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公开(公告)号：CN208142186U
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201820436749.4
申请日：2018-03-29
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本实用新型提供了一种高电子迁移率晶体管外延结构，包括硅衬底，在硅衬底上依次设有缓冲层、位错锐减结构、高阻层、沟道层、势垒层和盖层，所述位错锐减结构包括AlN应力层、GaN三维层和GaN合并层，所述GaN三维层为利用晶格常数差异在所述AlN应力层上形成的，所述GaN合并层为利用所述GaN三维层的侧向外延形成的。本实用新型在缓冲层和GaN高阻层之间引入一层位错锐减结构，即利用AlN与GaN之间的晶格常数差异形成的应力，在AlN应力层上直接生长GaN三维层，然后通过采用侧向外延技术在GaN三维层上形成GaN合并层，这样就无需二次外延，结构简单且实用性高，同时可以大幅地降低HEMT材料中的位错密度，提高晶体质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压等特性。
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公开(公告)号：CN211980614U
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202020688377.1
申请日：2020-04-29
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/64 , H01L33/58
Abstract: 本实用新型公开了一种用于太阳能电池光处理的LED光源，包括LED芯片、第一热界面层、第一基板层、第二热界面层、第二基板层、第三热界面层、热沉、一次光学透镜和二次光学系统。本实用新型采用无荧光粉技术，直接采用高光效垂直结构单色LED芯片作为光源直接出光，解决了传统白炽灯/荧光灯光源能耗高的问题，同时，单色光源出光提高了有效的光子辐射强度，解决了白光LED光源宽光谱光能有效利用率低问题。通过高密度封装，实现了高能量密度，同时，通过一次光学透镜和二次光学系统，实现了出光的均匀分布，因此可以实现更好的太阳能电池效率提升效果。本实用新型具有高光效、能耗低、光分布均匀、封装工艺简单、可靠性高和辐照温度低的特点。
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公开(公告)号：CN206401317U
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201621441475.5
申请日：2016-12-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48
Abstract: 本实用新型公开了一种无荧光粉的全光谱LED封装结构，该LED封装结构不使用荧光粉，通过多基色LED芯片直接合成白光。LED芯片包含AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构黄光LED芯片、高光效垂直结构绿光LED芯片、高光效垂直结构青光LED芯片和高光效垂直结构蓝光LED芯片，AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构红光LED芯片和高光效垂直结构橙光LED芯片。全光谱出光具有更理想的光色品质，避免了荧光粉的使用，简化封装工艺，同时提高封装模块的可靠性，同时解决传统封装方法出光蓝光过多、青光缺失和红光不足的缺陷。
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公开(公告)号：CN205909047U
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201620278924.2
申请日：2016-04-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: F21K9/278 , F21V33/00 , F21Y115/10 , F21Y113/10
Abstract: 本实用新型公开了一种照明驱蚊两用发光二极管灯具，由灯罩、基板、电源模块、外壳和灯头组成，特征是：在基板上设有若干个驱蚊灯珠和若干个以白光方式存在的照明灯珠。所述驱蚊灯珠为黄光LED灯珠，若干个黄光LED灯珠以规则图形的形状均匀设在基板上。所述以白光方式存在的照明灯珠为白光LED灯珠，若干个白光LED灯珠以规则图形的形状均匀设在基板上。或，所述以白光方式存在的照明灯珠为红光LED灯珠、绿光LED灯珠和蓝光LED灯珠，若干个红光LED灯珠、绿光LED灯珠和蓝光LED灯珠以规则图形的形状均匀、间隔设在基板上。本实用新型具有高质量照明和高效驱蚊双重功能、使用者不需要更换灯具即可以实现两种功能自由切换、使用方便的优点。
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公开(公告)号：CN214655232U
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202022488531.3
申请日：2020-11-02
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/48 , C23C16/458
Abstract: 本实用新型公开了一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置，该反应装置包括反应腔体、样品台装置、束源炉、气体离化器、真空系统和加热装置，其中：加热装置包括衬底加热装置和腔体加热装置。本实用新型提供的反应装置通过在加热器载板上设置衬底加热装置和带冷却管道的反光杯，使得加热光束和辐射热量聚焦至衬底的表面，提高了加热功率利用率，并隔绝加热光源对腔体内的各种元器件的直接辐照，降低了元器件因温度过高而产生损坏的风险。本实用新型提供的反应装置还具有能耗低、产量大、材料质量优异等诸多优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN209993614U
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201920907952.X
申请日：2019-06-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种AlInGaN基发光二极管，从下至上依次包括：N型AlInGaN层、具有V坑的AlInGaN超晶格层、n区空穴阻挡层、AlInGaN基有源层、P型AlInGaN层，其特征在于：所述P型AlInGaN层中含有p区空穴阻挡层；所述n区空穴阻挡层仅形成于所述具有V坑的AlInGaN超晶格层的V坑侧壁，禁带宽度大于n区空穴阻挡层两侧半导体层；所述AlInGaN基有源层表面上具有V坑和连接所述V坑的平面区，所述P型AlInGaN层形成于所述平面区的上面并填充所述V型缺陷，所述p区空穴阻挡层仅位于所述平面区的上面，禁带宽度大于p区空穴阻挡层两侧半导体层。本实用新型采用高铝组分的空穴阻挡层，使空穴和电子集中在平面区复合发光，大大地提高了发光效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208271905U
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201820658843.4
申请日：2018-05-04
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L29/778
Abstract: 本实用新型公开了一种高电子迁移率晶体管，包括衬底，在衬底上依次设有缓冲层、位错阻断层、高阻层、沟道层、势垒层和盖层；所述位错阻断层为SiN层和GaN层组成的周期结构，周期数为m，其中1≤m≤10，其中SiN层呈岛状或网状分布。通过本实用新型，可使得随后生长的高阻层、沟道层、势垒层以及盖层中的位错密度大幅下降，提高晶体质量，从而提升高电子迁移率晶体管器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN212811638U
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202021480353.3
申请日：2020-07-24
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种双面光伏电池测试装置，包括太阳能模拟器、测试电源、电池支架、镜面反射板、反射罩和暗室，电池支架用于安装双面光伏电池，并与测试电源连接；太阳能模拟器位于双面光伏电池正面的正前方，镜面反射板置于双面光伏电池的侧后方，收集太阳能模拟器的部分辐射并反射至反射罩中；反射罩置于双面光伏电池背面的正后方，内表面为抛物线形状。本实用新型使双面光伏电池在测试时正背两面同时受到光的辐射，测量出双面光伏电池的整体电学性能，消除了两步测试拟合而造成测试结果的偏差。
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公开(公告)号：CN208014726U
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201820324320.6
申请日：2018-03-09
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种氮化物发光二极管，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，在所述第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层处还设有倒六角锥结构，所述第一多量子阱层是由InxGa(1‑x)N量子阱、GaN势垒、AlyGa(1‑y)N势垒和GaN势垒依次组成的周期结构。本实用新型可有效调控空穴在多量子阱中分布、使空穴和电子更为有效地分布到部分量子阱中、从而改善空穴和电子的匹配度、提升发光效率。
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公开(公告)号：CN207405234U
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201721384024.7
申请日：2017-10-25
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: C23C16/34
Abstract: 本实用新型公开了一种用于制备氮化物材料的装置，包括腔体、气体离化器、金属源产生装置、真空系统、样品台、腔体加热装置、真空计、温度计和膜厚仪和控制系统，其中：腔体由相互分离且能合为一体的上腔体与下腔体组成，金属源产生装置包括坩埚、线圈和金属保护装置，金属保护装置由坩埚底座和阻挡盖构成，真空系统包括干泵、分子泵和低温泵，样品台包括载片架、衬底冷却装置和样品台旋转装置。本实用新型制备氮化物的方式为阴离子阳离子逐层堆积模式，具有较好的材料质量和较快的氮化物制备速率。本实用新型具有能耗低、材料质量高、碳污染低、无组分偏析以及产能大等诸多优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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