一种硅衬底反置键合玻璃结构的压电压阻型电场传感器

    公开(公告)号:CN114487547A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210043323.3

    申请日:2022-01-14

    Abstract: 本发明提供一种硅衬底反置键合玻璃结构的压电压阻型电场传感器,包括设置在基底的上表面的玻璃层;设置在玻璃层上表面的硅衬底;以及设置在硅衬底上表面的半导体薄膜;硅衬底的中心区域开设有上小下大的圆台状的第一通孔;玻璃层的中心区域开设有沙漏状的第二通孔;第二通孔的顶部与第一通孔的底部连通,且连通后形成的空腔内安装有压电晶体;压电晶体的第一端与基底的上表面粘接;压电晶体的第二端通过第一氧化硅层与半导体薄膜的下表面耦合;压电晶体的外壁与第一通孔的内壁和第二通孔的内壁均存在间隙;将硅衬底反置到半导体薄膜和玻璃层之间,提高了电场传感器的测量精度和灵敏度。

    基于双轴电场传感芯片的电压测量方法及装置

    公开(公告)号:CN114441837A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202210356977.1

    申请日:2022-04-06

    Abstract: 本申请涉及一种基于双轴电场传感芯片的电压测量方法、装置、处理设备、系统和存储介质。所述方法应用于电压测量系统;处理设备获取第一双轴电场传感器和第二双轴电场传感器测量的第一电场强度和第二电场强度,第一双轴电场传感器和第二双轴电场传感器分别位于待测导线的两侧,第二双轴电场传感器与第一双轴电场传感器的敏感轴方向相同;处理设备获取第一双轴电场传感器与第二双轴电场传感器的第一距离、待测导线的半径和待测导线与零电位参考点之间的第二距离;处理设备根据第一电场强度、第二电场强度、第一距离、半径以及第二距离,得到待测导线相对零电位参考点的电位差。该电压测量系统安装相对简单,可以实现即插即用。

    电流传感器、电流测量设备、系统、装置和存储介质

    公开(公告)号:CN113049874B

    公开(公告)日:2022-03-08

    申请号:CN202110284919.8

    申请日:2021-03-17

    Abstract: 本申请涉及一种电流传感器、电流测量设备、系统、装置和存储介质。电流传感器包括:四个第一单轴TMR芯片和至少两个第二单轴TMR芯片;各第一单轴TMR芯片和各第二单轴TMR芯片位于同一虚拟圆环上;其中,四个第一单轴TMR芯片的磁敏感方向均垂直于虚拟圆环的半径,且相邻两个第一单轴TMR芯片的磁敏感方向垂直;两个第二单轴TMR芯片的磁敏感方向均平行于虚拟圆环的半径且相反,且两个第二单轴TMR芯片分别与其中两个第一单轴TMR芯片的位置相同;各单轴TMR芯片均用于采集磁感应强度;磁感应强度用于计算待测导线的目标电流值。采用本电流传感器进行电流测量时,测试方式简单、成本低。

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