公开(公告)号：CN101346030B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200810136989.3

申请日：2008-08-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王浪平 ,  王小峰 ,  解志文

IPC: H05H1/32 ,  H05H1/34 ,  H05H1/28 ,  H01J37/32

Abstract: 可控多元阴极弧等离子体形成装置及方法，它涉及等离子体形成装置及方法。本发明为解决现有多元复合膜层制备采取复合多元靶材的方式，复合靶材制作困难的问题。装置：阴极与阴极座连接，阴极与触发板设在放电室内，阳极设置在阴极的下方，放电室通过连接管与过滤室连接。方法：将放电室抽真空到1×10-1Pa的压力，采用4kV的触发脉冲加到触发极上引燃阴极，放电电流为40～200A，过滤磁场强度为200高斯，在过滤室中形成多元阴极弧等离子体。本发明采用的阴极为多个纯金属阴极，加工制备简单，避免了复合多元阴极由于硬度高而制作困难的现象，通过本发明形成的多元阴极弧等离子体的组分种类和密度调整简单。

公开(公告)号：CN101346030A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810136989.3

申请日：2008-08-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王浪平 ,  王小峰 ,  解志文

IPC: H05H1/32 ,  H05H1/34 ,  H05H1/28 ,  H01J37/32

Abstract: 可控多元阴极弧等离子体形成装置及方法，它涉及等离子体形成装置及方法。本发明为解决现有多元复合膜层制备采取复合多元靶材的方式，复合靶材制作困难的问题。装置：阴极与阴极座连接，阴极与触发板设在放电室内，阳极设置在阴极的下方，放电室通过连接管与过滤室连接。方法：将放电室抽真空到1×10－1Pa的压力，采用4kV的触发脉冲加到触发极上引燃阴极，放电电流为40～200A，过滤磁场强度为200高斯，在过滤室中形成多元阴极弧等离子体。本发明采用的阴极为多个纯金属阴极，加工制备简单，避免了复合多元阴极由于硬度高而制作困难的现象，通过本发明形成的多元阴极弧等离子体的组分种类和密度调整简单。