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公开(公告)号：CN104693688A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510136815.7
申请日：2015-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08L63/00 , C08L79/04 , C08K3/22 , C04B35/622
Abstract: PCB基板用微波介质陶瓷/树脂双连续复合材料的制备方法，它涉及一种树脂基复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有方法制备的陶瓷/树脂复合材料介电常数低且介电损耗大的技术问题。制备方法：一、制备浆料；二、制备定向孔分布的多孔陶瓷生坯；三、制备多孔微波介质陶瓷预制体；四、将温度为室温～-20℃的树脂倒入模具中，抽真空至熔化的树脂完全进入多孔微波介质陶瓷预制体内，固化，即得。由于微波介质陶瓷多孔预制体的比表面积大大低于粉体的比表面积，因此有利于降低界面极化，从而降低介电损耗；此外，可以根据材料要求制备出不同陶瓷含量的复合材料，介电常数可调。本发明属于复合材料的制备领域。
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公开(公告)号：CN103304252B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310233416.3
申请日：2013-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00
Abstract: 一种SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料的制备方法，本发明涉及复合材料的制备方法。本发明要解决多孔Si3N4微米级孔隙难以用于隔热领域和纯SiO2气凝胶强度太低难以直接应用的问题。方法：一、制备浆料；二、制备多孔陶瓷生坯；三、制备多孔Si3N4；四、制备SiO2溶胶；五、得到SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料。本发明制备的复合材料抗压强度为5～50MPa，常温下的导热系数为0.03～0.08w/(m·K)，介电常数1.40～1.80，介电损耗正切角0.1～3×10-2，密度0.38～0.8g/cm3，平均孔径8～30nm。本发明用于制备SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料。
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公开(公告)号：CN102808100B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210311286.6
申请日：2012-08-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C1/08
Abstract: 定向孔陶瓷增强金属基复合材料的制备方法，它涉及一种复合材料的制备方法。本发明为了解决现有颗粒增强的复合材料其抗压强度、弯曲强度低的技术问题。本方法如下：一、制备浆料；二、制备多孔陶瓷生坯；三、制备预制体；四、将铝合金熔液浸入到预制体中，即得定向孔陶瓷增强金属基复合材料。本发明制备的定向孔陶瓷增强金属基复合材料强度高，时效后材料的弯曲强度＞700MPa，拉伸强度＞400MPa，热导率＞120W·m-1·K-1，并且制备的预制体的抗弯强度＞3MPa。
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公开(公告)号：CN103274697A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310217999.0
申请日：2013-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/14 , C04B35/624
Abstract: 一种隔热透波SiO2-Si3N4复合材料的制备方法，涉及一种复合材料的制备方法。本发明是要解决超临界干燥法难以制备大尺寸材料和冷冻干燥法由于冰晶的生长而形成较多微米级孔洞的技术问题。方法为：一、制备水解的正硅酸乙酯；二、制备含有体积分数为1％～30％的Si3N4粉体的凝胶复合体；三、制备老化后的凝胶复合体；四、制备溶剂置换处理的凝胶复合体；五、制备隔热透波SiO2-Si3N4复合材料。本发明制备得到SiO2-Si3N4复合材料孔隙率为60～86％、平均孔径为6～20nm，介电常数＜2，介电损耗较低，常温下的导热系数最低值可达0.02w/m·K，具有良好的隔热透波性能，应用于航空航天领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101908645A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010240842.6
申请日：2010-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M10/056 , H01M10/058
Abstract: 一种增强相连续定向分布的陶瓷/固态聚合物电解质复合材料及其制备方法，涉及陶瓷/固态聚合物电解质复合材料及其制备方法。解决现有陶瓷/固态聚合物电解质复合材料中陶瓷分布不均，导致复合材料力学性能差、电导率低的问题。复合材料由固态聚合物电解质和固相组成。方法：制备浆料；浆料注入模具，冷冻成型，然后冻干并干燥，再烧结得多孔陶瓷基体；利用真空压力将液态聚合物电解质渗入多孔陶瓷基体，再室温固化即可。复合材料的三点弯曲强度达100~150MPa，断裂韧性达2.0~4.1MPam1/2；室温电导率达10-6~10-4S/cm。制备方法简单，适用的材料体系范围广；应用于新能源体系、传感器和电化学器件。
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公开(公告)号：CN101508592A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910071599.7
申请日：2009-03-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 多孔Si3N4陶瓷的制备方法，它涉及一种Si3N4陶瓷的制备方法。本发明解决了现有技术制备多孔Si3N4陶瓷气孔率低的问题。本发明的方法如下：将α－Si3N4粉末和助烧剂混合均匀；将上述混合物与聚乙烯醇水溶液制成泥浆；再把泥浆冷冻至完全结冰，然后进行低温真空脱水，冷冻前可根据需要把泥浆成型为各种形状的坯体；对干坯进行烧结，即得多孔Si3N4陶瓷。本发明方法制得的多孔Si3N4陶瓷孔径和气孔率均可调控，气孔率最高可达95％。本发明方法工艺简单、可重复性好。
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公开(公告)号：CN101298469A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810064602.8
申请日：2008-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种竹筏状羟基磷灰石及其制备方法，它涉及一种羟基磷灰石及其制备方法。它解决了现有羟基磷灰石存在不具有高度定向的组装结构、不具有选择吸附的特性、合成条件苛刻和成本高等问题。竹筏状羟基磷灰石由聚氧乙烯－聚氧丙烯－聚氧乙烯三嵌段共聚物P123、吐温60、乙醇、Ca(NO3)2、H3PO4和H2O制成。制备方法：一、混合聚氧乙烯－聚氧丙烯－聚氧乙烯三嵌段共聚物P123、吐温60和乙醇，形成片层状模板；二、混合Ca(NO3)2和H3PO4；三、水浴加热、回流搅拌；四、调节pH、水浴加热、回流搅拌；五、离心；六、干燥。本发明制备的竹筏状羟基磷灰石呈高度定向的排列、可以选择吸附蛋白质。本发明制备方法简单、易操作，成本低。
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公开(公告)号：CN101298323A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810064600.9
申请日：2008-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B25/32
Abstract: 羟基磷灰石纳米空心材料的制备方法及其表面羧基改性方法，它涉及一种纳米空心材料的制备方法及其表面改性方法。现有方法制备的空心羟基磷灰石纳米材料都是粒径大于100nm的空心羟基磷灰石纳米球，且粒径大不适宜作纳米药物载体和不具有控制药物释放功能的问题。一、原材料混合、搅拌；二、回流搅拌；三、离心；四、干燥、煅烧。表面改性：一、超声分散然后柠檬酸，再回流搅拌；二、离心、干燥。本发明羟基磷灰石纳米空心材料粒径小，孔体积和表面积大；表面改性赋予了羟基磷灰石纳米空心材料对pH值感应的性质，成为调控pH值控制药物释放的智能型药物载体。
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公开(公告)号：CN100400468C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200610010504.7
申请日：2006-09-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/599 , C04B35/622
Abstract: α-塞隆复合陶瓷材料及其制备方法，它涉及一种陶瓷材料及其制备工艺。为了解决了α-sialon陶瓷中残留玻璃相导致其高温性能显著下降的难题，本发明的α-sialon复合陶瓷材料采用BAS作为添加剂，生成自韧化α-sialon材料，BAS的重量百分数为0.1%～30%，并采用粉末冶金法制备上述α-sialon复合陶瓷材料。本发明首次将钡长石玻璃陶瓷添加到sialon陶瓷中，实现了棒状α-sialon晶粒的原位生长和钡长石自身的完全晶化，合成了性能优异的α-sialon材料，弯曲强度在1500℃以前不降低，而且制备工艺简单、有效。
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