公开(公告)号：CN103022117A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210262950.2

申请日：2012-07-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  尾崎史朗 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/458 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/0607 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/19 ,  H03F3/245

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。一个化合物半导体器件的实施方案包括：衬底；形成在衬底上的化合物半导体堆叠结构；和形成在衬底和化合物半导体堆叠结构之间的非晶绝缘膜。

公开(公告)号：CN103000683A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210262740.3

申请日：2012-07-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山田敦史

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/458 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件的实施方案，包括：Si衬底；形成于Si衬底表面之上的Si氧化物层；形成于Si氧化物层之上的成核层，成核层露出Si氧化物层的一部分；以及形成于Si氧化物层和成核层之上的化合物半导体堆叠结构。

公开(公告)号：CN102637735A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210031567.6

申请日：2012-02-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水早苗 ,  山田敦史

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法，所述化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的电子传输层；以及形成在电子传输层上的电子供给层，其中在衬底的表面上以混合方式存在与电子传输层相比具有较小热膨胀系数的一个或更多个第一区域以及与电子传输层相比具有较大热膨胀系数的一个或更多个第二区域。

公开(公告)号：CN102487074A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201110402827.1

申请日：2011-12-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  山田敦史

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：基底；初始层，形成在基底的上方；以及核心层，形成在初始层的上方且包含III-V族化合物半导体。初始层是核心层中所包含的III-V族化合物半导体的III族原子的层。本发明可降低形成裂痕的可能性和/或可以防止形成裂痕，并使更高的电子迁移率变得可实现。