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公开(公告)号：CN117083697A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202280025525.3
申请日：2022-03-24
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种层叠体，其特征在于，具有：半导体基板、透光性的支承基板、以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层和剥离层，所述层叠体用于：在所述剥离层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板与所述支承基板剥离，所述剥离层是由剥离剂组合物形成的层，所述剥离剂组合物含有具有第一结构和作为第二结构的硅氧烷结构的化合物，所述第一结构是吸收所述光的结构，并且通过吸收所述光而有助于所述半导体基板与所述支承基板变得容易剥离。
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公开(公告)号：CN116508132A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202180079636.8
申请日：2021-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种层叠体，具有：支承基板；半导体基板，在所述支承基板侧具有凸块；无机材料层，介于所述支承基板与所述半导体基板之间，且与所述半导体基板相接；以及粘接层，介于所述支承基板与所述无机材料层之间，且与所述支承基板和所述无机材料层相接，所述层叠体用于在所述层叠体中的所述半导体基板的加工后使所述支承基板与所述半导体基板分离的用途，所述支承基板与所述半导体基板分离时的、所述无机材料层与所述粘接层的粘接力小于所述无机材料层与所述半导体基板的粘接力。
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公开(公告)号：CN113439325A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202080014674.0
申请日：2020-02-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/32 , C11D7/50
Abstract: 本发明提供一种清洗剂组合物，其用于去除残留于基体上的聚硅氧烷系粘接剂，所述清洗剂组合物包含氟化四(烃)铵和有机溶剂，上述有机溶剂包含亚烷基二醇二烷基醚和式(1)所示的内酰胺化合物。(式中，R101表示碳原子数1～6的烷基，R102表示碳原子数1～6的亚烷基。)
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公开(公告)号：CN113226743A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980085649.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: B32B27/00 , C09J11/04 , C09J183/04 , C09J183/05 , C09J183/07 , C09J201/00 , H01L21/02 , H01L21/304 , C09J7/30 , C09J7/40 , B32B7/12
Abstract: 一种能通过光照射而剥离的光照射剥离用粘接剂组合物，其包含粘接剂成分和炭黑，所述粘接剂成分包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)。
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公开(公告)号：CN113166624A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980075287.5
申请日：2019-11-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09J183/04 , B32B27/00 , C09J5/00 , C09J11/08 , C09J183/05
Abstract: 本发明涉及一种红外线剥离用粘接剂组合物，其能通过照射红外线而剥离，所述红外线剥离用粘接剂组合物含有：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及成分(B)，选自由包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分、包含含甲基的聚有机硅氧烷的成分以及包含含苯基的聚有机硅氧烷的成分构成的组中的至少一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113165344A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077764.1
申请日：2019-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: B32B27/00 , C09J11/06 , C09J183/04 , C09J183/05 , C09J183/07 , H01L21/02 , H01L21/304 , B32B7/12
Abstract: 本发明涉及一种粘接剂组合物，其用于在由半导体形成基板构成的第一基体与由支承基板构成的第二基体之间形成以能剥离的方式粘接的粘接层，所述粘接剂组合物包含：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及剥离成分(B)，含有包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分，所述成分(A)包含聚硅氧烷(A1)和铂族金属系催化剂(A2)，所述聚硅氧烷(A1)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q单元)等，所述聚硅氧烷(A1)包含聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)，所述聚有机硅氧烷(a1)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q’单元)等，所述聚有机硅氧烷(a2)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q”单元)等，并且官能团(Si－H)的量为5.0mol/kg以上。
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公开(公告)号：CN119895542A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380065192.1
申请日：2023-09-06
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/24 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/50
Abstract: 本发明提供半导体基板的清洗方法、包括这样的清洗方法的经加工的半导体基板的制造方法以及用于这样的清洗方法的组合物，所述半导体基板的清洗方法能以简便的操作、更短时间且更干净地将例如使用硅氧烷系粘接剂得到的粘接层从表面具有该粘接层的半导体基板上去除(清洗)。一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，包括：使用剥离和溶解用组合物将半导体基板上的粘接层剥离和溶解的工序，所述剥离和溶解用组合物包含如下成分：[I]成分：季铵盐；[II]成分：酰胺系溶剂；[III]成分：下述式(L0)～(L4)中的任意式所示的溶剂；以及[IV]成分：下述式(T)或下述式(G)所示的溶剂。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN113439324B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202080014654.3
申请日：2020-02-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/32 , C11D7/50
Abstract: 本发明提供一种清洗剂组合物，其用于去除残留于基体上的聚硅氧烷系粘接剂，所述清洗剂组合物包含氟化四(烃)铵和有机溶剂，上述有机溶剂包含式(1)所示的内酰胺化合物和含环状结构的醚化合物，所述含环状结构的醚化合物包含选自环状醚化合物、环状烷基链状烷基醚化合物、环状烷基支链状烷基醚化合物以及二(环状烷基)醚化合物中的至少一种。(式中，R101表示碳原子数1～6的烷基，R102表示碳原子数1～6的亚烷基。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119365962A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202380047157.7
申请日：2023-06-06
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/56 , H01L23/12
Abstract: 提供一种层叠体、形成如下能剥离的粘接剂层的粘接剂组合物、以及使用如下层叠体的经加工的半导体基板或电子器件层的制造方法，所述层叠体具有一层中既具有粘接功能也具有剥离功能的、能通过光照射而剥离的粘接剂层，所述层叠体在半导体基板或电子器件层的加工时，能将支承基板与该半导体基板或该电子器件层牢固地粘接，并且在基板加工后，能通过光照射将支承基板与该半导体基板或该电子器件层容易地分离。
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公开(公告)号：CN119301738A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202380029417.8
申请日：2023-03-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C08L83/05 , C08L83/07 , C08L83/12 , C09J183/05 , C09J183/07 , H01L21/02
Abstract: 提供一种粘接剂、具有该粘接剂的层叠体，所述粘接剂向晶片的电路面、支承体(支承基板)的旋涂性优异，将晶片的电路面与支承体隔着粘接层接合的接合时、晶片背面的加工时的耐热性优异，在晶片加工后(例如晶片背面的研磨后)能容易地将晶片与支承体剥离。一种粘接剂，其在支承体与晶片的电路面之间可剥离地粘接，用于对晶片的背面进行加工，所述粘接剂包含：通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)和包含聚醚改性硅氧烷的成分(B)。
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