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公开(公告)号：CN1794477A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510030874.2
申请日：2005-10-27
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法。本发明的铟镓铝氮半导体发光元件包括：导电基板，层叠于导电基板之上的P型欧姆电极，层叠于P型欧姆电极之上的P型铟镓铝氮(InxGayAl1－x－yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)层，层叠于P型铟镓铝氮之上的铟镓铝氮发光层，层叠于铟镓铝氮发光层之上的N型铟镓铝氮层，层叠于N型铟镓铝氮层之上的N型欧姆电极，特征是：所述的N型铟镓铝氮层的外表面为氮极性面，所述的N型欧姆电极包括至少包含由金、锗、镍三种金属成分构成的金锗镍接触层。该发光元件表面为具有氮极性面的铟镓铝氮层，并且具有良好的欧姆接触特性和很低的正向工作电压。
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公开(公告)号：CN1770484A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510030319.X
申请日：2005-09-30
Applicant: 南昌大学
CPC classification number: H01L21/02642 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法，它通过引入金属镁进行在线区域掩膜，即先在硅衬底上形成一层镁掩模层或金属过渡层，然后再形成一层金属过渡层或镁掩模层，最后形成一层铟镓铝氮半导体层；先在硅衬底上形成一层金属过渡层，然后再分别依次向上形成一层第一铟镓铝氮半导体层、镁掩模层和第二铟镓铝氮半导体层。本发明可以减少硅衬底上生长的铟镓铝氮材料的位错密度，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN1734799A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510027808.X
申请日：2005-07-13
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上制备高质量铟镓铝氮材料的方法，它首先在硅衬底表面形成一金属钛过渡层，然后在金属钛过渡层上形成铟镓铝氮叠层。所述铟镓铝氮叠层中包含至少一个氮化铝低温缓冲层，且该氮化铝低温缓冲层直接生长于钛过渡层上。本发明通过使用金属钛作为过渡层，可以防止硅衬底氮化形成不利于铟镓铝氮材料生长的氮化硅和金属镓的回熔，生长出高质量的铟镓铝氮材料。
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公开(公告)号：CN1719631A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200510027807.5
申请日：2005-07-13
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种具有内陷电极的半导体发光元件，该元件包括一个具有主面和背面的衬底、形成于衬底主面之上的第一导电类型半导体层、形成于第一半导体层之上的第二导电类型半导体层、形成在衬底背面的第一欧姆电极和形成于第二导电类型半导体层上的第二欧姆电极，特征是第二导电类型半导体层表面具有一凹坑，凹坑的深度大于第二欧姆电极的厚度，且第二欧姆电极形成于凹坑内。衬底和第一导电类型半导体层之间有一金属叠层。所述的第一导电类型半导体层为P型层，所述的第二导电类型半导体层为N型层，N型层和P型层之间还有一发光层。本发明可改善传统半导体发光元件的电极牢固度问题，从而解决影响欧姆接触性能和元件长期工作的可靠性的难题。
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公开(公告)号：CN216219421U
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202122615449.7
申请日：2021-10-28
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本实用新型公开了一种可调节多光源的光照实验鼠装置，灯箱和鼠饲养笼独立分开，顶部设有一灯箱盖，灯箱盖遮挡侧面一定距离，灯箱侧面设有百叶窗通风口、矩形百叶窗和换气扇。四个灯板均匀分布在灯箱顶部，每个灯板中有四颗不同光源类型的LED灯珠一定的排列顺序组合。一开多控开关可以根据实验需要，选择不同的光源进行实验。电流调节器可以调整光照强度的大小。驱动电源可以调整为LED灯所需的工作电压。开关定时器调整每日的光照及黑暗时间。鼠饲养笼底部及四个侧面采用的不透明塑料材质，鼠饲养笼饲料喂养口和饮水口在不同的侧面。解决了传统光照鼠笼上方食物及水源遮挡光线的问题，并且尽可能排除灯箱外光线对实验鼠的干扰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN208538800U
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201820530627.1
申请日：2018-04-12
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本实用新型涉及健康照明技术领域，尤其涉及一种白炽灯用交流转直流驳接电源。一种灯丝长度加倍以使额定电压提高根号二倍的直流白炽灯泡，但灯泡的额定功率又能维持不变；包括白炽灯泡本体，所述白炽灯泡本体为真空白炽灯泡或卤素白炽灯泡，所述白炽灯泡本体内的灯丝为双螺旋结构，即通过细螺旋绕制成细螺旋线，再由细螺旋线绕制成粗螺旋，所述粗螺旋即为灯丝的主体结构；两极杆之间的灯丝的展开总长度在现有额定交流电压灯泡的基础上加倍，本实用新型提供一种无频闪的直流白炽灯照明技术，且能成倍延长灯泡寿命。
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公开(公告)号：CN212812082U
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202021233896.5
申请日：2020-06-30
Applicant: 南昌大学
IPC: H05B39/04 , H05B39/09 , H03K17/96 , H05B45/325
Abstract: 本实用新型涉及照明电器领域，尤其涉及一种触摸调光无频闪白炽灯；触摸控制芯片是近来常见的，调光采用脉宽调制PWM技术；此芯片本是为LED灯具的调光专门设计，现用到白炽灯调光，由于白炽灯有热惯性，最后得到的光线几乎是直流的，效果非常理想；白炽灯的供电是市电整流滤波后得到的直流310V，而触摸调光芯片电源只是5V；整个方案解决了额定电压为220V的钨丝灯泡如何工作在310V下不烧毁的问题以及触摸调光芯片如何和310V高压电源共地而不受干扰的问题。前者通过采用两个灯泡串联来共同承受310V的高压，后者则通过采用带隔离变压器的5V电源来解决。本实用新型使直流白炽灯升级为可触摸调光，且不引进频闪；调光电路可模块化，实用性强。
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公开(公告)号：CN206637332U
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201720178708.5
申请日：2017-02-27
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本实用新型公开了一种无频闪低蓝光全光谱双白炽灯台灯，双白炽灯是串联，两个灯泡通过串联的Y形双灯座连接到同一个灯罩内的母灯座上。市电经全波整流及电容滤波后加于串联的双白炽灯两端。由于灯泡工作在额定电压之下，故本实用新型具有低蓝光、无频闪、低眩光、长寿命、全光谱（深红及红外光谱不可或缺）的优点。
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公开(公告)号：CN203349936U
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201320416922.1
申请日：2013-07-15
Applicant: 南昌大学
IPC: G01J5/60
Abstract: 本实用新型公开了一种应用于MOCVD反应室的双波长径向移动比色测温仪，包括红外辐射探头盒体，特征是：在红外辐射探头盒体内的中央设有分光片腔，在分光片腔中斜向放置有45度分光片，在红外辐射探头盒体内的上端设有上滤光片和上光感探测器，在红外辐射探头盒体内的右端设有右滤光片和右光感探测器；在微型精密电控平移台上设有步进电机和丝杆，红外辐射探头盒体固定在丝杆的滑块上，丝杆径向安装在MOCVD反应室的石英光学视窗的正上方，使得测温探头的进光孔的下端对准MOCVD反应室的顶板上的石英光学视窗下方的喷头喷孔。在步进电机的驱动下，测温探头可以沿径向探测所有喷孔对应的温度。本实用新型具有采用双波长比色测温法、能精确、细致地测量MOCVD反应室绝对温度分布、不需要对喷孔大小进行校准、操作方便实用的优点。
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公开(公告)号：CN212085327U
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202020648467.8
申请日：2020-04-26
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本实用新型公开了一种防尘VGA接口，包括针脚板和插座，所述针脚板中部设置有公插头，公插头的外圈设置有第一橡胶垫，所述针脚板左右两侧设置有凸块，所述凸块远离针脚板的一端设置有N级磁体，所述插座中部设置有母插头，所述母插头内设置有针孔，所述母插头的外圈设置有环形凹槽，所述插座左右两侧设置有凹槽，所述凹槽内底部设置有S级磁铁，本实用新型通过通过N级磁铁与S级磁铁的相互吸引，既可以避免误碰VGA接口导致公插头与母插头相脱离而接触不良，增强了VGA接口使用的稳定性，又可以挤压第一橡胶垫，使得第一橡胶垫与环形凹槽紧密配合，避免灰尘的进入。
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