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公开(公告)号：CN117495705B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202311511986.4
申请日：2023-11-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的图像降噪方法，具体为：步骤1：基于忆阻器设计降噪支路；步骤2：如果图像为一维图像，则基于降噪支路构建一维图像的降噪电路，若图像为二维图像，则基于降噪支路搭建二维图像的降噪电路；步骤3：将图像的灰度值映射为输入电流，并导入相应的降噪电路中；步骤4：将降噪电路输出的电流映射还原为图像灰度值；步骤5：将步骤4中的灰度值做二值化后还原为图像，从而得到去噪后的图像。本发明所采用的降噪方法为忆阻器实现图像降噪方面的应用提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN119628419A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202510170707.5
申请日：2025-02-17
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种DC‑DC转换器的过零检测电路及过零检测方法，该电路包括过零检测比较电路、采样保持与电平移位电路、电压差值量化积分电路；过零检测比较电路通过比较电感电压和电源地判断电感电流是否过零并输出过零检测信号，采样保持与电平移位电路根据过零检测产生时钟短脉冲用于对电感电压进行采样，并对电感电压和电源地进行电平移位；电压差值量化积分电路利用电平移位后的电感电压和电源地为第三电容进行充电或放电，得到的电容电压反馈至过零检测比较电路中，控制下一周期的过零检测比较的快慢。本发明利用反馈环路控制过零检测比较电路中栅控电阻大小来改变电流从而修正过零电压的位置，实现纠正过零检测过早过晚关闭的目的。
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公开(公告)号：CN118940693B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411426351.9
申请日：2024-10-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/337 , G06F30/3308 , G06F30/398 , G06F119/02 , G06F113/18 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于MOPSO的存算一体芯粒2.5D封装可靠性智能优化方法，包括如下步骤：S1.确定2.5D封装结构关键凸点参数；S2.按照田口正交实验划分的水平组合建立2.5D封装结构的等效有限元模型；S3.采用百分制加权评判法和信噪比的极差分析法，确定参数排名；S4.通过信噪比的极差分析法实现多目标综合评判，按照计算得出的权重占比进行百分制加权，得到不同水平组合的综合评分，确定最优2.5D封装结构参数方案；S5.采用最小二乘法对应力、翘曲以及综合评分的函数进行拟合；S6.采用MOPSO模型对多个目标变量进行寻优。本发明能够提前规避因翘曲、应力过大而导致产品可靠性失效的风险。
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公开(公告)号：CN119230612A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411733732.1
申请日：2024-11-29
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L27/07 , H01L29/872 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种提升耐短路能力的内嵌SBD的SiC功率器件，包括金属漏极、N型掺杂半导体衬底、N型掺杂半导体外延层、N型掺杂半导体JFET区、栅极深沟槽、金属栅极、源极浅沟槽、SBD金属、P型掺杂半导体屏蔽层和金属源极。金属栅极嵌设在栅极深沟槽顶部。本发明中的SBD金属、源极浅沟槽和P型掺杂半导体屏蔽层，能减少器件短路时的电流密度，降低器件在短路时的温度，避免器件发生热击穿、以提高器件的耐短路能力。另外，本发明中填充有高K电介质的栅极深沟槽，能调制漂移区的电势分布，以保证低导通电阻和高反向击穿电压，从而兼顾器件的导通电阻和耐短路能力的改善，有效调和二者的矛盾关系。
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公开(公告)号：CN119126909A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411623866.8
申请日：2024-11-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供了一种宽输入范围的预稳压电路，带载能力强，随温度变化小，输出电压好调。在能隙基准1.2V电压的基础上，利用三极管和电容的温度系数相反的特性，产生一个随温度变化小的电源电压，在‑50°‑125°温度范围内，电源压降在200mV下，电压大小可按要求调节。以5V电源电压为例，本发明在5.7V‑60V的输入电压范围内可以产生稳定的5V电压，在5.7V以下电压会随输入电压降低。本发明考虑到基准模块等轻载低压模块需要更为稳定的电源电压，设计了两级输出结构，第一级供轻载模块使用，第二级供重载模块使用。本发明带载能力强，经过仿真发现可以带载20mA。在电流负载突变时输出电压也可极快稳定。
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公开(公告)号：CN118943199A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411433922.1
申请日：2024-10-15
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了分裂高K金属栅超结碳化硅沟槽MOSFET及制备方法，包括半导体漏区、半导体N型漂移区、半导体P型漂移区、P型阱区、半导体N型源区、半导体P型源区和分裂高K金属栅结构；分裂高K金属栅结构包括深槽高K介质区、分裂栅金属和栅极金属；分裂栅金属和栅极金属位于深槽高K介质内部；与分裂高K金属栅结构相接触的半导体N型漂移区界面上，从上至下依次布设有半导体源区、P型阱区和半导体漂移区。本发明在动态时，分裂高K金属栅结构能减小漏栅电容，改善器件的动态性能；深槽高K介质区调制漂移区电场提高击穿电压，提高漂移区浓度降低比导通电阻；深槽高K介质区内部的峰值电场得到降低，提高栅介质稳定性。
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公开(公告)号：CN118709468A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410708606.4
申请日：2024-06-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/23 , H01L21/60 , G06F30/27 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及芯片封装工艺技术领域，公开一种基于机器学习的芯片DFN封装与工艺协同优化方法，通过田口正交试验的百分制加权评判法和信噪比的极差分析法确定焊膏种类、PAD焊层厚度、芯片下表面焊层厚度、芯片材料种类的质量指标，对各因素的极差值R进行排序分析获得综合评分，并通过随机森林机器学习和网格搜索进一步优化田口法的最优DFN封装参数组合；并对回流焊温度曲线进行优化，选取最优回流焊温度曲线；解决现有芯片DFN封装中因材料组合或结构设计的不合理而导致的系列问题，本方法大大提高了优化效率，也一定程度上提高了田口法优化参数的准确性。
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公开(公告)号：CN118658571A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411132962.2
申请日：2024-08-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06T17/20 , G06F111/10 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F119/02 , G06F111/04 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开一种考虑延性损伤的凸点晶体塑性有限元模型的构建方法，属于封装可靠性仿真技术领域，包括如下步骤：S1、对凸点试件开展推球试验，获得凸点的宏观应力‑位移曲线；S2、初步建立二维晶体塑性有限元模型；S3、建立耦合损伤的晶体塑性本构模型，并通过用户自定义材料子程序定义；S4、建立计算模型，采用均匀化方法获得有限元模型的应力‑位移曲线；S5、采用试参法拟合宏观应力‑位移曲线和有限元模型的应力‑位移曲线，调整本构模型中的材料参数。本发明能够精确预测封装凸点在剪切荷载下的变形及失效行为，大幅降低试验和设计成本，为封装结构设计提供参考。
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公开(公告)号：CN114912342B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202210312686.2
申请日：2022-03-28
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06Q10/0639 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种基于多质量参数的封装引线键合工艺参数优化方法，先获取与引线键合质量参数相关的工艺参数和每个工艺参数的取值范围，随机组合工艺参数，通过实验和仿真收集不同工艺参数条件下的引线键合的质量参数，生成数据集，基于神经网络进行训练；结合质量参数预测模型生成目标函数，设置初始参数集合并导入质量参数预测模型，得到相应的质量参数的实时预测值；将新的工艺参数集合导入质量参数预测模型，得到满足设计要求的质量参数。本发明利用贝叶斯优化算法，自动简单地优化引线键合的工艺参数，使得最终优化过后的工艺参数的质量参数能够达到目标值，从而降低人力、物力耗费，具有成本低，速度快，精度高等优势。
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公开(公告)号：CN118098334B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410505070.6
申请日：2024-04-25
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明属于集成电路领域，公开了一种RRAM的故障测试方法，对所有常规存储器的故障模型以及RRAM特有故障模型的故障原语进行分析，得到能够检测故障模型的测试序列；使用得到的测试序列在March‑C‑，March C*‑1T1R等算法基础上推导出能覆盖大部分常规存储器故障以及RRAM特有故障的March‑RAWR算法；以March‑RAWR算法为核心，构建一个适用于RRAM存储器的内建自测试MBIST电路；对RRAM存储器注入故障，并运行MBIST电路进行故障测试，记录故障单元地址。该方法提出的March RAWR算法故障覆盖率高达89.92%。该方法搭建的内建自测试电路结构简单，额外占用面积小。
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