一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜及其应用

    公开(公告)号:CN105088183A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201510512138.4

    申请日:2015-08-19

    Abstract: 本发明涉及一种SiC纳米颗粒薄膜,具体涉及一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜及其应用,属于纳米材料技术领域。所述P掺杂SiC纳米颗粒薄膜的相成份为3C-SiC,所述P掺杂SiC纳米颗粒薄膜中P掺杂量为0.25-0.30at.%,所述纳米颗粒薄膜通过有机前驱体粉末和FePO4·H2O粉末混合后在气氛烧结炉中高温热解而成。本发明SiC纳米颗粒薄膜的表面具有大量尖锐的棱边和棱角,通过简单可控,具有很好重复性的方法实现了在碳纤维布衬底上制备SiC纳米颗粒薄膜,实现了对SiC纳米颗粒薄膜的P掺杂,并实现了对P掺杂SiC纳米颗粒尺寸的有效调控。

    一种全介孔纳米纤维材料的通用制备方法

    公开(公告)号:CN104404653A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201410685385.X

    申请日:2014-11-25

    Abstract: 本发明提供一种全介孔纳米纤维材料的通用制备方法,包括以下步骤:(1)将配置的前驱体纺丝液置于静电纺丝机中进行静电纺丝,最终从接收阴极上收集得到有机前驱体纤维,所述前驱体纺丝液中添加有发泡剂;(2)将所述前驱体纤维进行煅烧,即可获得具有全介孔结构的纳米纤维材料。本发明能够实现高纯度、微孔结构均匀空间分布的全介孔纳米纤维材料的可控制备;能够实现全介孔纤维材料的一步法制备,通用性强,工艺简单可控,重复性好。

    一种调控n型SiC单晶低维纳米材料掺杂浓度的方法

    公开(公告)号:CN103352253A

    公开(公告)日:2013-10-16

    申请号:CN201310027870.3

    申请日:2013-01-15

    Abstract: 一种调控n型SiC单晶低维纳米材料掺杂浓度的方法,其包括以下具体步骤:(1)将C纸浸泡在一定浓度的催化剂无水乙醇溶液中,自然晾干备用;(2)将液态有机前驱体聚硅氮烷置于石墨坩埚中,然后将步骤1)引入了催化剂的C纸置于石墨坩埚顶部,在气氛烧结炉中于5%N2和95%Ar气(体积比)的混合保护气氛下热解一定时间;(3)通过控制热解温度,实现N原子在催化剂液滴中溶解度的控制,进而实现n型SiC单晶低维纳米材料N掺杂浓度的调控。本发明可以实现n型SiC单晶低维纳米材料均匀掺杂及其掺杂浓度的调控和设计,在光电纳米器件具有潜在的应用前景。

    一种高纯度石墨/碳化硅复合介孔纤维材料的制备方法

    公开(公告)号:CN103120946A

    公开(公告)日:2013-05-29

    申请号:CN201210543890.1

    申请日:2012-12-06

    Abstract: 一种石墨/碳化硅复合介孔纤维材料的制备方法,其包括以下具体步骤:(1)前驱体微乳液配置:将聚硅氮烷(PSN)、聚乙烯(PVP)、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、石蜡油按一定比例溶解于无水乙醇中,室温下搅拌混合形成微乳液;(2)有机前驱体纤维制备:将微乳液在高压下进行静电纺丝,所获得的有机前驱体纤维置于恒温烘干箱内,在空气气氛下于200℃保温2小时获得有固态机前驱体纤维;(3)高温热解:将固体有机前驱体纤维置于气氛炉中进行高温热解,在一定热解温度于保护气氛下热解一定时间即可获得具有介孔结构的石墨/SiC复合纤维材料。本发明能够实现高纯度石墨/SiC复合介孔纤维材料的制备及其在尺寸、结构和化学成份上的调控,为其后续用作高效光催化剂和催化剂载体奠定一定基础。

    一种制备纳米/纳米型Si3N4/SiC纳米复相陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN101265106A

    公开(公告)日:2008-09-17

    申请号:CN200810086327.X

    申请日:2008-03-24

    Abstract: 本发明提出了一种新的制备纳米/纳米型Si3N4/SiC纳米复相陶瓷的方法。其包括以下具体步骤:(1)低温交联固化:有机前驱体在保护气氛下于进行低温交联固化,得到非晶态固体;(2)球磨粉碎:将非晶态固体在球磨机中进行球磨粉碎;(3)高温热解:球磨后的混合物在保护气氛下进行高温热解得到SiCN粉末。(4)球磨粉碎:将SiCN粉末进一步球磨粉碎,同时引入烧结助剂;(5)放电等离子体烧结(SPS):高能球磨后的混合物进行SPS快速烧结,得到纳米/纳米型Si3N4/SiC纳米复相陶瓷。与现有技术相比,本发明可以克服传统粉末工艺上带来的一些问题,同时可通过有机前驱体在原子尺度的设计,以改变产物组分、结构和性质满足不同材料的性能要求。

    一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN115746841B

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202211332995.2

    申请日:2022-10-28

    Abstract: 本发明涉及一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜及其制备方法与应用,属于光学膜技术领域。本发明公开了一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜,所述Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜通过将CdBr2加入到包含FABr、PbBr2、PVDF、N,N‑二甲基‑N‑(3‑磺丙基)‑1‑十八烷铵内盐、辛基溴化胺的前驱体溶液后制得。本发明还公开了一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜的制备方法,所述制备方法包括:将加入CdBr2的前驱体溶液经超声、离心脱泡、刀片刮涂、干燥后制得。本发明也公开了Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜在发光器件领域中的应用,所述应用包括将Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜用于发光器件,在60~90℃及蓝光环境下均能保持74%以上的量子效率。

    一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN115746841A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211332995.2

    申请日:2022-10-28

    Abstract: 本发明涉及一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜及其制备方法与应用,属于光学膜技术领域。本发明公开了一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜,所述Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜通过将CdBr2加入到包含FABr、PbBr2、PVDF、N,N‑二甲基‑N‑(3‑磺丙基)‑1‑十八烷铵内盐、辛基溴化胺的前驱体溶液后制得。本发明还公开了一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜的制备方法,所述制备方法包括:将加入CdBr2的前驱体溶液经超声、离心脱泡、刀片刮涂、干燥后制得。本发明也公开了Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜在发光器件领域中的应用,所述应用包括将Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜用于发光器件,在60~90℃及蓝光环境下均能保持74%以上的量子效率。

    一种基于双掺杂量子点的比率温度传感器

    公开(公告)号:CN105222918B

    公开(公告)日:2021-02-23

    申请号:CN201510615729.4

    申请日:2015-09-24

    Abstract: 本发明公开的基于双掺杂量子点的比率温度传感器,包括设置有双掺杂量子点材料的半导体敏感元件,双掺杂量子点材料的制备方法如下:a、硫前驱体和锌前驱体的制备;b、在ODE溶剂中加入掺杂剂、基体材料以及表面配体,在无氧条件下加热升温去除杂质和水份得到透明溶液,表面配体为DDT和OLA;透明溶液升温,加入硫前驱体,保温生长加入锌前驱体,得到含Cu(Ag),Mn共掺杂Zn‑In‑S量子点的溶液;溶液冷却后经提纯得到量子点。本发明传感器灵敏度高,测试范围大,稳定性好,通过调控双掺杂离子的掺杂浓度,可以实现对双荧光发射强度的调控,性能突出。

Patent Agency Ranking