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公开(公告)号：CN101266946B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200810083566.X
申请日：2008-03-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/822 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/268 , H01L27/1464 , H01L27/14683
Abstract: 一种半导体装置的制造方法及背照式半导体装置，该半导体装置的制造方法包括下列步骤：提供基板，该基板包含第一表面以及第二表面，其中至少有一个影像传感器邻接于该第一表面；利用局部退火工艺以活化在该半导体基板中邻接该第二表面的掺杂层；以及对该掺杂层进行蚀刻工艺。本发明能够改善半导体装置的光照响应。
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公开(公告)号：CN101350358B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200710196916.9
申请日：2007-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02F1/1335 , H01L27/146 , G02B5/23
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H04N9/045
Abstract: 一种影像感测装置，包括：具有前表面以及后表面的半导体衬底；形成于该半导体衬底的该前表面上的多个像素，其中所述多个像素分别用于感测光线照射；形成于所述多个像素上的彩色滤光阵列，其中该彩色滤光阵列包括多个彩色滤光物，而所述多个彩色滤光物分别可使具有特定波长的光线通过并抵达至少所述多个像素其中之一处；以及形成于该彩色滤光阵列上的多个微透镜，其中所述多个微透镜分别用于引导光线照射至该彩色滤光阵列中的所述多个彩色滤光物其中之一处，其中该彩色滤光阵列还包括遮光结构，其可阻绝朝向介于相邻的所述多个微透镜间的区域照射的光线前进。本发明还提供了一种半导体装置。本发明可使得相邻像素间的光学串扰问题最小化。
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公开(公告)号：CN100590879C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200710102430.4
申请日：2007-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
Abstract: 一种背侧光感测装置，包括半导体基底，具有上表面与阶梯状下表面，多个像素，形成于上表面；多个吸收深度，形成于上、下表面之间，由蚀刻该半导体基底形成一体结构，每个吸收深度根据每个像素排列；以及多个彩色滤光片，形成于半导体基底的下表面，吸收深度位于像素与彩色滤光片之间。一种形成背侧光感测装置的方法包括提供具有上表面与阶梯状下表面的半导体基底，在上表面形成第一像素、第二像素以及第三像素；在下表面形成第一厚度、第二厚度以及第三厚度，其中第一、二、三厚度分别位于第一、二、三像素之下。于半导体基底的下表面形成一第一滤光片、一第二滤光片以及一第三滤光片，其中第一、二、三滤光片分别位于上述第一、二、三厚度之下。
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公开(公告)号：CN101442063A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810135288.8
申请日：2008-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/485
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L24/05 , H01L27/14636 , H01L2224/05556 , H01L2924/12043 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置及影像感测装置，该半导体装置包含：具有一前表面及一后表面的一半导体基材；形成于基材上的元件；形成于基材的前表面上的互连金属层，包含一最高互连金属层；一内金属介电层，供绝缘位于其中的多个互连金属层中的每一个；以及位于内金属介电层中的一接合垫，接合垫与除了最高互连金属层之外的互连金属层之一接触。
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公开(公告)号：CN100490161C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200610100018.4
申请日：2006-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/144 , H01L31/08 , H01L31/0216 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L31/0216
Abstract: 一种后侧照光的半导体装置，包括：半导体基底，具有前侧表面与后侧表面；感测元件，位于该半导体装置的前侧表面上；以及反光层，设置于该感测元件之上，设置于该半导体基底之上，其中该反光层具有面对该感测元件的反射面，而该反射面大体对应该感测元件80%的表面，其中该反光层用以反射朝向该后侧表面以及穿透该感测元件的光线。因此，本发明的后侧照光的半导体装置中的反光层可反射照射透过该感测元件区域的光线80%以上，反光层也可反射至少照射于其上的光线30%以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101350358A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200710196916.9
申请日：2007-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , G02B5/23
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H04N9/045
Abstract: 一种影像感测装置，包括：具有前表面以及后表面的半导体衬底；形成于该半导体衬底的该前表面上的多个像素，其中所述多个像素分别用于感测光线照射；形成于所述多个像素上的彩色滤光阵列，其中该彩色滤光阵列包括多个彩色滤光物，而所述多个彩色滤光物分别可使具有特定波长的光线通过并抵达至少所述多个像素其中之一处；以及形成于该彩色滤光阵列上的多个微透镜，其中所述多个微透镜分别用于引导光线照射至该彩色滤光阵列中的所述多个彩色滤光物其中之一处，其中该彩色滤光阵列还包括遮光结构，其可阻绝朝向介于相邻的所述多个微透镜间的区域照射的光线前进。本发明还提供了一种半导体装置。本发明可使得相邻像素间的光学串扰问题最小化。
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公开(公告)号：CN101232031A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710136732.3
申请日：2007-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/144 , H01L21/822 , H01L21/762
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14683
Abstract: 本发明提供一种背照式半导体装置与制造方法。上述装置包括：衬底，其具有正面与背面；多个传感器元件，形成于该衬底中，所述多个传感器元件用来接收经引导朝向该背面的光线；以及传感器隔离结构，形成于该衬底中，水平配置于两个相邻的所述传感器元件间，且垂直配置于该背面与正面间。本发明能够减少或排除多个传感器像素之间的干扰。
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公开(公告)号：CN100364104C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510073300.3
申请日：2005-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636
Abstract: 本发明提供一影像感测器装置及微电子元件装置。该影像感测器包括一主动式光感测像素阵列于一基底上，各像素的至少一边宽度小于或等于3微米。至少一介电层设置于基底上，覆盖该光感测像素阵列。一彩色滤光层设置于该至少一介电层上。其中，所有该至少一介电层与该彩色滤光层的厚度总和除以该像素的任意一边宽度小于或等于1.87。本发明所述互补型金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器，可避免感测影像的失真、提升感测像素的分辨率，以及致使增加感测像素对应色彩的饱和度。
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公开(公告)号：CN1925165A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610128861.3
申请日：2006-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14687
Abstract: 本发明提供了一种图像感测装置，包括：一半导体基板；多个像素单元，位于该半导体基板上；以及一蚀刻停止层，位于所述像素单元上，其中该蚀刻停止层具有小于600埃的厚度。该图像感测装置还包括一层间介电层，覆盖该蚀刻停止层。该蚀刻停止层具有小于2的折射率和小于0.1的消光系数。本发明的图像感测装置，克服了公知感应器的感光能力、特别是对于蓝光的感测能力劣化的缺点，对于包括蓝光的所有色彩均具有较佳的感测能力。
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公开(公告)号：CN1897287A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610100018.4
申请日：2006-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/144 , H01L31/08 , H01L31/0216 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L31/0216
Abstract: 一种后侧照光的半导体装置，包括：半导体基底，具有前侧表面与后侧表面；感测元件，位于该半导体装置的前侧表面上；以及反光层，设置于该感测元件之上，设置于该半导体基底之上，其中该反光层具有面对该感测元件的反射面，而该反射面大体对应该感测元件80％的表面，其中该反光层用以反射朝向该后侧表面以及穿透该感测元件的光线。因此，本发明的后侧照光的半导体装置中的反光层可反射照射透过该感测元件区域的光线80％以上，反光层也可反射至少照射于其上的光线30％以上。
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