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公开(公告)号：CN109742149A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811533635.2
申请日：2018-12-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种双层硅掺杂氧化锡基薄膜晶体管及其制备方法和应用。本发明采用低成本的非晶硅掺杂氧化锡半导体材料作为有源层材料，通过改变氧分压，制备双有源层结构，调控器件沟道中的载流子，获得良好的器件性能，因此可应用于液晶显示和有机发光二极管显示中。本发明制备双有源层的靶材是同一块靶材，不需要开腔更换靶材，制备简单，有效地节约成本和提高生产效率。
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公开(公告)号：CN114379262B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202111644535.9
申请日：2021-12-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种基于电流体印刷的高透射光电器件及其制备方法。一种基于电流体印刷的高透射光电器件的制备方法，包括以下步骤，清洗透明基底并干燥处理，在干燥的透明基底上制备电荷耗散区或者电荷耗散层，在电荷耗散区相连区域或者电荷耗散层上面，印刷金属网格区，得到高透射光电器件。该方法基于电流体印刷技术，添加电荷耗散区或者电荷耗散层，可及时转移在基板上主液滴的残留电荷，减少卫星点的产生，从而提高图案的清晰度以及印刷质量，具有制备方法简单、打印精度高的优点，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114373589B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202111590980.1
申请日：2021-12-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物介电层及其制备方法与应用。所述方法为：将含锆、铝、镁、铪和钇的无机金属盐溶于有机溶剂中得到前驱体溶液；将前驱体溶液旋涂于衬底上，进行预退火，然后进行热退火处理，得到高熵氧化物介电层薄膜。本发明利用五种常用介电材料元素（Al,Zr,Mg,Y,Hf）的协同作用和熵的主导作用来制备高熵金属氧化物薄膜，并通过增加小半径原子‑Zr4+的占比来填补薄膜空隙，从而达到降低粗糙度的目的，在增加熵值的同时保证薄膜的平整性，从而获得一个低粗糙度低功耗的介电层。
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公开(公告)号：CN113682056B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110843476.1
申请日：2021-07-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种电喷印喷头、电喷印喷头阵列及无电荷油墨喷射方法。该电喷印喷头包括：流道管、正电极、接地极和光电耦合器；正电极设于流道管内，流道管设有喷嘴，接地极与喷嘴对应设置，用于在喷嘴处形成带正电荷的射流；光电耦合器包括空腔结构和光源，空腔结构内设有光电材料，光源发出光波使光电材料逸出自由光电子，对油墨进行电荷中和，光波频率高于光电材料红限频率；空腔结构还设有入墨口和出墨口，入墨口与喷嘴对应设置，出墨口喷射出电荷中和后的油墨。本发明克服传统电流体动力喷印的油墨电荷消除效果差和油墨在电场中偏转的问题，提升喷射的精度。
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公开(公告)号：CN113223791B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110467238.5
申请日：2021-04-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种窄线宽金属型低压压敏器件及电流体打印的制备方法；所述压敏器件的成分包括纳米银颗粒、乙基纤维素和聚乙烯吡咯烷酮，所述压敏器件包括主体部分和两个外接点，所述外接点位于主体部分两端。将基底清洗和干燥处理，然后采用电流体打印将纳米银溶胶在基底上打印压敏器件，将打印的压敏器件退火固化，得到窄线宽金属型低压压敏器件。所述压敏器件的压敏电阻稳定，非线性系数较大，漏电流小，微观均匀性较好；工艺简单，烧结温度低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114578626A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210275259.1
申请日：2022-03-21
Applicant: 华南理工大学
IPC: G02F1/1514 , G02F1/1523
Abstract: 本发明公开了一种电致变色器件及其制备方法和应用。本发明的电致变色器件的组成包括依次层叠设置的第一导电层、电致变色层、电解质层和第二导电层，电致变色层为碳纳米管掺杂的WO3层。本发明的电致变色器件的制备方法包括以下步骤：1)将钨源和碳纳米管制成复合分散液；2)将复合分散液涂覆在第一导电层上，进行干燥和退火，形成电致变色层；3)将第二导电层贴合在电致变色层上，并预留电解质溶液的灌注缝隙；4)将电解质溶液灌注到预留的缝隙中，再将整个器件密封，即得电致变色器件。本发明的电致变色器件具有离子扩散速率快、响应时间短、电致变色性能好等优点，且其制备过程简单、成本低、绿色节能，适合进行大规模实际应用。
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公开(公告)号：CN111039573B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201911352145.7
申请日：2019-12-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明属于电致变色薄膜的技术领域，公开了一种WO3电致变色薄膜及其制备方法。所述方法：1)采用浓氨水将纳米氧化钨配成前驱体溶液；2)将前驱体溶液滴加至转动的衬底上，滴加完后，加大衬底的转速继续旋转，获得薄膜；3)将薄膜进行预退火；4)将预退火后的薄膜在空气氛围中进行快速退火，获得WO3电致变色薄膜。本发明的方法简单，原料成本低，溶液稳定性高，制备的薄膜均匀平滑，而且薄膜电致变色性能好。
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公开(公告)号：CN114373589A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111590980.1
申请日：2021-12-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低粗糙度低功耗高熵金属氧化物介电层及其制备方法与应用。所述方法为：将含锆、铝、镁、铪和钇的无机金属盐溶于有机溶剂中得到前驱体溶液；将前驱体溶液旋涂于衬底上，进行预退火，然后进行热退火处理，得到高熵氧化物介电层薄膜。本发明利用五种常用介电材料元素(Al,Zr,Mg,Y,Hf)的协同作用和熵的主导作用来制备高熵金属氧化物薄膜，并通过增加小半径原子‑Zr4+的占比来填补薄膜空隙，从而达到降低粗糙度的目的，在增加熵值的同时保证薄膜的平整性，从而获得一个低粗糙度低功耗的介电层。
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公开(公告)号：CN113823735A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110972240.8
申请日：2021-08-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种自整流且可电致阻变的电存储器及其制备方法。本发明所述自整流且可电致阻变的电存储器，包括N型单晶硅半导体层、P型SnO半导体层和图案化镍电极；其中P型SnO半导体层部分覆盖在N型单晶硅半导体层表面，图案化镍电极设置在P型SnO半导体层表面和未覆盖的N型单晶硅半导体层表面。本发明电存储器具有极高的整流比和开关比，信息存储的可靠性高，同时可以实现低功耗驱动。
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公开(公告)号：CN113682056A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110843476.1
申请日：2021-07-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种电喷印喷头、电喷印喷头阵列及无电荷油墨喷射方法。该电喷印喷头包括：流道管、正电极、接地极和光电耦合器；正电极设于流道管内，流道管设有喷嘴，接地极与喷嘴对应设置，用于在喷嘴处形成带正电荷的射流；光电耦合器包括空腔结构和光源，空腔结构内设有光电材料，光源发出光波使光电材料逸出自由光电子，对油墨进行电荷中和，光波频率高于光电材料红限频率；空腔结构还设有入墨口和出墨口，入墨口与喷嘴对应设置，出墨口喷射出电荷中和后的油墨。本发明克服传统电流体动力喷印的油墨电荷消除效果差和油墨在电场中偏转的问题，提升喷射的精度。
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