公开(公告)号：CN1331758C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200510129960.9

申请日：2005-12-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 匡勤 ,  周樨 ,  徐韬 ,  林水潮 ,  江智渊 ,  谢兆雄 ,  谢素原 ,  黄荣彬 ,  郑兰荪

IPC: C01G19/02

Abstract: 氧化锡空心纳米材料的制备方法，涉及一种纳米材料的制备，尤其是涉及一种以氧化锌为牺牲模板制备氧化锡空心纳米材料的方法。提供一种制备各种形态的SnO2空心纳米材料的通用方法。步骤为制备ZnO纳米材料，制备SnH4前驱体，产生的气体SnH4通过N2携带进入一个气囊中备用，生长SnO2外壳，即在硅片衬底上生长得到具有核-壳结构的ZnO/SnO2复合材料，最后除去ZnO内核，即得到保持ZnO初始外形的SnO2空心纳米材料。优点是ZnO纳米材料具有极其丰富的形态，SnO2空心材料外壁的结晶度良好，SnO2空心材料外壁的厚度可控。

公开(公告)号：CN1807688A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510135861.1

申请日：2005-12-20

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张淑红 ,  马艳芸 ,  谢兆雄 ,  郑兰荪

IPC: C25B1/00 ,  C30B29/16 ,  C30B29/60

Abstract: 电化学沉积制备形状可控的氧化亚铜微/纳米晶体的方法，涉及一种氧化亚铜晶体，尤其是涉及一种通过电化学沉积制备μm或纳米级的形状可控的Cu2O晶体的方法。提供一种不需要表面活性剂，在无支持电解质的条件下于室温下用电化学沉积法直接在导电基体上制备形状可控的Cu2O微/纳米晶体的方法。其步骤为导电基体预处理，配制电解质溶液，恒电流电化学沉积，在基体上得到形状可控的Cu2O微/纳米晶体。在室温下使用简单的恒电流电沉积方法，不需要任何支持电解质，不添加表面活性剂，通过改变电解质溶液浓度和电化学参数得到形状可控的Cu2O微/纳米晶体，得到的主要形貌有：八面体、削角八面体、削角立方体、立方体。

公开(公告)号：CN1789138A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510129963.2

申请日：2005-12-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 徐韬 ,  江智渊 ,  周樨 ,  匡勤 ,  谢兆雄 ,  郑兰荪

IPC: C01G9/02

Abstract: 一种抑制氧化锌纳米线c轴生长的方法，涉及一种氧化锌纳米材料，尤其是涉及一种通过高温熔盐体系实现抑制氧化锌纳米线c轴生长的方法。提供一种抑制氧化锌纳米线的c轴生长的方法。步骤为将锌的含氧酸盐与氯化锂混合，按质量比锌的含氧酸盐∶氯化锂1∶8～200；对混合后的原料升温至100～300℃，恒温1～5h，除去原料中的结晶水后升温至含氧酸盐的分解温度以上，恒温1～5h进行分解，然后自然冷却；将冷却后的产物用水洗涤至洗净可溶物，沉淀物为目标产物。操作简便，条件易于控制，步骤少，装置简单，产率高，且相对于气相沉积1000℃以上的高温来说，能耗和大规模生产成本低；产物具有与其它氧化锌纳米材料不同的荧光发射谱。