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公开(公告)号：CN104195515A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410418382.X
申请日：2014-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 一种高功率双极脉冲磁控溅射方法，涉及一种双极脉冲磁控溅射方法。本发明的目的是为了解决现有的高功率单级磁控溅射电荷积累而产生的打火的技术问题。本发明的一种高功率双极脉冲磁控溅射方法是按以下步骤进行：一、安装设备；二、设置电源参数；三、预溅射；四、溅射。本发明优点：本发明方法即可有效的抑制靶的打火现象，提高溅射效率，又可获得高致密性和高结合力的薄膜。本发明应用于磁控溅射领域。
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公开(公告)号：CN102436997A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110395868.2
申请日：2011-12-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种发射大面积均匀电子束的碳纤维阴极及其制备方法，它涉及一种碳纤维阴极及其制备方法。本发明要解决现有技术制备的阴极存在不能发射大面积均匀电子束的问题。本发明发射大面积均匀电子束的碳纤维阴极由碳纤维束、限流电阻、高压电极和碳纤维束安装盘组成；方法：分别制备碳纤维束安装盘、碳纤维束和高压电极，然后将碳纤维束、限流电阻、高压电极和碳纤维束安装盘依次组装焊接在一起，即得到发射大面积均匀电子束的碳纤维阴极。优点：一、可以保证整个阴极面的均匀电子爆炸发射；二、可以单独更换碳纤维束，节省成本；三、可以调节发射电流；四、可以实现不同空间位置发射电流的控制。本发明主要用于制备发射大面积均匀电子束的碳纤维阴极。
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公开(公告)号：CN101346030B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200810136989.3
申请日：2008-08-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 可控多元阴极弧等离子体形成装置及方法，它涉及等离子体形成装置及方法。本发明为解决现有多元复合膜层制备采取复合多元靶材的方式，复合靶材制作困难的问题。装置：阴极与阴极座连接，阴极与触发板设在放电室内，阳极设置在阴极的下方，放电室通过连接管与过滤室连接。方法：将放电室抽真空到1×10-1Pa的压力，采用4kV的触发脉冲加到触发极上引燃阴极，放电电流为40～200A，过滤磁场强度为200高斯，在过滤室中形成多元阴极弧等离子体。本发明采用的阴极为多个纯金属阴极，加工制备简单，避免了复合多元阴极由于硬度高而制作困难的现象，通过本发明形成的多元阴极弧等离子体的组分种类和密度调整简单。
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公开(公告)号：CN101418430B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200810137080.X
申请日：2008-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 全方位离子注入与沉积批量复合处理装置及方法，它涉及一种全方位离子注入与沉积批量复合处理装置及方法。针对现有全方位离子注入与沉积批量复合处理装置及方法处理零件效率低以及处理后零件的耐磨性和抗腐蚀能力差的问题。本发明的中心旋转靶台系统安装在圆筒下端盖上，所述中心旋转靶台系统上方装有工件旋转装置，所述工件旋转装置由圆盘靶台、若干个齿轮轴和若干个齿轮组成；本发明的批量复合处理方法是按照以下步骤实现的：a、真空处理；b、采用高压幅值为20～40kV的脉冲偏压实现Ti离子注入；c、TiN沉积；d、MoS2沉积；e、Ti沉积。本发明的装置提高了单次处理零件的数量；方法提高了其耐磨性和抗腐蚀能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101418430A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810137080.X
申请日：2008-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 全方位离子注入与沉积批量复合处理装置及方法，它涉及一种全方位离子注入与沉积批量复合处理装置及方法。针对现有全方位离子注入与沉积批量复合处理装置及方法处理零件效率低以及处理后零件的耐磨性和抗腐蚀能力差的问题。本发明的中心旋转靶台系统安装在圆筒下端盖上，所述中心旋转靶台系统上方装有工件旋转装置，所述工件旋转装置由圆盘靶台、若干个齿轮轴和若干个齿轮组成；本发明的批量复合处理方法是按照以下步骤实现的：a.真空处理；b.采用高压幅值为20～40kV的脉冲偏压实现Ti离子注入；c.TiN沉积；d.MoS2沉积；e.Ti沉积。本发明的装置提高了单次处理零件的数量；方法提高了其耐磨性和抗腐蚀能力。
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公开(公告)号：CN101346030A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810136989.3
申请日：2008-08-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 可控多元阴极弧等离子体形成装置及方法，它涉及等离子体形成装置及方法。本发明为解决现有多元复合膜层制备采取复合多元靶材的方式，复合靶材制作困难的问题。装置：阴极与阴极座连接，阴极与触发板设在放电室内，阳极设置在阴极的下方，放电室通过连接管与过滤室连接。方法：将放电室抽真空到1×10－1Pa的压力，采用4kV的触发脉冲加到触发极上引燃阴极，放电电流为40～200A，过滤磁场强度为200高斯，在过滤室中形成多元阴极弧等离子体。本发明采用的阴极为多个纯金属阴极，加工制备简单，避免了复合多元阴极由于硬度高而制作困难的现象，通过本发明形成的多元阴极弧等离子体的组分种类和密度调整简单。
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公开(公告)号：CN1858296A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200610010136.6
申请日：2006-06-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 铝或铝合金基体表面离子注入与沉积复合强化处理方法，它涉及一种金属材料表面离子注入与沉积复合强化处理方法。它解决了类金刚石碳膜与铝或铝合金基体间残余应力大、结合力和承载能力差，DLC在高速重载条件下耐磨损性能低，易从铝或铝合金基体上剥落的问题。合成方法按以下步骤进行：(一)铝或铝合金超声清洗；(二)铝或铝合金氩离子溅射清洗；(三)钛离子注入；(四)PIIID法沉积Ti；(五)PIIID法沉积TiN；(六)PIIID法沉积Ti(CN)；(七)PIIID法沉积TiC；(八)合成类金刚石碳膜，即得到表面有多层梯度膜的铝或铝合金；步骤(二)至(八)在真空室内进行。本发明中多层梯度膜上的DLC的磨损寿命比相同厚度的单层DLC提高10倍以上，摩擦系数低于0.1。
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公开(公告)号：CN1851041A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610010059.4
申请日：2006-05-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 轴承外圈滚道离子注入与沉积复合处理方法，它涉及一种轴承表面强化处理方法。针对轴承外圈滚道采用等离子体浸没离子注入与沉积处理存在强化层结合力差及均匀性差问题。本发明是这样完成的：将超声清洗后的轴承外圈(3)组成圆筒放到真空室内抽真空，通入碳氢化合物气体，先对圆筒内腔进行高能C离子注入，工作气压为2.0×10－1～6.0×10－1Pa，偏压幅值为10～30kV，脉冲宽度为20～60μs，脉冲频率为50～350Hz，再对圆筒内腔进行类金刚石碳膜薄膜沉积，工作气压为2～8Pa，偏压幅值为2～4kV，脉冲宽度为10～20μs，脉冲频率为2～8kHz。经本发明处理过的轴承外圈滚道具有较好的耐磨性，纳米硬度值为15～20GPa，磨损寿命在200g载荷下为8万转，稳定阶段的摩擦系数为0.08，可实现批量处理。
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公开(公告)号：CN2557533Y
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02275567.5
申请日：2002-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 滚珠全方位离子注入与沉积表面强化处理装置，它涉及一种对圆球体和复杂形状的机械零件进行均匀强化处理装置。该装置包含有多功能等离子体浸没离子注入装置、强流阴极弧金属等离子体源B、以及高电压慢速旋转靶台。高电压慢速旋转靶台的工件旋转装置(1)由一固定不动的固定盘(1－1)和绕垂直的中心轴线转动的动盘(1－2)组成。在固定盘(1－1)上开有用于放置被处理工件K的通孔(1－3)，通孔(1－3)的内侧面与被处理的工件K的外表面相吻合，动盘(1－2)的上面与被处理工件K相接触，动盘(1－2)经不锈钢管(8)和高压绝缘瓷杆(5)与电机及减速器(6)相连接。该设备解决了现有设备难以对球形工件表面进行均匀强化处理的问题。
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