公开(公告)号：CN107404066B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201710609195.3

申请日：2017-07-25

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  梅洋 ,  许荣彬 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/024

Abstract: 全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法，涉及激光器。在蓝宝石衬底上外延具有p‑down结构的激光器外延层；在外延片上制作图形化的介质膜DBR，然后磁控溅射n型电极；电镀铜作为替代支撑衬底并激光剥离去除蓝宝石衬底；生长SiO2电流限制层及ITO电流扩展层；溅射p型电极、制作图形化的介质膜上DBR并分离器件完成器件的制备。实现了具有铜衬底、SiO2电流限制层位于器件上表面的全介质膜GaN基面发射激光器。SiO2电流限制层位于有源区上侧避免了位于有源区下侧与衬底之间所造成的有源区热量拥堵，散热差的问题，可以改善器件的散热性能并提高光功率。

公开(公告)号：CN108521075A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810315250.2

申请日：2018-04-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  许荣彬 ,  梅洋 ,  徐欢 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333

Abstract: 一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器，涉及绿光发射激光器。从下至上包括铜衬底、下分布布拉格反射镜、p型Cr/Au电极、ITO透明导电层、SiO2电流限制层、GaN基外延层、n型Cr/Au电极和上分布布拉格反射镜；所述GaN基外延层包括P型GaN、N型GaN和蓝光InGaN/GaN量子阱；所述上分布布拉格反射镜和下分布布拉格反射镜高反带需覆盖整个增益谱范围，反射率达到99％及以上，材料组合采用TiO2/SiO2、Ta2O5/SiO2或Ti3O5/SiO2。所述蓝光InGaN/GaN量子阱中，势阱InXGa1-XN层InN含量x在0.16～0.22之间，势垒为GaN层。

公开(公告)号：CN104465907B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201510018419.4

申请日：2015-01-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  曾勇平 ,  张江勇 ,  应磊莹

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06

Abstract: 一种改善P型氮化镓薄膜电学特性的方法，涉及发光二极管。在p‑GaN上制作ITO薄膜；用等离子体轰击ITO薄膜；利用缓冲氧化刻蚀剂除去表面因感应耦合等离子体轰击产生的氧化物。通过在传统结构的LED外延层P‑GaN薄膜上方沉积一层氧化铟锡，再通过感应耦合等离子体等轰击ITO薄膜，使得轰击后的p‑GaN薄膜空穴浓度得到提高，降低电阻率，从而改善了薄膜的电学特性。从根本上避免了传统的提高p‑GaN薄膜空穴浓度、降低薄膜电阻率的方法，即高温退火对InGaN多量子阱的结构和光学特性产生的影响，而且工艺步骤简单。

公开(公告)号：CN104634767B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201510094227.1

申请日：2015-03-03

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  翁国恩 ,  梅洋 ,  张江勇 ,  应磊莹

IPC: G01N21/63

Abstract: 一种氮化镓基谐振腔气体传感器的制备方法，涉及气体传感器。在蓝宝石衬底GaN基外延片上制作图形化分布布拉格反射镜，然后在表面蒸发或溅射第一含金属层；在衬底表面蒸发或溅射第二含金属层；将第一含金属层和第二含金属层贴合，在真空或氮气氛围下键合，再通过激光剥离技术去除蓝宝石衬底；对去除蓝宝石衬底后的GaN基外延片进行器件分离，形成二维阵列结构，接着蒸发或溅射金属电极、分布布拉格反射镜，最后沉积聚合物涂层，完成器件制作。探测灵敏度高，易于制作成二维阵列结构，达到同时检测多种气体的目的，成本低，效率高。基于氮化镓基谐振腔结构，利用器件谐振发光波长的移动确定

公开(公告)号：CN103227265B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201310127938.5

申请日：2013-04-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  刘文杰 ,  胡晓龙 ,  张江勇 ,  应磊莹

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62

Abstract: 一种氮化镓基垂直腔面发射激光器的制作方法，涉及氮化镓基发光器件。制作具有蓝宝石基底的GaN基外延片；在外延片上制作导电层、电流限制层、金属接触层和分布布拉格反射镜中的至少一种，形成非平面结构；在非平面结构上制作金属层；在制作金属层后的非平面结构的表面进行抛光处理，形成第一含金属层；在导热性好的基底上制备第二含金属层；在真空或者氮气氛围，贴合所述第一含金属层与第二含金属层，将氮化镓基非平面结构发光芯片与第二含金属层的基底键合在一起。可以将具有非平面结构的氮化镓基薄膜转移到具有良好导热和导电性好的衬底上，如硅和铜等衬底，从而改善发光器件的散热情况，提高器件可工作的电流密度，增大光功率。

公开(公告)号：CN103618034A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201310632252.1

申请日：2013-11-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  陈明 ,  张江勇 ,  应磊莹

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36

Abstract: 一种自支撑垂直结构GaN基LED芯片及其制备方法，涉及LED芯片。所述自支撑垂直结构GaN基LED芯片自下而上包括支撑基底、P型电极层、P型GaN基材料层、多量子阱层、N型GaN基材料层和N型电极。在外延片表面镀P型金属电极层；在金属电极层上形成图形化厚金属基底；将样品键合到蓝膜上；采用紫外波段激光光源透过蓝宝石衬底辐照样品，剥离蓝宝石衬底；粗化剥离后暴露出的n-GaN表面；制作n-GaN表面电极，即得。可避免同侧电极带来的电流不均匀性和局部热效应，延长寿命，解决LED芯片散热问题。可避免等离子体刻蚀对发光区的损伤，工艺简化，成本降低。可避免金属基板切割和解决因切割基板而造成的器件短路问题。

公开(公告)号：CN220456887U

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202322132069.7

申请日：2023-08-09

Applicant: 厦门大学 ,  福建中晶科技有限公司

Inventor： 梅洋 ,  徐欢 ,  应磊莹 ,  张保平 ,  刘熠新 ,  林赛 ,  蔡琦 ,  游庆勇

IPC: H01S5/125

Abstract: 本实用新型公开了一种基于氮化物半导体的谐振腔发光器件，包括：依次设置的支撑基板、第一反射镜、位于同层的透明导电层和电流限制层、外延层以及位于同层的第二反射镜和第二电极；第二反射镜设于外延层的上表面中部，第二电极设于外延层的上表面两侧；透明导电层设于外延层的下表面中部，电流限制层设于外延层的下表面两侧；第一反射镜是由金属反射镜和介质膜分布式布拉格反射镜组成的混合镜结构，介质膜分布式布拉格反射镜设于透明导电层的下表面中部，金属反射镜覆盖在介质膜分布式布拉格反射镜的下表面、透明导电层的下表面、电流限制层的下表面和支撑基板的上表面。本实用新型在不影响反射率的同时减少介质膜DBR对数，降低器件热阻。

公开(公告)号：CN219018128U

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202223453199.2

申请日：2022-12-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  徐欢 ,  李青璇 ,  许荣彬 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/183

Abstract: 本实用新型公开了一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器，包括：支撑基板、第一电极、第一分布布拉格反射镜、透明导电层、外延层、第二分布布拉格反射镜和第二电极，外延层包括P型氮化物、有源区和N型氮化物；第二分布布拉格反射镜设置于N型氮化物的上表面中部，第二电极设置于N型氮化物的上表面两侧；P型氮化物的下方两侧设置有辐照区，由高能粒子辐照形成电流限制层，中部设置有非辐照区，透明导电层设置于非辐照区下表面，第一分布布拉格反射镜设于透明导电层下表面，第一电极包覆于第一分布布拉格反射镜和透明导电层的外表面及电流限制层的下表面，支撑基板设于第一电极下表面。本实用新型工艺简单，散热性好。