公开(公告)号：CN116646393A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310728738.9

申请日：2023-06-19

Applicant: 厦门大学 ,  昆山厦大创新中心

Inventor： 张峰 ,  陈雨箭 ,  张国良 ,  洪荣墩

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L27/15 ,  H01L21/331

Abstract: 一种光增强消除折回现象的逆导型IGBT器件，由多个元胞并联形成，各元胞包括P型掺杂集电区、N型掺杂集电区、N型掺杂漂移区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、P型掺杂的沟道区、氧化层、栅极电极、发射极电极、集电极电极、LED元胞；该器件通过将IGBT的顶部栅极开孔，使用在栅极内部集成LED元胞的方法，使得光线入射到JFET区，并且产生光生载流子，增大器件的导通电流，消除逆导型IGBT器件的折回(Snap‑back)现象，并且可以使器件获得更好的续流特性。

公开(公告)号：CN114242772A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111444358.X

申请日：2021-11-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  陈雨箭 ,  邱宇峰 ,  张荣

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 一种类超结光增强IGBT器件，属于功率半导体领域。由多个元胞并联形成，每个元胞结构包括：P型掺杂集电区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、N型高掺杂柱区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、氧化层、栅极电极、发射极电极和集电极电极。通过将IGBT的顶部栅极开孔，使得光线可通过这个窗口入射到JFET区，通过向IGBT器件的JFET区进行光照射产生光生载流子以提高器件导通特性，JFET区域和漂移区的电流密度分布更加均匀。照射光波长可为30～1800nm，可应用于高压领域，防止JFET区和漂移区的电流密度过大引发过热而损伤半导体的晶格结构，提高器件使用寿命。

公开(公告)号：CN118248723A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410338602.1

申请日：2024-03-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈雨箭 ,  张峰 ,  张国良 ,  黄煜 ,  邱宇峰

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 一种光增强积累型碳化硅器件，由多个元胞并联形成，各元胞结构包括P型掺杂集电区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、N型掺杂载流子存储层、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、第一氧化层、AlN介质层、第二氧化层、LED元胞、多晶硅栅电极、发射极电极、集电极电极；通过修改沟道的掺杂类型，使碳化硅的沟道从耗尽型沟道变成积累型沟道，有效降低器件的沟道电阻；通过在器件的栅极内部集成LED元胞，使其在碳化硅器件正向导通时发光，使器件内部在导通时产生大量光生载流子，大幅降低器件的JFET区和漂移区电阻，提高碳化硅器件的电导调制效应。综合以上效应，可以使碳化硅的导通电流得到有效提高，导通电阻得到降低。

公开(公告)号：CN116936599A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310728817.X

申请日：2023-06-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈雨箭 ,  张峰 ,  张国良

IPC: H01L27/15 ,  H01L29/739 ,  H01L29/16 ,  H01L29/06

Abstract: 一种多电极集成LED的双向导通光增强逆导型碳化硅IGBT器件，由多个元胞并联形成，各元胞包括P型掺杂集电区、N型掺杂集电区、N型掺杂漂移区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、P型掺杂的沟道区、氧化层、栅极电极、发射极电极、集电极电极、LED元胞；通过在IGBT器件的发射极和栅极内部集成LED元胞，使栅极集成的LED元胞在正向导通时发光，发射极集成的LED元胞在器件反向导通时发光，使IGBT器件内部在导通时产生大量光生载流子，大幅提高逆导型IGBT器件的正反向导通电流密度并消除逆导型IGBT器件正向导通时的折回现象，增强逆导型IGBT器件的续流能力。

公开(公告)号：CN118866986A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410879317.0

申请日：2024-07-02

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  刘正冉 ,  呼殷泽 ,  朱晓钢 ,  张国良 ,  陈雨箭

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 一种具有电荷层场板终端结构的金刚石肖特基二极管器件，由多个元胞并联形成，单个元胞中自下而上依次包括欧姆接触金属层、P+型金刚石衬底层、P‑型金刚石外延层、氧封端金刚石表面层；所述氧封端金刚石表面层的上表面同时与电荷储存介质层以及正面有源区肖特基接触金属层接触，电荷储存介质层正上方为场氧介质层，电荷储存介质层与场氧介质层共同环绕在正面有源区肖特基接触金属层周围，金属场板位于场氧介质层上方及内侧侧壁，并与正面有源区肖特基接触金属层相接。本发明可避免传统场板终端的表面及介质提前击穿问题，提高器件的可靠性及反向耐压，以充分发挥金刚石半导体的极端材料特性与电学特性。

公开(公告)号：CN118213395A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410338980.X

申请日：2024-03-22

Applicant: 国网智能电网研究院有限公司 ,  厦门大学

Inventor： 吴鹏飞 ,  安运来 ,  陈雨箭 ,  张国良 ,  洪荣墩 ,  张峰

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 一种具有U形高掺JFET区的新型碳化硅平面型IGBT器件，可用于高压领域。通过在JFET区引入U形高掺的N型区域，降低JFET区的电阻。其由多个元胞并联而成，各元胞包括P型掺杂集电区、N型掺杂缓冲层、N型漂移区、N型高掺杂的U状区域、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、氧化层、栅极电极、发射极电极、集电极电极；本发明能降低JFET区的电阻，增加IGBT内部寄生BJT的基极驱动电流，从而增强IGBT器件的电导调制，降低IGBT器件的导通电阻，提高器件的通态特性，获得更高的导通电流。另外，本发明IGBT器件还能够优化IGBT器件在通态的电流密度分布，提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN114242772B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202111444358.X

申请日：2021-11-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  陈雨箭 ,  邱宇峰 ,  张荣

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 一种类超结光增强IGBT器件，属于功率半导体领域。由多个元胞并联形成，每个元胞结构包括：P型掺杂集电区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、N型高掺杂柱区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、氧化层、栅极电极、发射极电极和集电极电极。通过将IGBT的顶部栅极开孔，使得光线可通过这个窗口入射到JFET区，通过向IGBT器件的JFET区进行光照射产生光生载流子以提高器件导通特性，JFET区域和漂移区的电流密度分布更加均匀。照射光波长可为30～1800nm，可应用于高压领域，防止JFET区和漂移区的电流密度过大引发过热而损伤半导体的晶格结构，提高器件使用寿命。

公开(公告)号：CN117219673A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311336619.5

申请日：2023-10-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  朱晓钢 ,  陈雨箭

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L23/552 ,  H01L21/336

Abstract: 一种抗总剂量辐射的双介质屏蔽栅MOSFET，在沟道区引入叠栅结构，即AlN沟道区与AlON耐压区；在SGT区引入与多晶硅屏蔽电极；在SGT区引入总剂量辐射抗性较大的AlON；采用高k介质提升器件栅阻断能力。本发明还公开了SGT‑MOSFET的制备方法，本发明将为航空航天用功率器件优化提供重要的参考意义。

公开(公告)号：CN116525641A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310728837.7

申请日：2023-06-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  张国良 ,  陈雨箭

IPC: H01L27/15 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/739

Abstract: 一种集成发光二极管的光增强超结碳化硅IGBT器件，在顶部栅极集成发光二极管(LED)，利用LED发射出的光使得JFET区域产生电子‑空穴对，降低JFET区域与漂移区的电阻率，并在漂移区增加超结结构用于保证器件的阻断能力。