开(公告)日:2019-10-15

    申请号:CN201710134608.7

    申请日:2017-03-08

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本专利涉及电光调制器件的技术领域,公开了一种用阵列电极进行光束偏转的铌酸锂波导,由上而下依次为阵列电极、缓冲层、单晶铌酸锂薄膜、绝缘层、金属电极和衬底,所述阵列电极由形状为平行四边形的微结构电极单元组成,所述单晶铌酸锂薄膜中间包裹有条状的质子交换铌酸锂波导,设置在缓冲层下方并正对阵列电极。本专利制造工艺简单,且损耗低、稳定性强,兼顾器件的高速调制特性和电光效应引起折射率变化的有效性,能够通过电光效应达到光模式偏转和光模场调控目的。

    一种基于去芯侧边抛磨光纤的折射率监测装置及方法

    公开(公告)号:CN107064063A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201610508388.5

    申请日:2016-06-28

    Applicant: 暨南大学

    CPC classification number: G01N21/45 G01N2021/458

    Abstract: 本发明公开一种基于去芯侧边抛磨光纤的折射率监测装置及方法,该装置包括通过单模通信光纤依次连接的宽谱光源、去芯侧边抛磨光纤和光频谱分析仪,所述去芯侧边抛磨光纤的抛磨区由单模通信光纤经侧边抛磨而成,依次包括第一纤芯完整区、第一抛磨过渡区、抛磨平坦区、第二抛磨过渡区和第二纤芯完整区,所述抛磨过渡区是将单模通信光纤的光纤纤芯部分抛磨掉形成的,所述抛磨平坦区是将单模通信光纤的光纤纤芯全部抛磨掉形成的,将去芯侧边抛磨光纤作为传感头浸入待测介质中,宽谱光源发出的信号光经过单模通信光纤后入射去芯侧边抛磨光纤中,发生多模干涉。

    一种用阵列电极进行光束偏转的铌酸锂波导及制作方法

    公开(公告)号:CN106842760A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201710134608.7

    申请日:2017-03-08

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明涉及电光调制器件的技术领域,公开了一种用阵列电极进行光束偏转的铌酸锂波导,由上而下依次为阵列电极、缓冲层、单晶铌酸锂薄膜、绝缘层、金属电极和衬底,所述阵列电极由形状为平行四边形的微结构电极单元组成,所述单晶铌酸锂薄膜中间包裹有条状的质子交换铌酸锂波导,设置在缓冲层下方并正对阵列电极。本发明制造工艺简单,且损耗低、稳定性强,兼顾器件的高速调制特性和电光效应引起折射率变化的有效性,能够通过电光效应达到光模式偏转和光模场调控目的。

    一种光子晶体光纤方位角的确定方法

    公开(公告)号:CN104197863A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201410380952.0

    申请日:2014-08-05

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明公开了一种光子晶体光纤方位角的确定方法,用激光垂直照射在光子晶体光纤的侧面并在前方的成像屏上成像,用数码相机拍摄散射条纹图案,其特征在于:对散射条纹图案的处理方式为:将散射条纹图案分割成上下两个区域,两个区域光强度之和分别为第一特征值和第二特征值,逐步旋转光子晶体光纤,得到与旋转角度一一对应的第一特征值组和第二特征值组,求得第一旋转角度极值组及第二旋转角度极值组,并分别从中选出第一角度θ1及第二角度θ2,该两角度差值的绝对值小于20°,光子晶体光纤ГК方位角θГК由公式θГК=(θ1+θ2)/2确定。本发明可用于光子晶体光纤器件的制作加工过程,具有重要的应用前景。

    一种全光纤集成的电光晶体电场探头及解调装置

    公开(公告)号:CN218767125U

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202222794640.7

    申请日:2022-10-24

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本实用新型公开了一种全光纤集成的电光晶体电场探头及解调装置,该电光晶体电场探头包括:保偏光纤,第一玻璃套管、第二玻璃套管、准直透镜、1/4波片、电光晶体和反射膜保偏光纤与第一玻璃套管固定连接,第一玻璃套管与第二玻璃套管固定连接,保偏光纤与准直透镜连接,准直透镜与1/4波片连接,1/4波片与电光晶体连接,电光晶体与反射膜连接;准直透镜和1/4波片设于第二玻璃套管内。本实用新型解决空间光学元件难集成、易受振动、体积大、难以耦合等造成电场测量不稳定的问题,提高测量装置的灵敏度和稳定性。

    一种基于石墨烯的光纤温度传感器

    公开(公告)号:CN203405289U

    公开(公告)日:2014-01-22

    申请号:CN201320351588.6

    申请日:2013-06-19

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本实用新型公开了一种基于石墨烯的光纤温度传感器,其特征在于:在一段圆形普通光纤上,其中一段长度为1~3cm的区域设为光纤传感区,光纤传感区的部分包层被去除,光纤包层与纤芯界面的最短距离为1~3μm,在光纤传感区上沉积了还原氧化石墨烯薄膜,还原氧化石墨烯薄膜的厚度为10~30μm。本实用新型利用石墨烯的热致光吸收效应制作温度传感器,具有响应速度快、灵敏度高、寿命长、抗电磁干扰能力强等优点。

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