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公开(公告)号：CN117460272A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311503760.X
申请日：2023-11-10
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司 , 西北工业大学 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种马赛克钙钛矿太阳电池，包括：由窄带反射滤光层、ITO导电玻璃层、电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层和金属阳极依次叠加的钙钛矿电池单元、互连层和无间隙封装膜；其中，所述互连层与所述钙钛矿电池单元连接形成马赛克电池组件；所述无间隙封装膜通过无间隙封装工艺封装所述马赛克电池组件。本发明提供的窄带反射滤光层颜色调制策略，避免了对电池单元功能层的直接影响，充分发挥了钙钛矿材料优异的光电特性，极大地减少了电池单元的效率损失，为提高马赛克钙钛矿太阳电池组件整体效率提供了理想途径。
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公开(公告)号：CN117412614A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311498710.7
申请日：2023-11-10
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司 , 西北工业大学 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
Abstract: 本发明属于可穿戴光伏领域，具体涉及一种纤维封装电池及其制备方法。包括纤维封装结构和太阳能电池，所述纤维封装结构用于封装所述太阳能电池，且所述纤维封装结构与所述太阳能电池电连接。本发明纤维封装电池，满足可穿戴设备的使用，为太阳能电池在可穿戴领域的应用奠定了一定基础。
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公开(公告)号：CN114512551A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210007310.0
申请日：2022-01-06
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司 , 西北工业大学 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种基于p型硅基底的双面TOPCon光伏电池，包括在p型硅片背面依次设置的第一遂穿层、p型掺杂多晶硅层、第一钝化减反层以及背面电极；所述双面TOPCon光伏电池还包括在所述p型硅片正面依次设置的n型掺杂发射极层、第二遂穿层、n型掺杂Ga2O3层、第二钝化减反层以及正面电极。本发明的技术方案中，在双面p型TOPCon光伏电池的正面结构中采用n型掺杂Ga2O3层代替现有的重掺杂多晶硅层，n型掺杂Ga2O3层具有较大的禁带宽度(～4.8eV)，在可见光范围内具有更高的透过率，可以提高可见光的入射效率，从而有效提高光伏电池的电流输出能力。
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公开(公告)号：CN114472231A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210039332.5
申请日：2022-01-13
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司 , 西北工业大学 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种TOPCon电池测试分选设备。需要设计一种能够通过厚度去分选TOPCon电池的分选设备，在电池完成效率和颜色分档后进一步通过厚度区分细化电池的包装分类，避免组件因厚度不均出现的隐裂隐患。一种TOPCon电池测试分选设备，包括有底座、回型座和安装架等，底座顶部左右对称固接有回型座，左侧回型座右侧面上部中间与右侧回型座左侧面上部中间都固接有安装架。本发明从右上方将TOPCon电池放入放置机构内，启动驱动机构运作带动放置机构反转，放置机构反转带动TOPCon电池反转，电池反转不与限位板接触时，电池继续反转从放置机构掉落至收集容器内，不合格的电池会与限位板接触，电池从放置机构掉落出，如此，可根据厚度将太阳能电池进行精细化分选。
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公开(公告)号：CN114296184A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202210135027.6
申请日：2022-02-14
Applicant: 西北工业大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明提出一种微纳粒子及其阵列与光波导集成的光子学器件结构。该光子学器件结构包括第一微纳粒子，第二微纳粒子，第一光波导，第二光波导，以及基底层。其特征在于第一微纳粒子和第二微纳粒子分别位于第一光波导和第二光波导的轴线延长线方向；第一微纳粒子，第二微纳粒子，第一光波导和第二光波导属于横向光散射层；横向光散射层制备在基底层上。所述微纳粒子和光波导的材料包括但不限于，硅、锗、或者氮化硅等电介质材料。该光子学器件结构实现入射光束的正交偏振分量分别耦合进第一光波导和第二光波导。该集成光子学器件结构及其阵列可以实现分光器或传感器功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106773102B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201611153922.1
申请日：2016-12-14
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供一种激光显示系统中抑制激光散斑的MEMS振镜及其制作方法，该MEMS振镜以SOI片(Silicon‑On‑Insulator)为加工对象，采用光刻、刻蚀和镀膜等微加工工艺制作，主要包含反射镜面、谐振悬梁、驱动梳齿和检测梳齿等结构。反射镜面表面设计有随机分布且微小的波浪起伏特征，在实现激光反射的同时通过干扰激光相位实现散斑抑制功能。反射镜面上设计有与之相匹配的驱动梳齿、检测梳齿和谐振梁结构，通过梳齿静电驱动可以实现反射镜的面内振动，利用人眼视觉暂留时间内散斑图像的叠加从而实现散斑对比度因时间平均而被降低，增强器件的散斑抑制效果。本发明所提供的MEMS振镜形式的激光散斑抑制器件具有可靠性高、能耗低、散斑抑制效果明显、加工简单，易于大批量生产等特点。
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公开(公告)号：CN104764559B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510125371.7
申请日：2015-03-20
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01L9/08
Abstract: 本发明提出了一种硅谐振压力传感器闭环控制电路及实现方法，谐振器1的振动产生变化电容信号后分为两路，一路经过第一数字模块4、第二数字模块5、减法器模块6、参考数字信号7、数字比例控制器8形成放大的负反馈误差控制量；另一路经过交流提取模块9和数字运算单元10后完成偏置处理和溢出检测；D/A数模转换器11将处理完毕的数字量转换成模拟信号以驱动谐振器振动。本发明用数字算法代替模拟电路，节省模拟整流、滤波环节中消耗的时间，以提升系统动态特性；用数字算法获取正弦信号的有效值精度比模拟低通滤波获取的有效值精度更高，提高闭环回路中正弦信号振幅的稳定程度；数字电路降低整个系统的功耗，并提升系统的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN105047525A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510124275.0
申请日：2015-03-20
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明是属于集成电路和微纳电子机械系统制造领域，特别是一种高深宽比纳米结构阵列的制造方法。该方法需要制备高深宽比柔性纳米纤毛结构的软模板，软膜版以PDMS为浇注材料；复制高深宽比柔性纳米纤毛阵列的模板。以压印过的PDMS为模板，采用紫外光固化胶OrmoStamp材料进行压印，这样就得到了和硅模具上一样的柔性结构。本发明的有益效果是：针对高深宽比柔性纳米结构的制造难点，提出了基于PDMS和紫外光固化胶OrmoStamp两种柔性材料，通过两次压印的方法，实现高深宽比纳米纤毛阵列的柔性制造，为高深宽比柔性纳米结构的制造提供重要的技术支持。
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公开(公告)号：CN104765144A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510125181.5
申请日：2015-03-20
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种电磁—静电混合驱动二维微扫描镜及制作方法，属于微光机电系统(MOEMS)器件领域。该器件主要由中心镜面1、支撑镜面外框架2、静电驱动组件3、电磁驱动组件4组成。其中，中心镜面采用基于洛仑兹力的电磁驱动，支撑镜面外框架采用基于垂直梳齿的静电驱动，其优势在于：电磁驱动所用的线圈可通过刻蚀、剥离、电镀等工艺手段获得，与IC工艺兼容；支撑镜面外框架采用基于垂直梳齿的静电驱动，相比于中心镜面采用静电驱动，动静梳齿间的电隔离可直接通过刻蚀出隔离槽实现，省略了隔离沟槽填充工艺，大大简化了制作工艺。
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公开(公告)号：CN104760926A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510125461.6
申请日：2015-03-20
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明为基于SOI的超高深宽比纳米结构阵列的制作方法，属于微机电系统(MEMS)工艺领域，尤其涉及一种MEMS工艺中的超高深宽比纳米阵列的制备工艺。该方法通过多晶硅和氮化硅交替沉积和刻蚀的方法实现不同阵列数目的超高深宽比纳米结构阵列的制作，同时高深宽比纳米结构阵列的间距可以通过改变二氧化硅层的厚度实现，本发明工艺流程简单易实现，降低制作成本，解决了MEMS工艺中超高深宽比纳米结构阵列的制作难题。通过该方法，在结构材料强度一定的情况下，使纳米结构阵列深宽比达到最大。
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