-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115863507A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211524225.8
申请日：2022-11-30
Abstract: 本发明提供一种LED器件及其制备方法，LED器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的反射结构，所述反射结构包括自下至上依次层叠的第一组反射单元至第N组反射单元，N为大于或等于2的整数；任意的第n组反射单元包括至少一个第n反射单元，第n反射单元包括第n下反射层和第n上反射层；第n下反射层的折射率小于第n上反射层的折射率；第一组反射单元中的第一下反射层至第N组反射单元中第N下反射层的掺杂浓度递增，第一下反射层至第N下反射层中均具有孔洞，第一下反射层至第N下反射层的孔洞率递增；位于所述反射结构背离所述半导体衬底层一侧的发光层。所述LED器件的发光效率和发光均匀性均提高。
-
公开(公告)号：CN114242772A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111444358.X
申请日：2021-11-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 一种类超结光增强IGBT器件，属于功率半导体领域。由多个元胞并联形成，每个元胞结构包括：P型掺杂集电区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、N型高掺杂柱区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、氧化层、栅极电极、发射极电极和集电极电极。通过将IGBT的顶部栅极开孔，使得光线可通过这个窗口入射到JFET区，通过向IGBT器件的JFET区进行光照射产生光生载流子以提高器件导通特性，JFET区域和漂移区的电流密度分布更加均匀。照射光波长可为30～1800nm，可应用于高压领域，防止JFET区和漂移区的电流密度过大引发过热而损伤半导体的晶格结构，提高器件使用寿命。
-
公开(公告)号：CN114242709A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111437948.X
申请日：2021-11-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种集成LED的光增强碳化硅功率器件，涉及碳化硅功率半导体。由多个元胞并联而成，各元胞结构包括：P型掺杂集电区，位于P型掺杂集电区上方的N型掺杂场终止层，位于N型掺杂场终止层上方的N型掺杂漂移区，位于N型漂移区上方的P型掺杂的阱区，位于P型掺杂的阱区内部的N型掺杂的源区和P型掺杂的基区，位于N型漂移区和P型掺杂的阱区上方的氧化层，位于氧化层上方的栅极电极；集成的LED位于JFET区域的上方且在栅极电极的内部；发射极电极位于N型掺杂的源区和P型掺杂的基区上方；集电极位于P型掺杂集电区下方。在顶部栅极集成LED，利用LED发射出的光使JFET区域产生电子‑空穴对，降低JFET区域与漂移区的电阻率。
-
公开(公告)号：CN219226293U
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202223602793.3
申请日：2022-12-30
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62
Abstract: 本实用新型提供一种显示面板，包括：第一基板，第一基板的一侧表面具有导电层组，导电层组包括间隔设置的第一导电层和第二导电层；位于第一基板的一侧的绝缘层，绝缘层中具有间隔设置的第一开口和第二开口，第一开口位于第一导电层的上方，第二开口位于第二导电层的上方；位于第一开口中的第一键合层，第一键合层位于第一导电层的上表面；位于第二开口中的第二键合层，第二键合层位于第二导电层的上表面；Micro‑LED芯片，Micro‑LED芯片包括：P型电极和N型电极；P型电极与第一键合层接触，N型电极与第二键合层接触。所述显示面板可以避免第一导电层与第二导电层之间发生短路。
-
公开(公告)号：CN222126570U
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202420673678.5
申请日：2024-04-02
Abstract: 本实用新型提供一种Mi cro‑LED芯片。Mi cro‑LED芯片包括：衬底层；位于衬底层上的发光结构；发光结构在平行于衬底层的截面上的图形为多边形；发光结构包括：N型GaN层；位于衬底层一侧表面；I nGaN有源层，位于部分N型GaN层背离衬底层的一侧表面；P型GaN层，位于I nGaN有源层背离所述N型GaN层的一侧表面；发光结构的侧壁与衬底层的表面垂直，且在GaN六方晶系内，侧壁所在的平面属于{11‑20}的晶面族。本实用新型提供的Mi cro‑LED芯片的发光效率高。
-
-
-
-
Search Results
45
records
(took 0.025 seconds)
