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公开(公告)号：CN113847886A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111193022.0
申请日：2021-10-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: WolterI型X射线聚焦镜内壁高精度检测方法，属于X射线聚焦镜内壁非接触检测技术领域。包括以下步骤：S5.用激光自准直仪确定镜筒主轴回转和垂直轴的偏心量、记录；S6.调整X位移台、长距离干涉测头和聚焦型短距离干涉测头到合适的位置，使其处于有效工作范围内；S7.控制高精度气浮主轴带动长距离干涉测头和聚焦型短距离干涉测头旋转一周，测量此处截面圆度；S8.移动升降导轨，根据需要测量多个截面圆度；S9.实时调整X位移台位置，通过控制升降导轨测量母线精度；S10.控制高精度气浮主轴旋转到一定角度，测量多条母线精度；S11.分析测量数据，得到镜筒内壁的面形精度。本发明可实现镜片内壁轴向和圆周方向的轮廓测量。
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公开(公告)号：CN103258709B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310177075.2
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多个电极大气等离子体加工碳化硅密封环类零件的方法。它属于等离子体加工碳化硅密封环类零件的技术领域。它是为了解决碳化硅密封环类零件的难加工问题。它的步骤一：圆盘形电极架外圆面上竖直设置有多片薄片形电极；步骤二：将待加工碳化硅密封环类零件装卡在地电极上；步骤三：使每片薄片形电极的下端面都靠近待加工碳化硅密封环类零件的待加工表面；步骤四：预热射频电源和混合等离子体气源；步骤五：通入混合气体，启动射频电源；步骤六：控制所有薄片形电极的运动轨迹和在零件表面的驻留时间；步骤七：取出待加工碳化硅密封环类零件。本发明能对那些表面微结构形状具有周期重复性的密封环类零件表面进行高精度、高效率的加工。
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公开(公告)号：CN103237405B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310177048.5
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05H1/30
Abstract: 一体化等离子体发生装置，它属于等离子体加工设备的技术领域。它是为了解决常温大气等离子体加工过程中，匹配器与等离子体炬距离过大，导致其工作不稳定的问题。它的当匹配器与电容耦合等离子体射流炬模块组合连接时，电容耦合等离子体射流炬模块的第一连接支架的上端面与匹配器的下面端面连接；当匹配器与电感耦合等离子体炬模块组合连接时，第二连接支架的上端面与匹配器的下面端面连接；当匹配器与成形电极模块组合连接时，成形电极模块的第三连接支架的上端面与匹配器的下面端面连接。本发明将匹配器和等离子体炬集成为一体，无需负载线连接，缩短了匹配器和负载之间的距离，可有效降低外界对装置的电磁干扰，同时使阻抗匹配效果更加稳定。
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公开(公告)号：CN103273180A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310177053.6
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K10/00
Abstract: 自由曲面光学零件的大气等离子体数控加工方法，它属于等离子体加工大口径非球面光学零件的技术领域。它是为了解决高精度大口径非球面光学零件的加工效率和表面质量问题。它的步骤一：在工作架上安装有大口径的等离子体炬或中口径的等离子体炬或小口径的等离子体炬；步骤二：将待加工光学零件装卡在地电极上；步骤三：使大口径的等离子体炬或中口径的等离子体炬或小口径的等离子体炬靠近待加工表面；步骤四：预热；步骤五：启动射频电源；步骤六：使大口径的等离子体炬或中口径的等离子体炬或小口径的等离子体炬进行多自由度运动；步骤七：取出待加工光学零件。本发明采用三种不同口径的等离子体炬对大口径复杂曲面光学零件进行大气等离子体加工。
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公开(公告)号：CN103258710A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310177077.1
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01J37/32
Abstract: 大气等离子体成形电极加工碳化硅密封环类零件的方法，它属于等离子体加工碳化硅密封环类零件的技术领域。它是为了解决碳化硅密封环类零件的难加工问题。它的步骤一：将等离子体成形电极的上端面绝缘连接在工作轴上；步骤二：将待加工碳化硅密封环类零件装卡在地电极上；步骤三：使等离子体成形电极靠近待加工碳化硅密封环类零件的待加工表面；步骤四：预热射频电源和混合等离子体气源；步骤五：通入混合气体，启动射频电源；步骤六：用上述产生的大气等离子体对零件表面进行加工；步骤七、取出待加工碳化硅密封环类零件。本发明能对密封环类零件表面进行加工，加工效率高，精度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103237406A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310177181.0
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05H1/30
Abstract: 一种带有保护气体大气等离子体发生装置，它属于等离子体加工光学零件的技术领域。它为了解决目前大气等离子体加工过程中存在的表面沉积问题。它的第一圆环形聚四氟乙烯定位套套接在中空管电极上部的外圆面上，地电极上部套接在第一圆环形聚四氟乙烯定位套的外圆面上，第二圆环形聚四氟乙烯定位套套接在射频线接头外表面上，第二圆环形聚四氟乙烯定位套穿过地电极侧面的孔后露出一段，射频线接头的另一端为射频电源的阳极接线端，带孔圆环形聚四氟乙烯定位套套接在中空管电极下部的外圆面上，中空管电极的下端设置在锥形喷嘴内部。本发明能在激发的大气等离子体周围形成保护层，防止大气等离子体中原子团与空气中杂质结合发生复合。
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公开(公告)号：CN103237404A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310177038.1
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 同轴放电模式的大气等离子体发生装置，它属于光学加工领域。它为了解决受电极与工作台间距离的限制，工件的厚度对等离子体的产生以及等离子体活性有直接影响的问题。它的内电极的上端镶嵌在圆环形聚四氟乙烯连接块的内孔的上端中，圆环形绝缘固定套套接在内电极中部，圆环形绝缘固定套外圆面的上部镶嵌在圆环形聚四氟乙烯连接块的内孔的下端处，圆管形陶瓷喷嘴的上端套接在圆环形绝缘固定套外圆面的下部上，使圆管形陶瓷喷嘴的内圆面与内电极的外圆面下部之间有一圈均匀的间隙，中空圆环形外电极的上端与圆环形聚四氟乙烯连接块的下端连接。本发明实现了非接触式的高效加工去除表面及亚表面损伤，层射流模式不受工件形状的影响，便于数控化加工。
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公开(公告)号：CN103231418A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310177067.8
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B26F3/06
Abstract: 模块化电极大气等离子体加工碳化硅密封环类零件的方法，它属于等离子体加工碳化硅密封环类零件的技术领域。它是为了解决碳化硅密封环类零件的难加工问题。它的步骤一：圆盘形电极架的面上设置有多个薄片形电极模块的安装孔；步骤二：待加工碳化硅密封环类零件装在地电极上；步骤三：薄片形电极模块的下端面都靠近待加工表面；步骤四：预热；步骤五：通入混合气体，启动射频电源；步骤六：控制薄片形电极模块的运动轨迹；步骤七、取出待加工碳化硅密封环类零件。本发明能对那些表面要求比较高的、加工难度比较大的、需要多个工序才能完成加工的密封环类零件表面进行先均匀的大去除、然后局部修琢的小去除、最后刻蚀微结构的高精度、高效率的加工。
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公开(公告)号：CN103227092A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310177059.3
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01J37/32
Abstract: 自由曲面微结构光学零件的大气等离子体加工方法，它属于等离子体加工大口径非球面光学零件的技术领域。它是为了解决高精度大口径非球面光学零件的加工效率和表面质量问题。它的步骤一：在五轴联动机床的绝缘工作架上安装有微孔径的等离子体炬；步骤二：将待加工光学零件装卡在地电极上；步骤三：使微孔径的等离子体炬的放电工作面靠近待加工表面；步骤四：预热射频电源和混合等离子体气源；步骤五：启动射频电源；步骤六：使微孔径的等离子体炬进行多自由度运动；步骤七：取出待加工光学零件。本发明采用微孔直径为0.2mm-1mm的微孔电极炬，其放电产生半高宽为0.5mm-2mm的高斯型去除函数，可加工空间周期≥1mm的无表面及亚表面损伤的微结构光学零件。
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公开(公告)号：CN103213172A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310177066.3
申请日：2013-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B26F3/06
Abstract: 水电极大气等离子体加工大口径非球面光学零件的装置，它属于等离子体加工大口径非球面光学零件的技术领域。它是为了解决高精度大口径非球面光学零件的加工效率和表面质量问题。它的成形电极的上端面连接在工作架上；在待加工零件的下方设置的所有喷头喷出的水都喷射到待加工光学零件的下端面上，所有喷头喷出的水都接地；成形电极靠近待加工光学零件的待加工表面；放电间隙附近设置有出气管，出气管的进气端口与混合等离子体气源的出气端口导气连通。本发明采用直线式排列的水射流作为电极来进行等离子体加工，多条水射流可以保证在每条直线上的放电特性相同，避免放电不均匀的问题。
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