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公开(公告)号：CN102564583B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201110352596.8
申请日：2011-11-09
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G01J1/44 , G01J1/1626 , G01J1/4204 , G09G3/3406 , G09G2360/144
Abstract: 提供具有接近视见度的光谱灵敏度特性，电路规模小的照度传感器及使用了该照度传感器的显示装置。电流输出电路使用将第1光接收元件中流过的第1电流进行模数变换的第1模数变换电路的比特流信号输出对应于第1电流的电流，第2模数变换电路输入从流过第2光接收元件的第2电流中减去电流所得的第3电流并将其进行模数变换。
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公开(公告)号：CN102591453A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110393396.7
申请日：2011-12-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G06F3/01
CPC classification number: G06F1/1684 , G06F1/1643 , H03K17/941 , H03K2217/94108
Abstract: 提供一种接近传感器和电子设备。接近传感器(1)包括：状态更新部(22)，更新状态信息；以及控制部(5)，在状态信息更新为状态(ST1)或者状态(ST4)时，将表示被检测对象(B)没有接近的信号(S6)输出到外部，且在状态信息更新为状态(ST2)或者状态(ST3)时，将表示被检测对象(B)接近的信号(S6)输出到外部。
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公开(公告)号：CN101226220B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810003109.5
申请日：2008-01-10
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 井上高广
CPC classification number: G08C23/04 , G11C17/18 , H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的基准电流源电路(10)包括：电流源电路(1)；微调熔丝(3)；使电流源电路(1)和微调熔丝(3)连接/不连接的开关电路(2)；控制开关电路(2)的动作的“与非”电路(4)；以及将“与非”电路(4)的一个输入端子连接到GND端子的下拉电阻(R1)，“与非”电路(4)通过输入控制信号(S1)和(S2)而控制开关电路(2)的动作，同时基于“与非”电路(4)的一个输入端子的信号而控制开关电路(2)的动作，以将电流源电路(1)和微调熔丝(3)连接。由此，实现可以测定熔丝微调后的半导体集成电路的特性，而且在熔丝微调完成后，能够维持该状态而不从外部供给信号，同时不产生多余的消耗电流的基准电流源电路。
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公开(公告)号：CN101226220A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810003109.5
申请日：2008-01-10
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 井上高广
CPC classification number: G08C23/04 , G11C17/18 , H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的基准电流源电路(10)包括：电流源电路(1)；微调熔丝(3)；使电流源电路(1)和微调熔丝(3)连接/不连接的开关电路(2)；控制开关电路(2)的动作的“与非”电路(4)；以及将“与非”电路(4)的一个输入端子连接到GND端子的下拉电阻(R1)，“与非”电路(4)通过输入控制信号(S1)和(S2)而控制开关电路(2)的动作，同时基于“与非”电路(4)的一个输入端子的信号而控制开关电路(2)的动作，以将电流源电路(1)和微调熔丝(3)连接。由此，实现可以测定熔丝微调后的半导体集成电路的特性，而且在熔丝微调完成后，能够维持该状态而不从外部供给信号，同时不产生多余的消耗电流的基准电流源电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101030579A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710005928.9
申请日：2007-02-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G01R31/2884
Abstract: 本发明的半导体晶片包括连接了半导体芯片的内部电路和测试焊盘的开关电路。此外，在划线区域或所述半导体芯片内，包括开关控制用焊盘，它被上拉或下拉到所述半导体晶片的衬底电位的同电位，被提供用于使所述开关电路导通的与所述衬底电位不同的电位的信号。而且，在所述测试焊盘上，连接有插入在所述测试焊盘间且相互相邻的所述半导体芯片的各个所述开关电路。
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公开(公告)号：CN1925368A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610121907.9
申请日：2006-08-29
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 井上高广
CPC classification number: H04B10/1141 , H04R2400/00 , H04R2420/07
Abstract: 红外线通信接收机包括：接收部分，以进行调整为目的，以使基于声频信号被驱动的扬声器的声压下降，通过红外线而接收用于表示声频数据的声频信号；以及扬声器驱动部分，根据由接收部分接收到的声频信号来驱动扬声器，接收部分具有：接收声频信号的接收块；以及使通过接收块接收到的声频信号的脉冲宽度伸缩的脉冲宽度伸缩部分。
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公开(公告)号：CN1578115A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410061725.8
申请日：2004-07-01
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H03G3/3084
Abstract: 以往，载波检测电路根据接收信号进行积分动作来形成载波检测电平，用该载波检测电平来检测有无载波，在对进行上述积分动作的积分器中的积分电容进行充放电时，进行以下其中一种。即，对应于用上述载波检测电平鉴别上述接收信号的电平的结果只进行充电或放电中的一个，或者在始终进行恒定电平的放电的状态下进行与上述鉴别结果对应的充电。相反，本发明提供一种载波检测电路，始终对上述积分电容进行充电和放电这两者，对应于上述鉴别结果来改变其电平。即，用充电电路的充电电流和放电电路的放电电流的差分电流，来进行积分电容的充放电。由此，不会产生减小流过晶体管的电流而发生的问题，能够缩小芯片面积。
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公开(公告)号：CN1512583A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN200310119625.1
申请日：2003-11-04
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/082 , H01L31/09 , H01L23/58
CPC classification number: G05F3/265
Abstract: 本发明的光泄漏电流补偿电路具有发射极与达林顿电路的第1个PNP晶体管的集电极连接、集电极接地的第3个PNP晶体管，以及第3个PNP晶体管的基极与集电极连接、基极和发射极彼此相连的第4个NPN晶体管。由于用集电极电流补偿达林顿电路的光泄漏电流，因此可以高精度补偿光泄漏电流Ileak。并且通过形成由具有和达林顿电路的晶体管大致相同面积的N型外延层的第3个PNP晶体管以及第4个NPN晶体管组成的补偿电路使得光的影响变的与达林顿电路相同，可以抑制补偿电路的芯片面积。
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