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公开(公告)号：CN1238285C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200410013562.6
申请日：2004-02-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制备锂铝硅系微晶玻璃超细粉末的高分子网络凝胶法，涉及一种微晶玻璃粉末的合成方法。本发明按如下步骤进行制备：a.将TEOS溶于水中，用硝酸调节pH＝2～3；b.分别将含锂化合物和含铝化合物溶解于稀硝酸中；c.待TEOS溶液透明后，将上述a步骤和b步骤得到的溶液混合均匀；d.向混合液中加入有机单体和交联剂；e.升温至70～100℃，然后加入引发剂，搅拌均匀，5～30分钟后得到湿凝胶块；f.将湿凝胶块在120℃下干燥12小时或在微波炉中用高火加热15～30分钟，得到干凝胶块；g.将干凝胶块在研钵中研磨后，置于煅烧炉中加热到600～1200℃，保温1～2小时，得到锂铝硅系微晶玻璃超细粉末。它具有成本低、合成速度快、纯度高和粒径小的优点。
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公开(公告)号：CN1559943A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410013562.6
申请日：2004-02-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制备锂铝硅系微晶玻璃超细粉末的高分子网络凝胶法，涉及一种微晶玻璃粉末的合成方法。本发明按如下步骤进行制备：a.将TEOS溶于水中，用硝酸调节pH＝2～3；b.分别将含锂化合物和含铝化合物溶解于稀硝酸中；c.待TEOS溶液透明后，将上述a步骤和b步骤得到的溶液混合均匀；d.向混合液中加入有机单体和交联剂；e.升温至70～100℃，然后加入引发剂，搅拌均匀，5～30分钟后得到湿凝胶块；f.将湿凝胶块在120℃下干燥12小时或在微波炉中用高火加热15～30分钟，得到干凝胶块；g.将干凝胶块在研钵中研磨后，置于煅烧炉中加热到600～1200℃，保温1～2小时，得到锂铝硅系微晶玻璃超细粉末。它具有成本低、合成速度快、纯度高和粒径小的优点。
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公开(公告)号：CN1523745A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN03132601.3
申请日：2003-09-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种高频大功率多波形电源——用于微弧氧化的高频大功率多波形电源。它由直流电源(E1、E2)、功率开关(K1－K4)、隔离驱动电路(2－1～2－4)和单片机(3)组成，直流电源(E1)的正极连功率开关(K1)的集电极，(K1)的发射极连微弧氧化工作槽(1)的一端和功率开关(K2)的集电极，(1)的另一端连(K3)的发射极和(K4)的集电极，功率开关(K3)的集电极连直流电源(E2)的正极，直流电源(E2)的负极连功率开关(K4)的发射极、功率开关(K2)的发射极和直流电源(E1)的负极并接地，单片机(3)通过隔离驱动电路控制功率开关，本发明采用了高频开关器件“绝缘栅双极晶体管”做为功率开关，摒弃了工频变压器，因此本发明的电源能耗低、效率高、体积小而且对电网无污染。
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公开(公告)号：CN1515351A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN03132585.8
申请日：2003-08-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于降解水中有机污染物的改性二氧化钛固定化方法，它涉及一种在纯钛金属表面原位生长二氧化钛陶瓷膜的方法。它的具体步骤是：(1)将纯钛金属表面进行除油、水洗、酸洗和再水洗；(2)采用硫酸含量为20－80克/升的酸性体系电解液；(3)以钛金属为阳极，以装有电解液的不锈钢槽为阴极，并将钛金属置于电解液中；(4)采用直流电源进行微等离子氧化，即在10分钟内使电压调至140－200V，并恒压5－30分钟，电解液的温度控制在10－40℃。本发明用近年来兴起的微等离子体氧化技术，在纯钛金属表面原位生长一层多孔二氧化钛陶瓷膜。由于微等离子体氧化技术所产生的陶瓷层是从基体上生长，所以它与基体结合紧密，不易脱落。
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公开(公告)号：CN102796333B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210327337.4
申请日：2012-09-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 具有负温度系数效应的聚偏氟乙烯基温敏电阻材料的制备方法，本发明涉及聚偏氟乙烯基温敏电阻材料的制备方法。本发明是为了解决现有聚合物基温敏材料存在的导电相填充量高、室温电阻率偏大、灵敏度偏低的问题。制备方法：（一）以石墨粉为原料，采用改进的Hummers法制备氧化石墨；（二）制备氧化石墨烯N，N-二甲基甲酰胺分散液Ⅰ；（三）制备改性石墨烯（聚对苯乙烯磺酸钠接枝的石墨烯或负载纳米银的石墨烯）；（四）制备以改性石墨烯为导电填料的聚偏氟乙烯基复合材料。本发明应用于聚偏氟乙烯基温敏电阻材料的制备领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102409528B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110225724.2
申请日：2011-08-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氧化石墨烯接枝碳纤维增强体的制备方法，涉及氧化石墨烯接枝碳纤维增强体的制备方法。解决现有碳纤维表面改性方法工艺条件苛刻，工艺时间长，工艺过程有毒害，难以工业化生产的问题。本发明采用“接枝到”方法，利用酰化反应，借助具有大量胺基活性基团的聚酰胺-胺，将氧化石墨烯接枝到酸化处理的碳纤维表面，成本低，简单易行，环保无毒，可在较短时间内完成。具体方法：将酸化碳纤维与聚酰胺-胺甲醇溶液混合反应制备得聚酰胺-胺修饰的碳纤维，并将其放入氧化石墨烯丙酮悬浊液中混合反应，然后过滤，并将沉淀物干燥至恒重即得。得到的碳纤维增强体与环氧树脂的界面剪切强度达79.77～105.50MPa。
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公开(公告)号：CN101913869B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201010251753.1
申请日：2010-08-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 一种可低温烧结的氧化物热电材料及其制备方法，涉及氧化物热电材料及其制备方法。得到烧结温度低、热电性能好的热电材料，实现设备投资小、制备周期短、产量大的热电材料的制备方法。热电材料为钴酸镧基热电材料，由La2O3、Co3O4、B2O3和CuO制成。制备方法为：将La2O3和Co3O4混合，加去离子水球磨，再干燥、预烧得预烧粉体；预烧粉体与B2O3、CuO混合，加无水乙醇球磨，再依次干燥、造粒、成型、烧结即可。热电材料功率因子为1×10-4~1.8×10-4W·m-1·K-2，ZT值为0.038~0.073。烧结温度低，比现有工艺降低100~300℃，烧结时间短，设备投资小，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102409528A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110225724.2
申请日：2011-08-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氧化石墨烯接枝碳纤维增强体的制备方法，涉及氧化石墨烯接枝碳纤维增强体的制备方法。解决现有碳纤维表面改性方法工艺条件苛刻，工艺时间长，工艺过程有毒害，难以工业化生产的问题。本发明采用“接枝到”方法，利用酰化反应，借助具有大量胺基活性基团的聚酰胺-胺，将氧化石墨烯接枝到酸化处理的碳纤维表面，成本低，简单易行，环保无毒，可在较短时间内完成。具体方法：将酸化碳纤维与聚酰胺-胺甲醇溶液混合反应制备得聚酰胺-胺修饰的碳纤维，并将其放入氧化石墨烯丙酮悬浊液中混合反应，然后过滤，并将沉淀物干燥至恒重即得。得到的碳纤维增强体与环氧树脂的界面剪切强度达79.77～105.50MPa，提高。
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公开(公告)号：CN101748465B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200910312880.5
申请日：2009-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 一种钛合金基体上耐高温高发射率涂层的制备方法，它涉及钛合金基体上涂层的制备方法，解决现有钛合金表面高发射率涂层结合力低、热震性能差的问题。方法如下：一、将钛合金打磨、清洗；二、将主盐、分散剂和添加剂配成胶体电解液；三、将钛合金置于装有电解液的不锈钢槽体中，以钛合金做阳极、槽体为阴极，在脉冲微弧氧化电源的作用下，在钛合金基体上制得耐高温高发射率涂层。本发明制得的涂层在700℃条件下的发射率为0.8～1.0，涂层与基体结合力好，其拉伸强度≥30MPa，剪切强度为15MPa～25MPa，在测试条件为700℃到室温的热震循环100次涂层不脱落，可以应用于高超声速飞行器的外蒙皮的热防护层。
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公开(公告)号：CN101913869A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010251753.1
申请日：2010-08-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 一种可低温烧结的氧化物热电材料及其制备方法，涉及氧化物热电材料及其制备方法。得到烧结温度低、热电性能好的热电材料，实现设备投资小、制备周期短、产量大的热电材料的制备方法。热电材料为钴酸镧基热电材料，由La2O3、Co3O4、B2O3和CuO制成。制备方法为：将La2O3和Co3O4混合，加去离子水球磨，再干燥、预烧得预烧粉体；预烧粉体与B2O3、CuO混合，加无水乙醇球磨，再依次干燥、造粒、成型、烧结即可。热电材料功率因子为1×10-4~1.8×10-4W·m-1·K-2，ZT值为0.038~0.073。烧结温度低，比现有工艺降低100~300℃，烧结时间短，设备投资小，有利于工业化生产。
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